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公开(公告)号：CN108363639B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810125124.0
申请日：2018-02-07
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G06F11/10
摘要： 本发明涉及一种参数可配置的动态BCH纠错方法及装置，其中方法包括，根据Flash页容量大小、冗余区空间以及错误率要求，选择合适的纠错码码长分组方案；根据Flash的比特错误率变化曲线设置与短码方案和长码方案的级别相对应的纠错能力调整阈值；Flash系统固件实时获取P/E周期数，并根据所述P/E周期数与所述纠错能力调整阈值的大小，选取合适的纠错模式级别，以实现BCH纠错参数的动态配置。区别于一种固定参数的BCH纠错方案，参数可配的BCH纠错模块可以适用于多种页容量大小的Flash芯片，因此不必在更换Flash的同时再去设计相应的纠错模块，提高整个Flash控制器的兼容性。同时固件可根据不同Page具体的P/E周期数，结合其实际出错比例，在保证可靠性的前提下尽可能提高Flash读写性能。
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公开(公告)号：CN112908399A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110159245.9
申请日：2021-02-05
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种闪存的异常检测方法、装置、计算机设备及存储介质，涉及信息技术领域，主要在于能够根据闪存对应的可靠性等级对闪存进行异常检测，从而能够避免由于闪存异常导致的数据存储错误。其中方法包括：获取闪存芯片中待检测闪存块对应的属性特征；将所述属性特征输入至预设可靠性预测模型进行低频可靠性预测，得到所述待检测闪存块对应的低频预测结果；若所述低频预测结果不满足预设可靠性等级要求，则将所述属性特征输入至所述预设可靠性等级模型进行高频可靠性预测，得到所述待检测闪存块对应的高频预测结果；根据所述高频预测结果，判定所述待检测闪存块是否存在异常。本发明适用于闪存的异常检测。
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公开(公告)号：CN112817525A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110066138.1
申请日：2021-01-19
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种闪存芯片可靠性等级预测方法、装置及存储介质。其中方法包括：对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集输入到第一闪存可靠性等级预测模型的优化程序中，并对第一闪存可靠性等级预测模型进行参数调整，得到第二闪存可靠性等级预测模型；将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的第一预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性等级的预测准确度。
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公开(公告)号：CN112817524A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110066133.9
申请日：2021-01-19
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于动态神经网络的闪存可靠性等级在线预测方法、装置、存储介质及计算机设备。其中方法包括：对待预测闪存芯片进行闪存操作，并在闪存操作过程中采集待预测闪存芯片的至少一种特征量；对待预测闪存芯片的至少一种特征量进行运算操作，得到待预测闪存芯片的特征运算值，依据待预测闪存芯片的特征量和待预测闪存芯片的特征运算值，建构待预测闪存芯片的数据集合；将待预测闪存芯片的数据集合中的第一子集作为动态神经网络的输入，运行动态神经网络，得到第一闪存可靠性等级预测模型，并通过第一闪存可靠性等级预测模型得到初始可靠性等级预测结果；根据初始可靠性等级预测结果和待预测闪存芯片的实际可靠性等级测试结果，优化第一闪存可靠性等级预测模型的模型参数，得到第二闪存可靠性等级预测模型；将待预测闪存芯片数据集合中的第二子集输入到第二闪存可靠性等级预测模型中，得到待预测闪存芯片的可靠性等级的预测结果。上述方法可以提高闪存芯片可靠性等级的预测准确度和灵活度。
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公开(公告)号：CN108847267B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810501831.5
申请日：2018-05-23
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本发明涉及一种基于错误模式的闪存寿命测试方法，包括以下步骤：抽取样本闪存，将样本闪存芯片与闪存测试系统连接；向所述闪存中写入加速磨损的测试图形或激发错误的测试图形；读取样本闪存中的数据，记录原始错误比特率，将所述原始错误比特率与样本闪存的ECC纠错能力进行对比；当原始错误比特率小于ECC纠错能力时，则对样本闪存芯片重复进行读写操作，否则，证明样本闪存已坏，样本闪存的寿命为擦写操作执行次数。本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点，采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形，加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷，从而实现快速的闪存检测。
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公开(公告)号：CN108682442B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810503034.0
申请日：2018-05-23
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明涉及一种不同封装闪存芯片在线测试和分类方法及测试系统，该方法包括将测试芯片与测试系统连接，以块为单位选择该测试芯片所要测试的块，并根据闪存芯片的封装不同，选择相应的测试图形测试闪存芯片物理量信息，并将测试数据实时保存；利用寿命预测算法，根据闪存芯片物理量信息预测闪存芯片的剩余寿命；对所述闪存芯片物理量信息进行处理获得进阶数据；根据闪存芯片物理量信息、剩余寿命、进阶数据，单独或者组合判断筛选闪存芯片，对闪存芯片进行分类。通过本发明，针对不同类型的闪存芯片，采用相应测试图形(pattern)进行测试，实现对不同封装、不同型号的闪存芯片的测试；且通过对闪存芯片存储块进行分级，根据存储块的分级实现对闪存芯片的分级，获得更准确，更贴合实际数据的闪存芯片分类方法。
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公开(公告)号：CN112817523B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110066056.7
申请日：2021-01-19
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供了一种基于强化学习的存储介质可靠性等级判断方法及系统、存储介质、计算设备，该方法包括：获取存储系统中至少一存储单元的系统存储状态，将系统存储状态传输至代理器，由代理器基于系统存储状态确定存储单元对应的可靠性等级判断动作；通过存储系统对可靠性等级判断动作进行准确度评估得到评估结果，根据评估结果生成评估反馈参数；将评估反馈参数传输至代理器，基于评估反馈参数优化更新代理器。基于本发明提供的方案，能够根据实际运行环境进行动态优化，适用于不同类型的存储介质，且不需要通过预先测试获取存储介质可靠性与特征参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN113257332B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110377729.0
申请日：2021-04-08
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质，其中方法包括：基于预定的擦除次数间隔，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测，获得若干初始检测结果；基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态。本申请通过以预定擦除次数间隔执行预测，并且通过采用多模型、多次预测的方式来获得若干初始检测结果，然后综合各初始检测结果来最终确定闪存芯片为有效状态或者为非有效状态，提高预测的准确度，有效降低因为闪存芯片数据失效导致的数据安全隐患。
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公开(公告)号：CN112908391B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110170491.4
申请日：2021-02-08
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于数学模型的闪存分类方法及装置，该方法包括：获取目标闪存Tm次编程/擦除操作后的特征量；对所述特征量进行运算，得到特征量运算数据集合；基于特征量运算数据或所述特征量和特征量运算数据的组合构建表征闪存可靠性的数学模型；获取待分类闪存的特征量；将所述待分类闪存的特征量输入所述数学模型，得到所述待分类闪存的闪存可靠性数据，根据所述闪存可靠性数据来判断闪存可靠性等级，从而根据所述闪存可靠性等级来对所述待分类闪存进行分类。本发明能够根据闪存的可靠性等级对闪存进行分类，可以帮助使用者提前了解闪存的耗损程度，能够根据不同的使用场景选取相应等级的闪存，进而及时调整闪存的存储策略。
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公开(公告)号：CN112908399B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110159245.9
申请日：2021-02-05
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种闪存的异常检测方法、装置、计算机设备及存储介质，涉及信息技术领域，主要在于能够根据闪存对应的可靠性等级对闪存进行异常检测，从而能够避免由于闪存异常导致的数据存储错误。其中方法包括：获取闪存芯片中待检测闪存块对应的属性特征；将所述属性特征输入至预设可靠性预测模型进行低频可靠性预测，得到所述待检测闪存块对应的低频预测结果；若所述低频预测结果不满足预设可靠性等级要求，则将所述属性特征输入至所述预设可靠性等级模型进行高频可靠性预测，得到所述待检测闪存块对应的高频预测结果；根据所述高频预测结果，判定所述待检测闪存块是否存在异常。本发明适用于闪存的异常检测。
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