-
公开(公告)号：CN112115070B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010559303.2
申请日：2020-06-18
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本申请涉及适应存储器装置预期寿命的垃圾数据收集。论述了用于使存储器装置中的垃圾数据收集GC操作适应经估计装置使用年限的系统和方法。示例性存储器装置包含存储器控制器，用于：跟踪实际装置使用年限；使用物理写入计数和所述存储器装置的预期使用寿命内的总写入次数确定装置磨损度量；估计磨损所指示的装置使用年限；以及根据所述磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的相对关系来调整将通过GC操作释放的存储器空间量。所述存储器控制器还可根据所述磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的相对关系，在单层级单元SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间动态地重新分配所述存储器单元的一部分。
-
公开(公告)号：CN114882918B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210100174.X
申请日：2022-01-27
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请针对用于非易失性存储器的电力架构。存储器装置可经配置以在第一模式和第二模式(例如，低电力模式)中操作。当在所述第一模式中操作时，可经由调节器将电压从电源(例如，电力管理集成电路)供应到存储器阵列和一或多个相关联组件。当所述存储器装置转变为在所述第二模式中操作时，由所述电源供应的所述组件中的一些可由电荷泵供电。与所述存储器阵列相关联的控制信息可存储到由电荷泵供电的所述一或多个组件(例如，到高速缓冲存储器)。
-
公开(公告)号：CN115576862A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211088569.9
申请日：2020-06-17
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本申请涉及适于主机写入活动的垃圾收集。描述用于针对主机写入活动调适存储器装置中的垃圾收集GC操作的系统和方法。主机写入进程可由实际主机写入计数与目标主机写入计数的相对关系表示。所述主机写入活动可按例如每天等单位时间估计，或在指定时间周期内累计。存储器控制器可根据所述主机写入进程调整待由GC操作释放的存储器空间量。所述存储器控制器还可根据所述主机写入进程在单层级单元SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间动态地再分配所述存储器单元的一部分。
-
公开(公告)号：CN112817878B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011266436.7
申请日：2020-11-13
申请人： 美光科技公司
发明人： 梁卿
摘要： 本申请涉及一种操作具有动态可变属性的存储器的系统和方法。可以定义一个特征，以允许将数据属性动态地分配给存储装置中的数据。例如，引入了称为“数据组”的特征。数据组定义为一系列本地块地址的分组。存储装置可以分为多个数据组。每个数据组可以有自己的数据属性配置，可以有指定的位数。定义了一个新命令，以允许主机动态地分配存储装置的数据组的属性。例如，所述命令可以通过将所述命令中的字节映射表从所述主机发送到所述存储装置来动态地分配数据组属性。
-
公开(公告)号：CN112233709A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010661027.0
申请日：2020-07-10
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C5/14 , G06F1/26 , G06F1/3234
摘要： 本申请涉及存储系统深度空闲电力模式。公开了系统和方法，所述方法包含：在进入存储系统的空闲电力模式之后的第一阈值时间之后，在未通过通信接口从主机装置接收到命令的情况下，使用所述存储系统的控制电路系统将存储在所述存储系统的易失性存储器中的主机数据移动到所述存储系统的非易失性存储器并且使所述存储系统的电力模式从空闲电力模式转变为深度空闲电力模式，所述深度空闲电力模式具有低于所述空闲模式的第一电力水平的第二电力水平和高于所述空闲模式的第一退出时延的第二退出时延。所述控制电路系统可以进一步确定所述存储系统准备好进入省电电力模式，并且使用与所述通信接口分离的单向电力状态信号接口来提供对所述确定的指示。
-
公开(公告)号：CN112115070A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010559303.2
申请日：2020-06-18
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本申请涉及适应存储器装置预期寿命的垃圾数据收集。论述了用于使存储器装置中的垃圾数据收集GC操作适应经估计装置使用年限的系统和方法。示例性存储器装置包含存储器控制器，用于：跟踪实际装置使用年限；使用物理写入计数和所述存储器装置的预期使用寿命内的总写入次数确定装置磨损度量；估计磨损所指示的装置使用年限；以及根据所述磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的相对关系来调整将通过GC操作释放的存储器空间量。所述存储器控制器还可根据所述磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的相对关系，在单层级单元SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间动态地重新分配所述存储器单元的一部分。
-
公开(公告)号：CN112115069A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010554388.5
申请日：2020-06-17
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本申请涉及适于主机写入活动的垃圾收集。描述用于针对主机写入活动调适存储器装置中的垃圾收集GC操作的系统和方法。主机写入进程可由实际主机写入计数与目标主机写入计数的相对关系表示。所述主机写入活动可按例如每天等单位时间估计，或在指定时间周期内累计。存储器控制器可根据所述主机写入进程调整待由GC操作释放的存储器空间量。所述存储器控制器还可根据所述主机写入进程在单层级单元SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间动态地再分配所述存储器单元的一部分。
-
公开(公告)号：CN118733128A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410767822.6
申请日：2015-08-20
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F9/4401 , G11C7/20 , G11C16/20
摘要： 本发明的实施例涉及从NAND媒体快速引导的固态存储装置。在一个实施例中，存储器装置可包含可操作地耦合到所述存储器媒体的控制器。所述控制器经配置以：确定在所述存储器媒体的区域处所存储的所述初始化信息是否有效；当有效时，至少部分地基于所述初始化信息而将所述存储器装置初始化；及通过在不首先擦除所述存储器媒体的所述区域的情况下对所述存储器媒体的所述区域进行写入来使在所述存储器媒体的所述区域处所存储的所述初始化信息失效。
-
公开(公告)号：CN116391179A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180050367.2
申请日：2021-08-05
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明描述用于多级存储器装置性能通知的方法、系统和装置。存储器系统可包含与第一性能等级相关联的第一类型的第一存储器单元集和与第二性能等级相关联的第二类型的第二存储器单元集。所述存储器系统可具有接口和与所述第一存储器单元集和所述第二存储器单元集耦合的控制电路。所述控制电路可配置成确定与所述第一性能等级和所述第二性能等级之间的转换相关联的第一参数。所述控制电路还可配置成至少部分地基于确定所述第一参数而将所述第一参数存储在第一寄存器中。
-
公开(公告)号：CN115917501A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180037545.8
申请日：2021-05-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F9/4401 , G06F12/0862
摘要： 描述用于系统启动程序期间的读取预测的方法、系统和装置。存储器装置可标识启动程序的命令且将存储于存储器阵列中的数据传送到所述存储器装置的高速缓存。在一些情况下，存储器装置可预取在所述启动程序期间使用的数据，且由此改善所述启动程序的时延。当所述存储器装置接收请求存储于所述存储器阵列中的数据的命令以作为启动程序的部分时，所述存储器装置可基于在接收到所述命令之前预取所请求的数据而标识高速缓存命中。在此类情况下，所述存储器装置可从所述高速缓存检索预取的所述数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
43 条记录 (耗时 0.04 秒)
