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公开(公告)号:CN104541191B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201380040293.X
申请日:2013-06-18
申请人: 美光科技公司
摘要: 本发明揭示在光纤与芯片的光元件之间提供气密密封光连接的方法及使用此类方法制造的光子集成芯片。所述方法需要在等离子体中活化所述光纤的端表面以生成悬键,从而所述悬键促进与所述芯片的表面的耦合。
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公开(公告)号:CN104583826A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380044133.2
申请日:2013-07-30
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: G02B6/42
CPC分类号: H01L31/1812 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4201 , H01L31/02325 , H01L31/02327
摘要: 本发明揭示光子结构及形成方法,其中具有结晶错配位错的光检测器界面(140)相对于波导核心(121)移位以降低暗电流对所检测光学信号的影响。
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公开(公告)号:CN104380164A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380020795.6
申请日:2013-04-09
申请人: 美光科技公司
发明人: 罗伊·米迪
IPC分类号: G02B6/42
CPC分类号: G02B6/4295 , G02B6/4203 , G02B6/4289 , G02B6/4291 , H01L31/02327 , H01L31/101
摘要: 所描述的实施例包含用于电子-光子装置的光学连接,例如光学波导及用于从所述光学波导接收光学波且将所述光学波引导到共同点的光子检测器。还描述制作此类连接的方法。
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公开(公告)号:CN104246562A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201380007957.2
申请日:2013-01-17
申请人: 美光科技公司
CPC分类号: G02B6/30 , G02B5/3016 , G02B6/12004 , G02B6/124 , G02B6/2706 , G02B6/34 , G02B6/4221 , G02F1/1393 , G02F1/292 , G02F2001/133638 , G02F2203/24
摘要: 本发明揭示通过使用一或多个液晶层来将光束从光纤有效地导引到集成于芯片上的光学波导而执行光学对准的装置及系统。芯片上反馈机构可在所述光纤与基于光栅的波导之间导引所述光束以最小化所述系统的插入损耗。
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公开(公告)号:CN109991706B
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN201910256060.2
申请日:2013-04-09
申请人: 美光科技公司
发明人: 罗伊·米迪
IPC分类号: G02B6/42 , G02B6/43 , H01L31/0232 , H01L31/101
摘要: 本申请实施例涉及一种提供波导及消散场耦合光子检测器的方法及设备。所描述的实施例包含用于电子‑光子装置的光学连接,例如光学波导及用于从所述光学波导接收光学波且将所述光学波引导到共同点的光子检测器。还描述制作此类连接的方法。
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公开(公告)号:CN109991706A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201910256060.2
申请日:2013-04-09
申请人: 美光科技公司
发明人: 罗伊·米迪
IPC分类号: G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/101
摘要: 本申请实施例涉及一种提供波导及消散场耦合光子检测器的方法及设备。所描述的实施例包含用于电子‑光子装置的光学连接,例如光学波导及用于从所述光学波导接收光学波且将所述光学波引导到共同点的光子检测器。还描述制作此类连接的方法。
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公开(公告)号:CN104583826B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201380044133.2
申请日:2013-07-30
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: G02B6/42
CPC分类号: H01L31/1812 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4201 , H01L31/02325 , H01L31/02327
摘要: 本发明揭示光子结构及形成方法,其中具有结晶错配位错的光检测器界面(140)相对于波导核心(121)移位以降低暗电流对所检测光学信号的影响。
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公开(公告)号:CN104956482A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201380068593.9
申请日:2013-11-25
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: H01L27/146 , G02B6/136
CPC分类号: H01L21/76229 , G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02B2006/121 , H01L21/3086 , H01L21/76232 , H01L21/76283 , H01L27/092 , H01L27/14689 , H01L29/0649
摘要: 本发明提供一种形成具有适合于集成电子及光子装置的隔离区域的衬底的方法。使用共同中间掩模及光刻技术来制造界定用于在衬底中蚀刻第一及第二区域的开口的掩模,其中用于所述第二沟槽隔离区域的所述开口比用于所述第一沟槽隔离区域的所述开口宽。通过所述掩模在所述衬底中蚀刻且用氧化物材料填充所述第一及第二沟槽隔离区域。从所述第二沟槽隔离区域的底部移除所述氧化物材料。将所述第二沟槽隔离区域进一步蚀刻为比所述第一沟槽隔离区域深,且接着用氧化物材料填充所述第二沟槽隔离区域。可在所述衬底上形成且由所述第一沟槽隔离区域电隔离电装置,且可在所述第二沟槽隔离区域上方形成光子装置且使所述光子装置与所述衬底光学上隔离。
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