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公开(公告)号：CN107732651B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710683987.5
申请日：2017-08-11
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01S5/022
Abstract: 公开光发射器封装件。光发射器封装件可包括载体、开关芯片以及安装至载体的光发射器芯片。光发射器芯片可使用导电粘合剂直接电气和机械连接载体。储能装置可安装至载体。储能装置可使用第二导电粘合剂直接电气和机械连接载体。载体可以在开关芯片、光发射器芯片和储能装置之间提供电气通讯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106549301A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610836181.0
申请日：2016-09-21
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01S5/042
Abstract: 本公开涉及脉冲激光二极管驱动器。光学系统可以向物体发射光脉冲串，以导出光源和物体之间的距离。实现米或厘米的分辨率可需要很短的光脉冲。设计产生用于驱动二极管发射的光脉冲窄电流脉冲的电路是不平凡的。改进的驱动电路具有包括一个或多个感应元件的预充电路和包括二极管的火线路径。驱动电路中的开关在不同的时间间隔使用预定义状态进行控制，以在电流经过火线路径以脉冲二极管之前预充电一个或多个感应元件中的电流。
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公开(公告)号：CN110632614B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910539614.X
申请日：2019-06-21
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G01S17/894 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S17/08
Abstract: 本公开涉及测量和去除由内部散射引起的飞行时间深度图像的破坏。深度成像仪可以实现飞行时间操作来测量对象的深度或距离。深度成像仪可以将光发射到场景上，并使用传感器阵列感知场景中从对象反射回来的光。击中传感器阵列的反射光的定时给出关于场景中对象的深度或距离的信息。在一些情况中，由于在深度成像仪中发生的内部散射或内部反射，在传感器阵列中的像素的视场之外的破坏光可以击中像素。破坏光可以破坏深度或距离测量。为了解决这个问题，改进的深度成像仪可以隔离和测量由深度成像仪中发生的内部散射或内部反射引起的破坏光，并系统地从深度或距离测量中去除测量的破坏光。
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公开(公告)号：CN110632614A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910539614.X
申请日：2019-06-21
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 本公开涉及测量和去除由内部散射引起的飞行时间深度图像的破坏。深度成像仪可以实现飞行时间操作来测量对象的深度或距离。深度成像仪可以将光发射到场景上，并使用传感器阵列感知场景中从对象反射回来的光。击中传感器阵列的反射光的定时给出关于场景中对象的深度或距离的信息。在一些情况中，由于在深度成像仪中发生的内部散射或内部反射，在传感器阵列中的像素的视场之外的破坏光可以击中像素。破坏光可以破坏深度或距离测量。为了解决这个问题，改进的深度成像仪可以隔离和测量由深度成像仪中发生的内部散射或内部反射引起的破坏光，并系统地从深度或距离测量中去除测量的破坏光。
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公开(公告)号：CN106549301B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610836181.0
申请日：2016-09-21
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01S5/042
Abstract: 本公开涉及脉冲激光二极管驱动器。光学系统可以向物体发射光脉冲串，以导出光源和物体之间的距离。实现米或厘米的分辨率可需要很短的光脉冲。设计产生用于驱动二极管发射的光脉冲窄电流脉冲的电路是不平凡的。改进的驱动电路具有包括一个或多个感应元件的预充电路和包括二极管的火线路径。驱动电路中的开关在不同的时间间隔使用预定义状态进行控制，以在电流经过火线路径以脉冲二极管之前预充电一个或多个感应元件中的电流。
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公开(公告)号：CN107732651A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710683987.5
申请日：2017-08-11
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01S5/022
Abstract: 公开光发射器封装件。光发射器封装件可包括载体、开关芯片以及安装至载体的光发射器芯片。光发射器芯片可使用导电粘合剂直接电气和机械连接载体。储能装置可安装至载体。储能装置可使用第二导电粘合剂直接电气和机械连接载体。载体可以在开关芯片、光发射器芯片和储能装置之间提供电气通讯。
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