公开(公告)号：CN106373995B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201610566847.5

申请日：2016-07-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  H·许斯肯 ,  F-J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  R·罗思 ,  C·P·桑道 ,  C·沙菲尔 ,  S·福斯

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 涉及具有减小的带隙区的半导体器件，包括：源极区域，电连接至第一负载端子；漂移区域，含第一带隙的第一半导体材料，具有第一导电类型的掺杂物且承载第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流的至少部分。还包括半导体本体区域，其具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物且电连接至第一负载端子，本体区域和漂移区域之间的过渡形成pn结，pn结阻挡施加在第一与第二负载端子之间的电压。本体区域隔离源极区域与漂移区域并含减小的带隙区，该带隙区包括小于第一带隙的第二带隙的第二半导体材料，布置在本体区域中使得与源极区域在沿垂直方向的截面中呈现沿第一横向方向的公共横向延伸范围和沿垂直方向的公共垂直延伸范围中的至少一个。

公开(公告)号：CN107924815B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201680050910.8

申请日：2016-07-22

申请人： 威科仪器有限公司

发明人： E·A·阿穆尔 ,  G·帕帕索利奥蒂斯 ,  D·权

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/3245 ,  C23C16/047 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： 实施例包含用于产生具有减少数量的点缺陷的半导体晶片的系统和方法。这些系统和方法包含可调谐的紫外UV光源，其经控制以在外延生长期间跨半导体晶片的表面产生UV光束的光栅以解离所述半导体晶片中的点缺陷。在各种实施例中，所述可调谐的UV光源配置在金属有机化学气相沉积MOCVD腔室外部且经控制使得所述UV光束被引导通过限定于所述MOCVD腔室的壁中的窗口。

公开(公告)号：CN107924938B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201680048254.8

申请日：2016-06-16

申请人： 泰戈尔技术股份有限公司 ,  马尼沙·N·沙哈 ,  阿米塔瓦·达斯

发明人： 马尼沙·N·沙哈 ,  阿米塔瓦·达斯

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/15 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

CPC分类号： H03K17/063 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7831 ,  H03K2017/066 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0081

摘要： HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接。HEMT单元源极与该串联中的最后一个GaN HEMT器件的源极连接。HEMT单元栅极连接到与第一个GaN HEMT器件的栅极连接的第一二维电子气(“2DEG”)栅极偏置电阻器。HEMT单元栅极连接到与第二GaN HEMT器件的栅极连接的第二2DEG栅极偏置电阻器。第一和第二2DEG栅极偏置电阻器位于HEMT单元的2DEG层中。还公开了一种多掷RF开关。

公开(公告)号：CN106449727B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201610629469.0

申请日：2016-08-03

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： G·库拉托拉 ,  R·西明耶科

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/085 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/84 ,  H01L29/872

摘要： 本申请涉及防雪崩的准垂直HEMT。半导体器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括第一横向表面和第二横向表面。第一器件区域包括第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的漂移电流控制区域，所述漂移电流控制区域通过所述漂移区域与所述第二横向表面隔开。第二器件区域包括阻挡层和缓冲层，所述缓冲层具有与所述阻挡层不同的带隙，使得沿着所述缓冲层和所述阻挡层之间的界面出现二维电荷载流子气沟道。导电衬底接触件形成所述二维电荷载流子气沟道与所述漂移区域之间的低欧姆连接。栅极结构被配置用于控制所述二维电荷载流子气的传导状态。所述漂移电流控制区域被配置用于经由空间电荷区域来阻止所述漂移区域中的垂直电流。

公开(公告)号：CN106169507B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610319919.6

申请日：2016-05-13

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 大川峰司

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/778 ,  H01L27/098 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明提供一种异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法。一种异质结半导体装置包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层。所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构。

公开(公告)号：CN106158951B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610319639.5

申请日：2016-05-13

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 畠中奖 ,  山口晴央

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7785

摘要： 本发明得到一种化合物半导体装置，其能够通过简单的构造抑制杂质扩散，实现特性提高及稳定生产。在衬底(1)之上依次设置有：缓冲层(2)、第1载流子供给层(3)、第1间隔层(4)、沟道层(5)、第2间隔层(6)、第2载流子供给层(7)及接触层(9)。第1载流子供给层(3)是杂质均匀地掺杂的均匀掺杂层。第2载流子供给层(7)是杂质局部地掺杂的平面掺杂层。在缓冲层(2)和第1间隔层(4)之间、及第2间隔层(6)和接触层(9)之间，没有设置电阻值比第1及第2间隔层(4、6)高的Al混晶层。

公开(公告)号：CN105762146B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610227774.7

申请日：2010-12-02

申请人： 英特尔公司

发明人： R·皮拉里塞 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  W·拉赫马迪 ,  M·K·胡代特 ,  N·慕克吉 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·S·周

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78

摘要： 公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III‑V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

公开(公告)号：CN106415802B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201580027209.X

申请日：2015-04-17

申请人： 夏普株式会社

发明人： 伊藤伸之 ,  远崎学 ,  小河淳

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

摘要： 氮化物类化合物半导体具有衬底(1)和设置在衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体(11)。氮化物类化合物半导体叠层体(11)包括多层缓冲层(4)、叠层在该多层缓冲层(4)上的沟道层(5)和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6)。设置有从电子供给层(6)的表面贯通沟道层(5)和多层缓冲层(4)的凹部(110)，在该凹部(110)内设置有与多层缓冲层(4)和沟道层(5)相邻、并且导热系数比多层缓冲层(4)高的散热层(210)。

公开(公告)号：CN105793997B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201480066011.8

申请日：2014-01-17

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 约翰·谷内

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；以及多个器件，位于衬底上，其中该多个器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，位于衬底上；第二氮化物半导体层，与第一氮化物半导体层一起在衬底与第一氮化物半导体层之间形成第一异质结界面；第三氮化物半导体层，与第二氮化物半导体层一起在衬底与第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面；以及第一接触件，电连接至第一异质结界面和第二异质结界面。

公开(公告)号：CN104584226B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201380045132.X

申请日：2013-06-12

申请人： 英特尔公司

发明人： G·杜威 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·皮拉里塞泰 ,  B·舒-金 ,  N·慕克吉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/511 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明描述了具有带有多电介质栅极堆叠体的Ⅲ‑Ⅴ族材料有源区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。异质结构包括具有沟道区的三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体。源极和漏极材料区设置在所述三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体上方。沟槽设置在所述源极和漏极材料区中，将源极区与漏极区分开，并且暴露所述沟道区的至少一部分。栅极堆叠体设置在所述沟槽中并且设置在所述沟道区的暴露的部分上。所述栅极堆叠体包括第一和第二电介质层以及栅极电极。