公开(公告)号：CN105762137B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201410770334.7

申请日：2014-12-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 苏煜翔

IPC分类号： H01L23/525 ,  G01R31/00

摘要： 本发明公开一种熔丝结构以及其监控方式。该熔丝结构包括一基底、一熔丝主体以及一辅助元件。熔丝主体设置于基底上。辅助元件包括一源极区以及一漏极区分别设置于熔丝主体的两相对侧，辅助元件用以监控并诊断熔丝主体。熔丝主体与源极区以及漏极区电性分离。一种熔丝结构的监控方式包括施加一漏极电压信号至辅助元件的漏极区、施加一栅极电压信号至熔丝主体以及分析由源极区所获得的一信号以诊断熔丝主体的状况。

公开(公告)号：CN105762137A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410770334.7

申请日：2014-12-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 苏煜翔

IPC分类号： H01L23/525 ,  G01R31/00

CPC分类号： H01H85/48 ,  H01H2071/044

摘要： 本发明公开一种熔丝结构以及其监控方式。该熔丝结构包括一基底、一熔丝主体以及一辅助元件。熔丝主体设置于基底上。辅助元件包括一源极区以及一漏极区分别设置于熔丝主体的两相对侧，辅助元件用以监控并诊断熔丝主体。熔丝主体与源极区以及漏极区电性分离。一种熔丝结构的监控方式包括施加一漏极电压信号至辅助元件的漏极区、施加一栅极电压信号至熔丝主体以及分析由源极区所获得的一信号以诊断熔丝主体的状况。

公开(公告)号：CN118693148A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310464657.2

申请日：2023-04-26

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 苏煜翔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。功率金属氧化物半导体场效晶体管包括衬底、基极区、掺杂区、漂移区、栅极结构、绝缘层、导电层、源极电极与漏极电极。基极区设置于衬底中且邻近衬底的第一表面。掺杂区设置于基极区中且邻近衬底的第一表面。漂移区设置于衬底中且位于基极区下方。栅极结构设置于衬底中且包括第一与第二部分。第一部分位于漂移区中。第二部分位于掺杂区、基极区与漂移区中。绝缘层设置于栅极结构与衬底之间。导电层围绕第二部分且位于绝缘层与衬底之间。源极电极设置于衬底的第一表面上且连接掺杂区。漏极电极设置于衬底的第二表面上。衬底、掺杂区以及漂移区具有第一导电型。基极区具有第二导电型。