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公开(公告)号：CN1665031A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410007733.4
申请日：2004-03-05
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 一种影像传感器组件的制造方法，此方法先提供一基底，且此基底中已形成有多个沟槽。之后，在这些沟槽表面形成第一抗反射层。然后，在这些沟槽中填入绝缘层，以形成多个浅沟槽隔离区。接着，在相邻的浅沟槽隔离区之间的基底中形成至少一光感测区。继之，形成第二抗反射层，以至少覆盖光感测区。由于在沟槽表面形成第一反抗层以及在光感测区上形成第二抗反射层，因此可以改善影像传感器组件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101993031B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910165776.8
申请日：2009-08-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
Abstract: 本发明提出一种接触垫的保护装置。接触垫设置于半导体基底上的介电层中，接触垫包含连接区域与环绕于连接区域的周边区域。此保护结构包含至少一挡墙、绝缘层以及掩模层。挡墙设置于周边区域上的介电层中，并包围连接区域。绝缘层设置于介电层上。掩模层则设置于介电层上并覆盖绝缘层，并具有开口以暴露接触垫的连接区域。
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公开(公告)号：CN102054815B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200910221071.3
申请日：2009-11-09
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L31/04 , H01L31/0232 , H01L27/14
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电元件，包括基底、基底上的底层、底层上方的光波导、覆盖光波导的介电层、制作于基底上的集成电路，以及设于光电元件边缘且位于光波导上方介电层中的上述聚光构件。聚光构件的倒半船形状的较宽端朝向光电元件的外侧，且底层与介电层的折射率小于光波导。集成电路包括多层内连线，该多层内连线位于介电层中，且与该些插塞和该些导电层同步形成。
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公开(公告)号：CN107204383A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610153622.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。
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公开(公告)号：CN102122034B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010003228.8
申请日：2010-01-11
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电元件及其形成方法。该光电元件包括基底、半船型材料层、深沟槽隔离结构及光波导。基底具有第一区。半船型材料层配置于第一区的基底中。半船型材料层的折射率小于基底的折射率。半船型材料层的顶面与基底的表面齐平。深沟槽隔离结构配置于第一区的基底中，且位于半船型材料层的头部的一侧。光波导配置于第一区的基底上。光波导与部分深沟槽隔离结构及至少部分半船型材料层重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107204383B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610153622.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。
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公开(公告)号：CN101993031A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910165776.8
申请日：2009-08-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
Abstract: 本发明提出一种接触垫的保护装置。接触垫设置于半导体基底上的介电层中，接触垫包含连接区域与环绕于连接区域的周边区域。此保护结构包含至少一挡墙、绝缘层以及掩模层。挡墙设置于周边区域上的介电层中，并包围连接区域。绝缘层设置于介电层上。掩模层则设置于介电层上并覆盖绝缘层，并具有开口以暴露接触垫的连接区域。
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公开(公告)号：CN102122644A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010001543.7
申请日：2010-01-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具波导管的半导体元件结构与形成方法。首先提供定义有元件区与波导管区的硅覆绝缘基板，其包含硅基底、绝缘层与硅层。接着依序形成保护层以及覆盖波导管区并曝露元件区的图案化掩模层。接着蚀刻保护层、硅层及绝缘层以形成凹槽，并暴露出硅基底。随后于凹槽内形成外延层，再于外延层上形成半导体元件。本发明解决已知将半导体元件整合制作于硅覆绝缘基板的半导体元件电性不佳问题。
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公开(公告)号：CN102122034A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010003228.8
申请日：2010-01-11
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电元件及其形成方法。该光电元件包括基底、半船型材料层、深沟槽隔离结构及光波导。基底具有第一区。半船型材料层配置于第一区的基底中。半船型材料层的折射率小于基底的折射率。半船型材料层的顶面与基底的表面齐平。深沟槽隔离结构配置于第一区的基底中，且位于半船型材料层的头部的一侧。光波导配置于第一区的基底上。光波导与部分深沟槽隔离结构及至少部分半船型材料层重叠。
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公开(公告)号：CN102054815A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910221071.3
申请日：2009-11-09
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L31/04 , H01L31/0232 , H01L27/14
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种聚光构件及具有此聚光构件的光电元件。此聚光构件包括多层导电插塞与多层导电层，这些插塞与导电层合组成倒半船形状。此光电元件包括底层、底层上方的光波导、覆盖光波导的介电层，以及设置于光电元件边缘且位于光波导上方介电层中的上述聚光构件。其中，聚光构件的倒半船形状的较宽端朝向光电元件的外侧，且底层与介电层的折射率小于光波导。
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