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公开(公告)号：CN105984829A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510062509.3
申请日：2015-02-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2203/0127 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基板及MEMS结构。基板包括CMOS结构。MEMS结构形成在基板上并相邻于CMOS结构。MEMS结构连接至CMOS结构。MEMS结构包括薄膜及背板。基板具有对应MEMS结构的空腔。
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公开(公告)号：CN101993031B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910165776.8
申请日：2009-08-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
Abstract: 本发明提出一种接触垫的保护装置。接触垫设置于半导体基底上的介电层中，接触垫包含连接区域与环绕于连接区域的周边区域。此保护结构包含至少一挡墙、绝缘层以及掩模层。挡墙设置于周边区域上的介电层中，并包围连接区域。绝缘层设置于介电层上。掩模层则设置于介电层上并覆盖绝缘层，并具有开口以暴露接触垫的连接区域。
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公开(公告)号：CN102054815B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200910221071.3
申请日：2009-11-09
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L31/04 , H01L31/0232 , H01L27/14
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电元件，包括基底、基底上的底层、底层上方的光波导、覆盖光波导的介电层、制作于基底上的集成电路，以及设于光电元件边缘且位于光波导上方介电层中的上述聚光构件。聚光构件的倒半船形状的较宽端朝向光电元件的外侧，且底层与介电层的折射率小于光波导。集成电路包括多层内连线，该多层内连线位于介电层中，且与该些插塞和该些导电层同步形成。
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公开(公告)号：CN107204383B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610153622.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。
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公开(公告)号：CN101993031A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910165776.8
申请日：2009-08-13
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
Abstract: 本发明提出一种接触垫的保护装置。接触垫设置于半导体基底上的介电层中，接触垫包含连接区域与环绕于连接区域的周边区域。此保护结构包含至少一挡墙、绝缘层以及掩模层。挡墙设置于周边区域上的介电层中，并包围连接区域。绝缘层设置于介电层上。掩模层则设置于介电层上并覆盖绝缘层，并具有开口以暴露接触垫的连接区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107204383A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610153622.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。
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公开(公告)号：CN106865485A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510908759.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/015 , B81C1/00571 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81B7/02 , B81C1/00238 , B81C1/00388
Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。
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公开(公告)号：CN102122034B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010003228.8
申请日：2010-01-11
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电元件及其形成方法。该光电元件包括基底、半船型材料层、深沟槽隔离结构及光波导。基底具有第一区。半船型材料层配置于第一区的基底中。半船型材料层的折射率小于基底的折射率。半船型材料层的顶面与基底的表面齐平。深沟槽隔离结构配置于第一区的基底中，且位于半船型材料层的头部的一侧。光波导配置于第一区的基底上。光波导与部分深沟槽隔离结构及至少部分半船型材料层重叠。
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公开(公告)号：CN106865485B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201510908759.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。
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公开(公告)号：CN102992258A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110277674.2
申请日：2011-09-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种集成电路及其制造方法，该制造方法包括提供具有微机电系统区的基底，且基底的微机电系统区上方形成有第一内连线结构以及硬掩模层，其中硬掩模层是位于第一内连线结构上。接下来，以硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除硬掩模层所暴露出的部分第一内连线结构，进而形成微机电结构，其中微机电结构是暴露出微机电系统区的部分基底。之后，进行各向同性蚀刻，以移除微机电系统区的部分基底，而在微机电结构下方形成腔体。该腔体包括环状凹陷区以及中央区，且环状凹陷区环绕于中央区外围，而微机电结构悬于该腔体上方。
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