公开(公告)号：CN112234139A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910634906.1

申请日：2019-07-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 王慧琳 ,  翁宸毅 ,  谢晋阳 ,  李怡慧 ,  刘盈成 ,  施易安 ,  张境尹 ,  曾奕铭 ,  王裕平 ,  林建廷 ,  何坤展 ,  邹宜勋 ,  李昌珉 ,  曾译苇 ,  赖育聪 ,  谢军

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

摘要： 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。

公开(公告)号：CN117396058A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311103899.5

申请日：2019-07-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 王慧琳 ,  翁宸毅 ,  谢晋阳 ,  李怡慧 ,  刘盈成 ,  施易安 ,  张境尹 ,  曾奕铭 ,  王裕平 ,  林建廷 ,  何坤展 ,  邹宜勋 ,  李昌珉 ,  曾译苇 ,  赖育聪 ,  谢军

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

摘要： 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。

公开(公告)号：CN112234139B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201910634906.1

申请日：2019-07-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 王慧琳 ,  翁宸毅 ,  谢晋阳 ,  李怡慧 ,  刘盈成 ,  施易安 ,  张境尹 ,  曾奕铭 ,  王裕平 ,  林建廷 ,  何坤展 ,  邹宜勋 ,  李昌珉 ,  曾译苇 ,  赖育聪 ,  谢军

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

摘要： 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。