公开(公告)号：CN102237164B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010154845.8

申请日：2010-04-26

Applicant: 聚鼎科技股份有限公司

Inventor： 沙益安 ,  罗国彰 ,  杨金标

IPC: H01C7/13 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明涉及一过电流保护元件，包含二金属箔片、一PTC材料层以及一包覆材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。该包覆材料层包覆PTC材料层与二金属箔片构成的芯片。包覆材料层由环氧树脂与具氨基化合物(amide)官能基的硬化剂反应而成。

公开(公告)号：CN102237164A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010154845.8

申请日：2010-04-26

Applicant: 聚鼎科技股份有限公司

Inventor： 沙益安 ,  罗国彰 ,  杨金标

IPC: H01C7/13 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明涉及一过电流保护元件，包含二金属箔片、一PTC材料层以及一包覆材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。该包覆材料层包覆PTC材料层与二金属箔片构成的芯片。包覆材料层由环氧树脂与具氨基化合物(amide)官能基的硬化剂反应而成。