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公开(公告)号：CN103198910A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210005377.7
申请日：2012-01-06
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种热敏电阻元件，包括：第一导电构件、第二导电构件以及叠设于第一导电构件及第二导电构件之间的高分子材料层。该高分子材料层具有正温度系数的特性，该高分子材料层包含至少一结晶性高分子聚合物及散布于该结晶性高分子聚合物中的至少一导电填料，其中该导电填料的体积电阻值小于500mΩ，且该导电填料占该高分子材料层的重量百分比介于72％～96％。该热敏电阻元件具有一元件面积，于60℃时其对应的维持电流除以该元件面积的值介于0.16A/mm2～0.8A/mm2之间。该热敏电阻元件于60℃的维持电流与25℃的维持电流的比值介于65％～95％。
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公开(公告)号：CN100472674C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510093162.5
申请日：2005-08-19
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种过电流保护元件，其包含两个金属箔片及一个正温度系数(Positive Temperature Coefficient；PTC)材料层。所述PTC材料层介于所述两个金属箔片之间且包含复数个结晶性高分子聚合物、一导电陶瓷填料和一非导电填料。所述导电填料的粒径具一特定大小分布且所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm。
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公开(公告)号：CN103198910B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210005377.7
申请日：2012-01-06
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种热敏电阻元件，包括：第一导电构件、第二导电构件以及叠设于第一导电构件及第二导电构件之间的高分子材料层。该高分子材料层具有正温度系数的特性，该高分子材料层包含至少一结晶性高分子聚合物及散布于该结晶性高分子聚合物中的至少一导电填料，其中该导电填料的体积电阻值小于500mΩ，且该导电填料占该高分子材料层的重量百分比介于72％～96％。该热敏电阻元件具有一元件面积，于60℃时其对应的维持电流除以该元件面积的值介于0.16A/mm2～0.8A/mm2之间。该热敏电阻元件于60℃的维持电流与25℃的维持电流的比值介于65％～95％。
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公开(公告)号：CN104103390A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310361522.X
申请日：2013-08-16
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
IPC: H01C7/02 , F21S10/02 , F21V23/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01C7/028 , H01C7/027 , H01C17/0652 , H01C17/06566 , H01C17/06586 , H05B33/0854 , H05B33/0857
Abstract: 一种正温度系数材料及使用该材料的电阻组件和LED照明装置，该正温度系数材料包含结晶性高分子聚合物及散布于其中的导电陶瓷填料。结晶性高分子聚合物的熔点小于90℃，且重量百分比介于5%～30%。结晶性高分子聚合物主要包含乙烯、乙烯共聚物或其组合。乙烯共聚物包含酯、醚、有机酸、酐、酰亚胺、酰胺官能基的至少一种。导电陶瓷填料的体积电阻值小于500μΩ-cm，且重量百分比介于70%～95%。该正温度系数材料于25℃的体积电阻值约0.01～5Ω-cm，且在温度25℃至80℃之间的电阻差在103倍至108倍之间。
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公开(公告)号：CN102237164A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010154845.8
申请日：2010-04-26
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一过电流保护元件，包含二金属箔片、一PTC材料层以及一包覆材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。该包覆材料层包覆PTC材料层与二金属箔片构成的芯片。包覆材料层由环氧树脂与具氨基化合物(amide)官能基的硬化剂反应而成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102122555A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010002097.1
申请日：2010-01-11
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一过电流保护元件包含二金属箔片及一PTC材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。
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公开(公告)号：CN104103390B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310361522.X
申请日：2013-08-16
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
IPC: H01C7/02 , H01C17/065 , H05B33/08
CPC classification number: H01C7/028 , H01C7/027 , H01C17/0652 , H01C17/06566 , H01C17/06586 , H05B33/0854 , H05B33/0857
Abstract: 一种正温度系数材料及使用该材料的电阻组件和LED照明装置，该正温度系数材料包含结晶性高分子聚合物及散布于其中的导电陶瓷填料。结晶性高分子聚合物的熔点小于90℃，且重量百分比介于5%～30%。结晶性高分子聚合物主要包含乙烯、乙烯共聚物或其组合。乙烯共聚物包含酯、醚、有机酸、酐、酰亚胺、酰胺官能基的至少一种。导电陶瓷填料的体积电阻值小于500μΩ‑cm，且重量百分比介于70%～95%。该正温度系数材料于25℃的体积电阻值约0.01～5Ω‑cm，且在温度25℃至80℃之间的电阻差在103倍至108倍之间。
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公开(公告)号：CN102237164B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010154845.8
申请日：2010-04-26
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一过电流保护元件，包含二金属箔片、一PTC材料层以及一包覆材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。该包覆材料层包覆PTC材料层与二金属箔片构成的芯片。包覆材料层由环氧树脂与具氨基化合物(amide)官能基的硬化剂反应而成。
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公开(公告)号：CN101026029B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610008303.3
申请日：2006-02-17
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明的过电流保护元件包含二个金属箔片以及一叠设于所述二个金属箔片间的PTC材料层。所述PTC材料层主要包含一高分子聚合物基材和一导电填料，其中所述高分子聚合物基材至少包含一第一结晶性高分子聚合物(例如LDPE)和一第二结晶性高分子聚合物(例如PVDF)，所述第二结晶性高分子聚合物的熔点高于所述第一结晶性高分子聚合物的熔点至少50℃。所述导电填料为选择体积电阻值小于500mΩ-cm的金属颗粒或无氧陶瓷粉末，其散布于所述高分子聚合物基材中。所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm，且当电阻增加为初始阻值Ri的1000倍时(即触发时)，其温度减去所述第一结晶性高分子聚合物的熔点小于15℃。
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公开(公告)号：CN106158174B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510312228.9
申请日：2015-06-09
Applicant: 聚鼎科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开种正温度系数材料及包含该正温度系数材料的过电流保护元件。该正温度系数材料包含结晶性高分子聚合物和导电填料,导电填料包含散布于该结晶性高分子聚合物中的碳化钨粉末。其中该碳化钨粉末中不纯物的重量百分比不大于7%,且该不纯物为分子式WC以外的物质。
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