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公开(公告)号：CN114999993A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210798642.5
申请日：2022-07-07
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗装置，包括外壳和用于夹持晶圆的卡盘；所述外壳内设有淋浴管，所述淋浴管向夹持在所述卡盘上的晶圆正面喷射清洗液，所述外壳包括喷头管和支架，所述支架位于卡盘的中心轴线处，且上部安装有支撑部，所述支撑部顶端固定安装支撑环；所述喷头管位于所述卡盘和所述支架的中间，且顶部靠近所述支撑环；所述喷头管包括喷射管和喷气管。本发明提供的晶圆清洗装置，可以对晶圆的正面和背面同时进行清洗，并由支架实现对晶圆的承载和拆卸，方便快捷。晶圆的正面和背面设置的喷气管，加速对清洗之后的晶圆进行干燥，同时也避免了清洗液残留于晶圆中心的问题，提高晶圆的清洗效果，并确保产品质量。
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公开(公告)号：CN115295442A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210790588.X
申请日：2022-07-06
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本发明涉及一种单片式晶圆清洗工艺中的高速传输方法，包括：将腔室的压力维持于预设压力；通过第一抓取结构将第一晶圆从过渡腔室传输至清洗腔室，通过第二抓取结构将第二晶圆从前一工序传输至过渡腔室，通过第三抓取结构将第三晶圆从清洗腔室传输至干燥腔室，通过第四抓取结构将第四晶圆从干燥腔室传输至后一工序。本发明的高速传输方法向腔室内注入氮气，能够将腔室内的压力维持于预设压力，能够对晶圆表面的微粒作初步的分离，并在晶圆表面形成基础的纳米级气膜；双向四抓取结构的设置，能够减少传输过程中的时间损耗；同时，向腔室内注入的氮气，将在晶圆表面形成气流场，进而抓取结构与晶圆非接触地进行传输，从而避免传输过程中的颗粒粘附。
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公开(公告)号：CN115106323A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210789483.2
申请日：2022-07-06
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种建立梯度结构蚀刻的喷淋系统与颗粒控制的控制装置，涉及到单晶圆清洗的技术领域，包括安装板、外壳、雾化喷淋机构、点射喷淋机构、直射喷淋机构和晶圆承载平台组件，所述安装板上设有所述外壳，所述外壳的内部为清洗腔，所述清洗腔中设有所述晶圆承载平台组件，所述安装板上位于所述外壳的外周设有所述雾化喷淋机构、所述点射喷淋机构和所述直射喷淋机构。可控制直喷，也可以产生微幅摆动，也可以对晶体的外缘进行点射喷淋，还可以对晶体进行雾化喷淋，使得反应更均匀，使用更方便。
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公开(公告)号：CN115083969A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210795981.8
申请日：2022-07-07
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种具有氮气吹送的晶圆清洗系统以及晶圆清洗方法，其中，具有氮气吹送的晶圆清洗系统包括：清洗腔、清洗台、移动臂和双流体喷淋组件，清洗腔内设置有清洗台，清洗台上可操作地放置有晶圆片，移动臂设置于清洗腔的外侧，移动臂上安装有双流体喷淋组件，移动臂用于带动双流体喷淋组件移动至晶圆片的正上方。通过对本发明的应用，实现了在对晶圆表面进行清洗的过程中，通过液体喷头和氮气喷头的同时工作并使得氮气喷头的输出端围绕液体喷头的输出端进行运动，形成以近似螺旋状的双流体对晶圆表面进行清洗，并使得相应清洗液或纯净水更为高效地于晶圆的表面均匀扩散，进而保障了晶圆的清洗质量，减少了晶圆表面液斑的产生。
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公开(公告)号：CN115172215A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210794981.6
申请日：2022-07-07
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗系统及其工作方法，其中，晶圆清洗系统包括：清洗腔；晶圆承载平台，晶圆承载平台设置于清洗腔内；液膜生成喷淋装置；功能水供应装置，功能水供应装置的输出端与液膜生成喷淋装置的输入端连接，功能水供应装置用于供应一混合有功能性气体的液体；清洗喷淋装置，清洗喷淋装置用于喷淋一清洗液。通过对本发明的应用，通过液膜生成喷淋装置晶圆片在进行主要的清洗作业前先喷淋功能水供应系统中混合有功能性气体的液体，从而在带走部分污染物的同时，使得晶圆表面形成有一易于化学清洗液披覆的湿润界面，进而提高了后续清洗喷淋装置喷淋处的化学清洗液对晶圆片表面的清洗效果，进一步地提高了晶圆的清洗质量。
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公开(公告)号：CN115101449A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210790596.4
申请日：2022-07-06
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种用于晶圆表面清洗的装置，包括装置壳体，装置壳体底部为基座；基座上设置有旋转机构，旋转机构用于放置晶圆片，并带动晶圆片旋转；装置壳体顶部设有清洗机构，清洗机构包括升降板、带动升降板在晶圆片上方上下运动的动力机构以及多条喷淋管路；升降板的截面为圆形；升降板上设置有若干喷头，喷头朝向基座，用于向晶圆片的表面喷淋清洗介质；若干喷头沿升降板的中心呈多圈环形分布；每条喷淋管路与至少一个喷头连接，喷淋管路用于输送不同的清洗介质。本发明的装置能够快速切换清洗介质，节省操作时间，提高清洗效率；并且设置的回收组件具有一定的温度，溅射的清洗液能沿回收组件内壁快速滑落，防止回溅，能够提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN218642871U
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202221739972.9
申请日：2022-07-07
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 合肥至微微电子有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本实用新型提供了一种化学品可回收单片式晶圆酸洗装置，包括基台、挡盖和隔离盖；其中，基台设有一圈第一分隔板和一圈第二分隔板，第二分隔板位于第一分隔板内侧，基台的中心设有支撑台，第一分隔板和第二分隔板围出第一收集腔，支撑台与第二分隔板围出第二收集腔；隔离盖位于基台和挡盖围成的清洗腔内，隔离盖的下表面设有凹槽，套设在第二分隔板的上端；第二挡板内腔中设有两个及以上升降组件，升降组件的升降杆的上端与隔离盖接触。本实用新型中提供的化学品可回收单片式晶圆酸洗装置，通过隔离盖的升降引导酸溶剂进入不同的收集腔，通过对结构的空间划分实现对清洗液的分类收集。
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公开(公告)号：CN116313882A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211096522.7
申请日：2022-09-08
申请人： 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 , 至微半导体(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及到一种可提升晶圆干燥效能的液体张力控制方法，包括：第一步，晶圆盒连接摆荡机构放入干燥槽体内，晶圆盒装载晶圆片，干燥槽体与上盖圆顶合并保持密合度，微量气体抽空；第二步，自上盖圆顶注入常温氮气，在干燥槽体内注入超纯水进行晶圆的表面润湿；第三步，晶圆片表面浸润完成，进行如下操作：S1：利用专用的集成模组向干燥槽体内注入异丙醇和加热氮气混合物，同时将超纯水从干燥槽体底部控速排放；S2：超纯水排放过程中操作摆荡机构携带晶圆片形成行星式摆荡，使晶圆片上的水分子加快脱离；第四步，重复完成晶圆干燥。本发明通过行星式弧形摆荡干燥技术使晶圆表面的残余水分加速带离，通过有效控制液体张力实现晶圆快速干燥。
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公开(公告)号：CN117712019A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311856104.8
申请日：2023-12-29
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 上海至纯洁净系统科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , B08B13/00
摘要： 本发明公开了一种用于晶圆清洗的卡盘和晶圆在卡盘上的支撑方法，该卡盘包括卡盘主体；卡盘主体的顶部设有圆形台面，圆形台面的外径略小于晶圆的外径，圆形台面的中央同心设置有圆形凹陷区；卡盘主体内设有保护气道和悬浮气道，圆形台面上间隔环设有若干仅与悬浮气道相连通的悬浮气体喷射孔，圆形台面的外边缘环设有仅与保护气道相连通的保护气体喷射缝，保护气道与悬浮气道不连通；圆形凹陷区的中央开设有若干仅与悬浮气道相连通的支撑气体喷射孔。本发明通过保护气道和悬浮气道不相互连通，实现卡盘悬浮功能与防污染功能的独立控制；通过设置圆形凹陷区防止晶圆因变形接触圆形台面，进而保护晶圆的下表面。
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公开(公告)号：CN117680420A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311856109.0
申请日：2023-12-29
申请人： 至微半导体(上海)有限公司 , 上海至纯洁净系统科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，包括：在晶圆旋转过程中，向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，形成持续的液膜，使污染物质从所述晶圆的表面脱附至液膜中；向所述晶圆的表面连续滴落由第二清洗液形成的液滴，通过所述液滴的持续冲击使液膜内部的污染物质被扬起，并随液膜的流动脱离所述晶圆，所述液滴的直径为14‑30微米。本发明在清洗时，向晶圆的表面连续滴落由第二清洗液形成的直径14‑30微米的液滴，通过液滴的冲击使液膜内部的污染物质、尤其是位于液膜底层的小直径污染物质扬起，从而随液膜的流动脱离晶圆，避免现有技术中通过大量高压氮气喷出清洗液的方式造成对晶圆表面微图形的伤害，适用于14nm及以下晶圆的清洗应用。
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