公开(公告)号：CN115053321B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202180012915.2

申请日：2021-02-08

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 卡森·任 ,  舒·佐藤 ,  吉尼斯·博纳克斯 ,  威廉·宾茨

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

Abstract: 一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。

公开(公告)号：CN115053321A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180012915.2

申请日：2021-02-08

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 卡森·任 ,  舒·佐藤 ,  吉尼斯·博纳克斯 ,  威廉·宾茨

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

Abstract: 一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。