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公开(公告)号：CN118661240A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380019268.7
申请日：2023-01-30
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 尼尔·巴森 , 约书亚·阿比沙斯 , 大卫·斯波德莱 , 尼尔·科尔文 , 约瑟夫·瓦林斯基 , 迈克尔·克里斯托福罗 , 弗拉迪米尔·罗曼诺夫 , 普拉蒂帕·考瑞坎·苏布拉赫姆尼亚
IPC: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J37/317
Abstract: 离子源110具有限定电弧室容积140的电弧室116。储液器144耦合到电弧室，从而限定储液器容积146。储液器容纳源种类以限定储液器容积内的液体114。导管154将储液器容积流体地耦合到电弧室容积。可选地，该导管的第一和第二开口156，158通向相应的储液器和电弧室容积。可选地，热源152选择性地加热储液器以在预定温度下熔化源种类。液体控制装置160控制储液器容积内的液体的第一容积以限定向电弧室容积的液体的预定供应量。可选地，液体控制装置是加压气体源174，该加压气体源流体地耦合到储液器以向储液器供应气体并向电弧室提供预定量的液体。
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公开(公告)号：CN111263971B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880034266.4
申请日：2018-06-04
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , C23C14/48
Abstract: 本发明提供一种离子注入系统，其离子源配置成由碘化铝形成离子束。束线总成选择性将离子束输送到终端站，该终端站配置成接受离子束以将铝离子注入到工件中。电弧腔室由碘化铝形成等离子体，其中来自电源部的电弧电流配置成从碘化铝中离解出铝离子。一个或多个引出电极从电弧腔室中引出离子束。共伴氢气源进一步引入共伴氢气以使残余碘化铝与碘化物发生反应，其中从所述系统中排空反应后的残余碘化铝和碘化物。
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公开(公告)号：CN119948592A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380057785.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 提供了一种离子注入系统、离子源和方法，用于形成从含铝物种到离子源的铝离子束。将卤化物物种和卤化物分子中的一个或多个引入至离子源，其中卤化物物种选自原子氯、原子溴和原子碘，卤化物分子包括选自氯、溴和碘的卤化物。卤化物物种和卤化物分子中的一个或多个清洁离子源的一个或多个组件，并进一步与含铝物种反应以产生卤化铝蒸气。铝离子束进一步从至少卤化铝蒸气形成。
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公开(公告)号：CN113939891A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080040144.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Abstract: 离子源组件和方法具有源气体供应器以向离子源腔室提供分子碳源气体。源气体流量控制器控制分子碳源气体至离子源腔室的流量。激发源激发分子碳源气体以形成碳离子和自由基。提取电极从离子源腔室中提取碳离子，形成离子束。氧化共伴气体供应器向腔室提供氧化共伴气体。氧化共伴气体流量控制器控制氧化共伴气体至腔室的流量。氧化共伴气体分解并与含碳残留物和原子碳反应，从而在离子源腔室内形成一氧化碳和二氧化碳。真空泵系统去除一氧化碳和二氧化碳，其中减少了原子碳在离子源腔室内的沉积并且增加了离子源的寿命。
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公开(公告)号：CN111263971A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880034266.4
申请日：2018-06-04
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , C23C14/48
Abstract: 本发明提供一种离子注入系统，其离子源配置成由碘化铝形成离子束。束线总成选择性将离子束输送到终端站，该终端站配置成接受离子束以将铝离子注入到工件中。电弧腔室由碘化铝形成等离子体，其中来自电源部的电弧电流配置成从碘化铝中离解出铝离子。一个或多个引出电极从电弧腔室中引出离子束。共伴氢气源进一步引入共伴氢气以使残余碘化铝与碘化物发生反应，其中从所述系统中排空反应后的残余碘化铝和碘化物。
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公开(公告)号：CN118946950A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030891.2
申请日：2023-03-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 离子注入系统具有质量分析磁体，该质量分析磁体具有内部和外部区域，并限定第一入口、第二入口和出口。第一离子源限定沿第一射束路径导向第一入口的第一离子束。第二离子源限定沿第二射束路径导向第二入口的第二离子束。磁体电流源向质量分析磁体供应磁体电流。磁体控制电路基于第一或第二离子束的形成控制磁体电流的极性。质量分析磁体分别对第一或第二离子束进行质量分析，以沿经质量分析的射束路径限定经质量分析的离子束。内部或外部区域中的至少一个屏蔽件防止第一和第二离子源之间的视线。束线部件修改经质量分析的离子束。
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公开(公告)号：CN118215979A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280069517.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Abstract: 一种离子源具有电弧室，所述电弧室具有一个或多个辐射产生特征、包围内部容积的电弧室主体以及限定在其中的至少一个气体入口孔。气体源通过气体入口孔提供诸如源种类气体或卤化物的气体。源种类气体可以是铝基离子源材料，例如二甲基氯化铝。靠近气体入口孔定位的一个或多个屏蔽件提供气体入口孔和内部容积之间的流体连通，最小化从一个或多个辐射产生特征到气体入口孔的视线，并且基本上防止热辐射从一个或多个辐射产生特征到达气体入口孔。
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