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公开(公告)号：CN109983151B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201780072376.5
申请日：2017-11-16
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: C23C14/48 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及用于碳离子注入的方法和系统，包括在离子源腔室(300)中利用磷化氢作为氧化碳气体的共伴气体。在一种或多种实施方案中，使用磷化氢共伴气体的碳注入与镧钨合金离子源组件组合，这会有利地尽量减少阴极(306)和阴极护罩(316)以及离子源腔室内其他组件的氧化。
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公开(公告)号：CN111542909A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201980007028.9
申请日：2019-01-22
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明提供一种用于离子注入系统的终端，其中该终端具有用于支撑离子源(108)的终端壳体(154)，该离子源配置成形成离子束。该终端壳体内的气体箱(146)具有氢气发生器(144)，该氢气发生器配置成产生用于离子源的氢气。气体箱与终端壳体电隔离并进一步电耦合到离子源。离子源和气体箱通过多个电绝缘体与终端壳体电隔离。多个绝缘支座(156)使终端壳体与大地电隔离。终端电源使终端壳体相对于大地电偏置到终端电势。离子源电源使离子源相对于终端电势电偏置到离子源电势。导电管(148)使气体箱与离子源电耦合。
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公开(公告)号：CN118215979A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280069517.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Abstract: 一种离子源具有电弧室，所述电弧室具有一个或多个辐射产生特征、包围内部容积的电弧室主体以及限定在其中的至少一个气体入口孔。气体源通过气体入口孔提供诸如源种类气体或卤化物的气体。源种类气体可以是铝基离子源材料，例如二甲基氯化铝。靠近气体入口孔定位的一个或多个屏蔽件提供气体入口孔和内部容积之间的流体连通，最小化从一个或多个辐射产生特征到气体入口孔的视线，并且基本上防止热辐射从一个或多个辐射产生特征到达气体入口孔。
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公开(公告)号：CN116325062A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180068072.8
申请日：2021-09-08
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 提供了离子注入系统101、离子源108和方法，其中离子源配置为电离铝基离子源材料113、112并形成离子束112和包括非导电材料的副产物。蚀刻剂气体混合物具有预确定含量的氟和与离子源流体连通的稀有气体。预确定含量的氟与预确定的健康安全水平相关联，所述健康安全水平例如为氟的最大含量的约20％。蚀刻剂气体混合物可以具有含量低于约5％的氩气的共伴气。铝基离子源材料可以是陶瓷构件，例如推斥极轴、屏蔽件或所述离子源内的其他部件。
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公开(公告)号：CN110023533B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201780072343.0
申请日：2017-11-16
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: C23C14/48 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及用于碳离子注入的方法和系统，其包括利用三氟化磷(PF3)作为氧化碳气体的共伴气体，在某些实施方案中，这与镧钨合金离子源组件组合有利地尽量减少阴极(306)和阴极护罩(316)的氧化。此外，观察到电弧腔室(300)内部组件上可接受水平的积碳以及显著减少卤素循环，即减少形成WFx。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113632197A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080021940.2
申请日：2020-03-19
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Abstract: 离子源配置成形成离子束并且具有电弧室，电弧室围封电弧室环境。储集器装置可以配置为推斥极并且向电弧室环境提供液态金属。偏置电源相对于电弧室对储集器装置进行电偏置，以使液态金属在电弧室环境中蒸发形成等离子体。储集器装置具有杯体和封盖，杯体和封盖限定用于液态金属的储集器环境，储集器环境通过封盖中的孔与电弧室环境流体联接。部件从杯体延伸到储集器中并接触液态金属，以通过毛细作用将液态金属朝向电弧室环境馈送。结构、表面积、粗糙度和材料改变毛细作用。该部件可以是延伸到液态金属中的环形圈、杆或管。
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公开(公告)号：CN105474349A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480025170.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/304
Abstract: 本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。
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公开(公告)号：CN112106167B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980030883.1
申请日：2019-05-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 用于离子注入系统的终端系统(102)具有离子源(108)，该离子源具有壳体和包括一个或多个孔板的提取电极组件。气体箱(152)电耦接至离子源。气体源(148)在气体箱内，以与离子源组件基本相同的电位提供气体。排气导管(154、172、174)将气体引入到位于离子源的壳体的内部和至少一个孔板的上游的区域。排气导管具有一个或多个贯穿离子源组件的主体延伸的馈通件，例如位于离子源的安装凸缘中的孔。安装凸缘可以是具有通道的管状部。排气导管可以进一步具有限定为气体分配环(174)的气体分配设备(172)。气体分配环通常可以环绕安装凸缘的管状部。
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公开(公告)号：CN116368596A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180069395.9
申请日：2021-11-01
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 提供了具有气态铝基离子源材料的离子注入系统、离子源和方法。气态铝基离子源材料可以是或包括二甲基氯化铝(DMAC)，其中DMAC是在室温下转变为气相的液体。离子源接收并电离气态铝基离子源材料以形成离子束。低压气瓶通过主气体管路将DMAC作为气体提供到离子源的电弧腔。分开的次气体管路将共伴气体(例如含氟分子)提供到离子源，其中共伴气体和DMAC降低了高能碳交叉污染和/或增加了双电荷铝。
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公开(公告)号：CN115803842A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180049630.6
申请日：2021-07-12
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明提供一种离子注入系统，其包括三氯化铝源材料。离子源配置为离子化所述三氯化铝源材料并形成离子束。三氯化铝源材料的离子化进一步形成包含含氯的非导电材料的副产物。引氢装置配置为将含氢的还原剂引入所述离子源。所述还原剂配置为改变所述非导电材料的化学性质，以产生挥发性气体副产物。束线总成配置为选择性地输送所述离子束，以及终端站配置为接受所述离子束以将离子注入到工件中。
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