-
公开(公告)号：CN1250551A
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN98803285.6
申请日：1998-03-06
申请人： 艾利森电话股份有限公司
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2231 , H01S5/2275
摘要： 在包括台结构(11)的半导体激光器中;为了减小靠近激活发射层(15)的台壁处的电流,通过在台结构内设置一带有宽度小于台结构(11)的、处于台结构(11)中央的缝隙(14)的电流阻挡层(13),使台结构(11)中的侧向电流分布受到控制。
-
公开(公告)号：CN1223021A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN97194140.8
申请日：1997-02-25
申请人： 艾利森电话股份有限公司
IPC分类号： H01S3/19
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18308 , H01S5/2205 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S2301/173
摘要： 一个外延生长半导体异质结构有一个基本上被限制区域(9)侧面限制的内部区域,还有被增强的横向限制层(3,7)增强地横向限制。后一类层通过在下部增强的横向限制层(3)的上面停止产生侧面限制的蚀刻,并在制造侧面限制区域(9)之后生长这样一个上部层(7)而不在处理过程中暴露在生长腔的外部。该结构计划来使内部区域作为有源激光区域,比如用于Inp基的1.3μm波长激光器。然后,同时发生的侧面限制、增强的横向限制和暴露保护,同时使得能有低门限电流、小的温度敏感性和可靠的、长时间的操作。增强的横向限制层(3,7)可能包括在处理过程中铝的氧化保护。这样的激光器将防止可靠性下降。
-
公开(公告)号：CN1090831C
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN98803285.6
申请日：1998-03-06
申请人： 艾利森电话股份有限公司
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2231 , H01S5/2275
摘要： 在包括台结构(11)的半导体激光器中，为了减小靠近激活发射层(15)的台壁处的电流，通过在台结构内设置一带有宽度小于台结构(11)的、处于台结构(11)中央的缝隙(14)的电流阻挡层(13)，使台结构(11)中的侧向电流分布受到控制。
-
公开(公告)号：CN1181600C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN97194140.8
申请日：1997-02-25
申请人： 艾利森电话股份有限公司
IPC分类号： H01S3/19
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18308 , H01S5/2205 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S2301/173
摘要： 一个外延生长半导体异质结构有一个基本上被限制区域(9)侧面限制的内部区域，还有被增强的横向限制层(3，7)增强地横向限制。后一类层通过在下部增强的横向限制层(3)的上面停止产生侧面限制的蚀刻，并在制造侧面限制区域(9)之后生长这样一个上部层(7)而不在处理过程中暴露在生长腔的外部。该结构计划来使内部区域作为有源激光区域，比如用于InP基的1.3μm波长激光器。然后，同时发生的侧面限制、增强的横向限制和暴露保护，同时使得能有低门限电流、小的温度敏感性和可靠的、长时间的操作。增强的横向限制层(3，7)可能包括在处理过程中铝的氧化保护。这样的激光器将防止可靠性下降。
-
公开(公告)号：CN1261985A
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN98806913.X
申请日：1998-07-03
申请人： 艾利森电话股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/15 , H01L29/201 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/32391
摘要： 在BH－类型的半导体激光器中,包括由n－p－n－p或者n－SI－n－p序列膜层(5,9,11,3)构成的侧面电流阻挡结构,位于掩埋有源区的两侧。在第二n型掺杂膜层和第二p型掺杂膜层之间加入一个或多个薄膜层(13,15)。薄附加膜层(13,15)是p型掺杂的,并由高带隙和低带隙材料交替构成。这些薄膜层在中等至大电流强度下提供较大的正向电压降,从而很好地限制激光器中的电流,因而产生较高光输出功率,而且输出功率/电流特性偏离线性度的程度较小。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.045 秒)
