公开(公告)号：CN118510935A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280087647.5

申请日：2022-11-14

Applicant: 芝浦机械株式会社

Inventor： 末木凜太郎 ,  深田和宏 ,  难波武志

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/503

Abstract: 表面处理装置(10)是在腔室(20)内对被处理件(W)的表面进行成膜的装置，具备：与被处理件(W)对置地配置，对被处理件(W)进行反应用气体的供给的HCD电极(210)(电极)或进行靶极粒子的放出的溅射电极(220)(电极)；气体供给配管(90)，沿着电极的外周设置，对电极的电极面供给成膜用气体或者用来进行溅镀的惰性气体或反应性气体，沿着配管的长度方向具有多个气体喷出口(91)；以及排气装置(51)(气体排出部)，将结束成膜后的残留气体排出；多个气体喷出口(91)被配置为，使从气体供给配管(90)供给的气体在电极的电极面上均匀地分布。

公开(公告)号：CN117940604A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061873.6

申请日：2022-09-08

Applicant: 芝浦机械株式会社

Inventor： 小久保光典 ,  福山聪 ,  深田和宏 ,  末木凜太郎 ,  栗原义明 ,  难波武志

IPC: C23C16/458 ,  B01J19/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C16/42 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明涉及表面处理装置以及表面处理方法。表面处理装置(10)具备：收纳至少一个被处理材(W)的腔室(20)(收纳单元)；被处理材载放部(32a、32b)(载放机构)，将被处理材(W)载放为，与沿着水平方向延伸的旋转轴(31a、31b)的外周面的法线方向大致正交且朝向外侧；马达(36a、36b)(第一旋转机构)，使被处理材载放部(32a、32b)在收纳于腔室(20)的状态下围绕旋转轴(31a、31b)旋转；等离子处理装置(21)(表面处理机构)，在腔室(20)的内侧，与旋转轴(31a、31b)平行地延伸设置，通过向被处理材(W)的表面供给气体来进行表面处理；以及泵单元(140)(排气机构)，设置在腔室(20)的内侧的与等离子处理装置(21)所设置的位置不同的位置，进行腔室(20)内的压力的调整以及气体的排气。