公开(公告)号：CN107250741B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201580077176.X

申请日：2015-12-18

申请人： 芬兰国家技术研究中心股份公司

发明人： A.瓦普拉 ,  C.霍姆伦德 ,  A.里斯桑恩

IPC分类号： G01J3/26 ,  G02B26/00 ,  G02B5/28 ,  G02B5/08 ,  B81B7/00

CPC分类号： G01J3/26 ,  B81B7/00 ,  G01J3/0286 ,  G01J3/0297 ,  G02B5/0825 ,  G02B26/001 ,  G02B27/142

摘要： 一种用于法布里‑珀罗干涉计(300)的镜板(100)包括：‑基底(50)，其包括硅(Si)，‑在基底(50)上实施的半透明反射涂层(110)，‑在基底(50)上形成的去耦结构(DC1)，‑在去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a)，以及‑第二传感器电极(G1b)，其中去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a)，以及第一稳定电极(G0a)，其位于第一传感器电极(G1a)与基底(50)之间。

公开(公告)号：CN107250741A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201580077176.X

申请日：2015-12-18

申请人： 芬兰国家技术研究中心股份公司

发明人： A.瓦普拉 ,  C.霍姆伦德 ,  A.里斯桑恩

IPC分类号： G01J3/26 ,  G02B26/00 ,  G02B5/28 ,  G02B5/08 ,  B81B7/00

CPC分类号： G01J3/26 ,  B81B7/00 ,  G01J3/0286 ,  G01J3/0297 ,  G02B5/0825 ,  G02B26/001 ,  G02B27/142

摘要： 一种用于法布里‑珀罗干涉计(300)的镜板(100)包括：‑基底(50)，其包括硅(Si)，‑在基底(50)上实施的半透明反射涂层(110)，‑在基底(50)上形成的去耦结构(DC1)，‑在去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a)，以及‑第二传感器电极(G1b)，其中去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a)，以及第一稳定电极(G0a)，其位于第一传感器电极(G1a)与基底(50)之间。