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公开(公告)号：CN107250741A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580077176.X
申请日：2015-12-18
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC classification number: G01J3/26 , B81B7/00 , G01J3/0286 , G01J3/0297 , G02B5/0825 , G02B26/001 , G02B27/142
Abstract: 一种用于法布里‑珀罗干涉计(300)的镜板(100)包括：‑基底(50)，其包括硅(Si)，‑在基底(50)上实施的半透明反射涂层(110)，‑在基底(50)上形成的去耦结构(DC1)，‑在去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a)，以及‑第二传感器电极(G1b)，其中去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a)，以及第一稳定电极(G0a)，其位于第一传感器电极(G1a)与基底(50)之间。
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公开(公告)号：CN107430032B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201680014528.1
申请日：2016-03-08
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Abstract: 一种用来制造用于法布里‑珀罗干涉仪（300）的镜板（100）的方法，包括：‑提供包括硅（Si）的基板（50），‑在基板（50）上实现半透明反射涂层（110），‑通过在基板（50）中蚀刻多个空隙（E1）并且通过钝化空隙（E1）的表面来在基板（50）中和/或在基板（50）上形成钝化区域（70a），‑在钝化区域（70a）的顶部上形成第一传感器电极（G1a），以及‑形成由基板（50）支撑的第二传感器电极（G1b）。
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公开(公告)号：CN107250741B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201580077176.X
申请日：2015-12-18
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC classification number: G01J3/26 , B81B7/00 , G01J3/0286 , G01J3/0297 , G02B5/0825 , G02B26/001 , G02B27/142
Abstract: 一种用于法布里‑珀罗干涉计(300)的镜板(100)包括：‑基底(50)，其包括硅(Si)，‑在基底(50)上实施的半透明反射涂层(110)，‑在基底(50)上形成的去耦结构(DC1)，‑在去耦结构(DC1)之上形成的第一传感器电极(G1a)，以及‑第二传感器电极(G1b)，其中去耦结构(DC1)包括电绝缘层(60a)，以及第一稳定电极(G0a)，其位于第一传感器电极(G1a)与基底(50)之间。
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公开(公告)号：CN107430032A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014528.1
申请日：2016-03-08
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC classification number: G01J3/26 , B81B7/00 , G01B9/02 , G01B9/02018 , G01B2290/25 , G01J1/0414 , G01J3/45 , G01J2003/2879 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/28 , G02B26/0841 , H01L21/02019 , H01L21/2003
Abstract: 一种用来制造用于法布里-珀罗干涉仪（300）的镜板（100）的方法，包括：-提供包括硅（Si）的基板（50），-在基板（50）上实现半透明反射涂层（110），-通过在基板（50）中蚀刻多个空隙（E1）并且通过钝化空隙（E1）的表面来在基板（50）中和/或在基板（50）上形成钝化区域（70a），-在钝化区域（70a）的顶部上形成第一传感器电极（G1a），以及-形成由基板（50）支撑的第二传感器电极（G1b）。
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