公开(公告)号：CN119170507A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411649973.8

申请日：2024-11-19

Applicant: 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

Inventor： 马跃 ,  谢志平 ,  夏忠明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有外延层，外延层中形成有源极注入区，源极注入区两侧形成有栅电极层；形成覆盖外延层和栅电极层的层间介电层；刻蚀层间介电层，以形成露出源极注入区的源极接触孔和露出栅电极层的栅极接触孔；对源极接触孔露出的外延层进行离子注入，以使外延层的上表面改性；形成覆盖源极接触孔和栅极接触孔的底部和侧壁的金属层；对金属层进行退火，以在源极接触孔的底部形成源极欧姆接触层，并在栅极接触孔的底部形成栅极欧姆接触层。该方案能够缩短成产周期，降低生产成本。

公开(公告)号：CN118748209A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410941110.1

申请日：2024-07-15

Applicant: 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

Inventor： 马跃 ,  李玮霖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管及其制备方法，包括：提供包括依次层叠的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的半导体材料层；在第三半导体层中形成体区；对第二半导体层的部分区域进行反型掺杂，以形成电流通过区，第二半导体层中未被反型掺杂的部分形成电场屏蔽区；形成从第三半导体层的上表面延伸至半导体材料层的内部的第一沟槽；从第一沟槽进行离子注入，形成第一电场屏蔽结构，第一电场屏蔽结构与第二半导体层的电场屏蔽区相接触；形成从第三半导体层的上表面延伸至第三半导体层的内部的第二沟槽，第二沟槽为栅极沟槽且与第一沟槽相交；第二沟槽的侧壁包括沿延伸方向排布的第一部分和第二部分；第一部分与第一电场屏蔽结构邻接；第二部分与体区邻接；在垂直于第三半导体层的上表面的方向上，电流通过区的投影与第二沟槽的投影相交。如此，可以提升器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118098976A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410239851.5

申请日：2024-03-04

Applicant: 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

Inventor： 张国鑫 ,  马跃 ,  何云

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/311

Abstract: 本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有金属层，金属层包括第一尖角；形成钝化材料层，钝化材料层覆盖金属层并且在对应于第一尖角的部分包括第二尖角；形成光刻胶层，光刻胶层覆盖钝化材料层，光刻胶层的对应于第二尖角的部分的厚度小于光刻胶层的其他部分的厚度；执行刻蚀工艺，光刻胶层的对应于第二尖角的部分相比于光刻胶层的其他部分先被刻蚀去除，第二尖角失去光刻胶层的保护后发生材料损失，使得钝化材料层形成为第一钝化层，第一钝化层的对应于第一尖角的部分的厚度小于第一钝化层的其他部分的厚度。由此，减小第一钝化层与金属层之间的应力，避免第一钝化层开裂，提高器件寿命。