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    TE模介质谐振器装置
    1.
    发明授权
    TE模介质谐振器装置 有权

    公开(公告)号：CN105576330B

    公开(公告)日：2018-03-13

    申请号：CN201610087287.5

    申请日：2016-02-16

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 崔立成 ,  张少林

    IPC分类号： H01P1/207 ,  H01P7/10

    摘要： 本发明提供了一种TE模介质谐振器装置，腔体底部设有限位槽，TE01模介质谐振杆表面和底面分别开设有卡槽，卡槽上分别卡装上支撑座和下支撑座，下支撑座卡装在限位槽内，上支撑座的顶部与腔体顶部水平共线设置，盖板包括内盖板和外盖板，外盖板通过连接件安装在内盖板上，内盖板四周设有凹槽，外盖板上设有多个条形槽；采用上、下两个支撑座支撑，使TE01模介质谐振器受力均匀，解决了传统TE01模介质谐振器在侧装、反装时长期受力的弊端，通过上、下两个支撑座支撑，能将TE01模介质谐振杆产生的热量有效传递到腔体和盖板，有利于腔体的散热；改进盖板设计，解决了由于加工公差导致的腔体与TE01模介质接触不良的问题。

    TE模介质谐振器装置
    2.
    发明公开
    TE模介质谐振器装置 有权

    公开(公告)号：CN105576330A

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201610087287.5

    申请日：2016-02-16

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 崔立成 ,  张少林

    IPC分类号： H01P1/207 ,  H01P7/10

    CPC分类号： H01P1/207 ,  H01P7/10

    摘要： 本发明提供了一种TE模介质谐振器装置，腔体底部设有限位槽，TE01模介质谐振杆表面和底面分别开设有卡槽，卡槽上分别卡装上支撑座和下支撑座，下支撑座卡装在限位槽内，上支撑座的顶部与腔体顶部水平共线设置，盖板包括内盖板和外盖板，外盖板通过连接件安装在内盖板上，内盖板四周设有凹槽，外盖板上设有多个条形槽；采用上、下两个支撑座支撑，使TE01模介质谐振器受力均匀，解决了传统TE01模介质谐振器在侧装、反装时长期受力的弊端，通过上、下两个支撑座支撑，能将TE01模介质谐振杆产生的热量有效传递到腔体和盖板，有利于腔体的散热；改进盖板设计，解决了由于加工公差导致的腔体与TE01模介质接触不良的问题。

    一种微波介质陶瓷及其制备方法
    3.
    发明授权
    一种微波介质陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105884351B

    公开(公告)日：2018-05-18

    申请号：CN201610226990.X

    申请日：2016-04-13

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 张少林 ,  崔立成 ,  周志鹏

    IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明提供了一种微波介质陶瓷及其制备方法。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学表达式为Zr0.6Sn0.1(Co1/3Nb2/3)0.3TiO4。经实验表明，本发明提供的微波介质陶瓷材料具有良好的微波介电性能：介电常数εr＝40～42，且在此范围内可调节；品质因数Q*f＝50000GHz～62000GHz；频率温度系数τf＝+3.6～+12.3×10‑6/℃范围内可调节，温度特性稳定。本发明提供的微波介质陶瓷制备方法烧结温度较低，节约了能源成本，符合低碳环保理念。同时制备工艺简单，无需特殊设备和苛刻工艺条件，适合工业化生产。

    一种微波介质陶瓷及其制备方法
    5.
    发明授权
    一种微波介质陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105669199B

    公开(公告)日：2018-09-07

    申请号：CN201610227052.1

    申请日：2016-04-13

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 张少林 ,  崔立成 ,  毛积闯

    IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/50 ,  C04B35/49

    摘要： 本发明提供了一种微波介质陶瓷及其制备方法。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学表达式为Zr0.8Sn0.2‑x(Mg1/3Nb2/3)xTiO4，其中0＜x≤0.2。经实验表明，本发明提供的微波介质陶瓷材料具有良好的微波介电性能：介电常数εr＝38～42，且在此范围内可调节；品质因数Q*f＝60000～70000GHz；频率温度系数τf＝‑2.5～+6.3×10‑6/℃范围内可调节，温度特性稳定。本发明提供的微波介质陶瓷制备方法烧结温度较低，节约了能源成本，符合低碳环保理念。同时制备工艺简单，无需特殊设备和苛刻工艺条件，适合工业化生产。

    一种微波介质陶瓷及其制备方法
    6.
    发明授权
    一种微波介质陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105859280B

    公开(公告)日：2018-05-18

    申请号：CN201610227051.7

    申请日：2016-04-13

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 张少林 ,  崔立成 ,  朱桂林 ,  张志鹏

    IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

    摘要： 本发明提供了一种微波介质陶瓷及其制备方法。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学表达式为Zr1‑x(Zn1/3Ta2‑y/3Vy/3)xTiO4，其中：0.2≤x≤0.5，0.5≤y≤1。经实验表明，本发明提供的微波介质陶瓷材料具有良好的微波介电性能：介电常数εr＝36～40，且在此范围内可调节；品质因数Q*f＝40000GHz～55000GHz；频率温度系数τf＝‑15.5～+8.5×10‑6/℃范围内可调节，温度特性稳定。本发明提供的微波介质陶瓷制备方法烧结温度较低，节约了能源成本，符合低碳环保理念。同时制备工艺简单，无需特殊设备和苛刻工艺条件，适合工业化生产。

    一种微波介质陶瓷及其制备方法
    7.
    发明授权
    一种微波介质陶瓷及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105777116B

    公开(公告)日：2018-05-18

    申请号：CN201610226988.2

    申请日：2016-04-13

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 张少林 ,  崔立成 ,  顾媛 ,  王淳

    IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/49 ,  C04B35/626

    摘要： 本发明提供了一种微波介质陶瓷及其制备方法。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学表达式为(1‑x)Zr0.5Sn0.5TiO4‑x(Ni1/3Ta2/3)TiO4，其中(0.1≤x≤0.3)。经实验表明，本发明提供的微波介质陶瓷材料具有良好的微波介电性能：介电常数εr＝40～44，且在此范围内可调节；品质因数Q*f＝45000GHz～60000GHz；频率温度系数τf＝‑8.5～+15.3×10‑6/℃范围内可调节，温度特性稳定。本发明提供的微波介质陶瓷制备方法烧结温度较低，节约了能源成本，符合低碳环保理念。同时制备工艺简单，无需特殊设备和苛刻工艺条件，适合工业化生产。

    TE模介质谐振器装置
    8.
    发明授权
    TE模介质谐振器装置 有权

    公开(公告)号：CN105552496B

    公开(公告)日：2018-01-12

    申请号：CN201610087286.0

    申请日：2016-02-16

    申请人： 苏州子波电子科技有限公司

    发明人： 崔立成 ,  张少林

    IPC分类号： H01P1/207 ,  H01P7/10

    摘要： 本发明提供了一种TE模介质谐振器装置，腔体底部设有限位槽，TE01模介质谐振杆表面和底面分别开设有卡槽，卡槽上分别卡装上支撑座和下支撑座，下支撑座卡装在限位槽内，上支撑座的顶部与腔体顶部水平共线设置，盖板包括内盖板和外盖板，外盖板底部设有凹槽，凹槽内装置有弹性体，外盖板通过连接件安装在内盖板上；采用上、下两个支撑座支撑，使TE01模介质谐振器受力均匀，解决了传统TE01模介质谐振器在侧装、反装时长期受力的弊端，通过上、下两个支撑座支撑，能将TE01模介质谐振杆产生的热量有效传递到腔体和盖板，有利于腔体的散热；改进盖板设计，解决了由于加工公差导致的腔体与TE01模介质接触不良的问题。