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公开(公告)号：CN114789987B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210716451.X
申请日：2022-06-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明提供了用于感测的封装结构及其制作方法，其中，用于感测的封装结构包括衬底、器件结构、以及具有环形开口部的顶盖体，旨在通过设置贯穿于器件结构、氧化层以及部分顶盖体的至少一个导电结构，以将所述顶盖体通过至少一个导电结构与位于所述衬底上的接地端子电连接，以解决由于SOI键合技术中的氧化层的存在所导致的氧化层的上下层电互联困难的问题，实现了将所述顶盖体与位于衬底上的接地端子电连接，从而显著提升了用于感测的封装结构产品的屏蔽性能以及提升了用于感测的封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN114966112A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210492743.X
申请日：2022-05-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , B81C1/00 , B81B7/02 , B81B3/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS电容式加速度计及其制备方法，所述MEMS电容式加速度计包括：衬底层；质量块层，设置在所述衬底层上方，所述质量块层包括固定区和可动区，所述可动区在运动时发生位移；背极板，与所述质量块层相对设置；其中，所述背极板包括与所述可动区相对设置的检测区，所述检测区与所述可动区形成电容结构，并根据所述可动区的位移输出不同的电容值以检测加速度，所述加速度包括纵向加速度、横向加速度和垂向加速度中的至少一种。本发明的加速度计不仅体积小，而且能够有效防止加速度计内部过度位移发生损坏。
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公开(公告)号：CN114994363B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210853100.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/08 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种MEMS惯性传感结构及其制作方法。本发明在感测质量块的两侧分别设置第一检测电极层和第二检测电极层，从而当可动质量块发生位移时，位于所述固定轴同一侧的所述第一检测电极层和所述第二检测电极层分别与所述感测质量块之间形成的电容容值的变化量的绝对值相同或位于所述固定轴不同侧的所述第一检测电极层和所述第二检测电极层分别与所述感测质量块形成的电容容值的变化量相同。另一方面，与所述第二检测电极层同层设置有对称的止挡结构，以保证感测质量块在运动过程中不会超过MEMS惯性传感结构的量程范围，并且止挡结构上具有多级止挡的凸起部，随着感测质量块的运动幅度增大，提供更大的反向力。
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公开(公告)号：CN114720721A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210265692.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种电容式加速度传感器，包括衬底、锚定部、质量块和扭转部。所述衬底设置止挡结构，所述质量块包括与所述止挡结构对应设置的限位结构，且所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变，使得所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动的过程中，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生的弹性形变起到缓冲作用，有效避免粘连失效。
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公开(公告)号：CN114720721B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210265692.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种电容式加速度传感器，包括衬底、锚定部、质量块和扭转部。所述衬底设置止挡结构，所述质量块包括与所述止挡结构对应设置的限位结构，且所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生弹性形变，使得所述质量块的任意一个端部朝向或远离所述衬底运动的过程中，所述限位结构与所述止挡结构相互作用后产生的弹性形变起到缓冲作用，有效避免粘连失效。
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公开(公告)号：CN114804012A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210486467.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器的封装方法，包括步骤：破坏MEMS晶圆中第一键合面的第一介质部和盖体晶圆中第二键合面的第二介质部中至少一个的Si‑O键；将所述第一键合面和所述第二键合面对准并贴合吸附在一起，使所述第一介质部与所述第二介质部通过悬挂键实现预键合，以得到预键合晶圆；对所述预键合晶圆进行热处理，以使所述第一介质部和所述第二介质部，以及所述第一键合面中的第一金属部和所述第二键合面中的第二金属部实现永久键合。本发明在保证MEMS结构密封性的同时，实现了键合面之间的电连接，而且简化工艺步骤，兼顾了高效率与高可靠性。本发明还提供了一种惯性传感器。
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公开(公告)号：CN114789987A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210716451.X
申请日：2022-06-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于感测的封装结构及其制作方法，其中，用于感测的封装结构包括衬底、器件结构、以及具有环形开口部的顶盖体，旨在通过设置贯穿于器件结构、氧化层以及部分顶盖体的至少一个导电结构，以将所述顶盖体通过至少一个导电结构与位于所述衬底上的接地端子电连接，以解决由于SOI键合技术中的氧化层的存在所导致的氧化层的上下层电互联困难的问题，实现了将所述顶盖体与位于衬底上的接地端子电连接，从而显著提升了用于感测的封装结构产品的屏蔽性能以及提升了用于感测的封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN114487483B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210405363.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本发明公开了一种MEMS三轴加速度计，包括可沿彼此垂直的三个方向运动的可动结构以及用于固定可动结构的中心锚点；可动结构包括第一质量块、第二质量块以及第三质量块，第二质量块通过第一弹性结构与第一质量块连接并且通过第二弹性结构与中心锚点连接，第三质量块通过弹性枢转结构与第一质量块连接；第一质量块能够沿第一方向进行直线运动，以完成第一方向上的加速度检测；第二质量块能够沿第二方向进行直线运动，以完成第二方向上的加速度检测；第三质量块能够在第三方向上转动，以完成第三方向上的加速度检测，本发明中的MEMS三轴加速度计每一个质量块的运动直线相互独立，从而能够在加速度检测时，互不干扰，并由此具有更高的检测精度。
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公开(公告)号：CN114659522A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210559332.8
申请日：2022-05-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种级联止挡装置、MEMS传感器，所述级联止挡装置，包括锚点、至少两个第一止挡单元和至少一个第二止挡单元，所述锚点与所述第一止挡单元接触，所述第一止挡单元与所述第二止挡单元依次间隔连接，所述第一止挡单元的数量比所述第二止挡单元的数量多一个；在垂直于所述级联止挡装置级联方向的平面上，所述第一止挡单元的投影轮廓位于所述锚点的投影轮廓内侧，所述第一止挡单元的投影轮廓位于所述第二止挡单元的投影轮廓内侧。本发明在MEMS传感器发生碰撞的时候能够起到缓冲保护的作用，避免粘连，提高传感器可靠性。
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公开(公告)号：CN115078769B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211002658.7
申请日：2022-08-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/18 , G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本申请公开了一种MEMS加速度计。所述MEMS加速度计包括第一检测单元以及第二检测单元；所述第一检测单元包括主质量块、第一加速度检测子单元以及第二加速度检测子单元，所述主质量块与所述第一加速度检测子单元形成第一检测电容，主质量块与第二加速度检测子单元形成第二检测电容；第二检测单元包括从质量块以及第三加速度检测子单元，从质量块与第三加速度检测子单元形成第三检测电容，其中，主质量块关于第二方向偏心设置，从质量块位于主质量块的质量相对小的一侧。本申请通过设置于第一镂空槽内的从质量块完成第三方向加速度的检测，有效解决了在不增加芯片总面积的情况下，保证三个相互垂直方向上的加速度的检测精度的问题。
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