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公开(公告)号：CN118624942B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411090946.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种三轴加速度计及电子设备，其中三轴加速度计包括加速度检测单元，加速度检测单元包括第一检测模块、第二检测模块和第三检测模块，第一检测模块包括第一质量块，第一质量块包括贯通自身厚度的镂空槽，第二检测模块和第三检测模块均位于镂空槽中。第一检测模块用于检测第一方向的加速度，第二检测模块用于检测第二方向的加速度，第三检测模块用于检测第三方向的加速度。第一方向、第二方向和第三方向相互相交且垂直。本申请显著减小了加速度计的整体尺寸和体积，且三个检测模块互不干扰，提高了三轴加速度计的检测精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN118500483B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410953978.3
申请日：2024-07-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器集成结构、芯片和制作方法，制作方法包括：提供衬底和电连接结构晶圆；在衬底刻蚀两个空腔；在衬底刻蚀空腔一侧制作绝缘层；在绝缘层一侧键合硅晶圆层；对硅晶圆层光刻出第一空腔和第二空腔；在硅晶圆层制作电连接层；对惯性敏感区域进行刻蚀形成惯性敏感结构，未被刻蚀的压力敏感区域形成压力敏感结构；对硅晶圆层的非惯性敏感结构区域或非压力敏感结构区域进行部分刻蚀，露出绝缘层；将电连接结构晶圆与电连接层进行粘接；对衬底和绝缘层进行刻蚀，露出压力敏感结构；将露出绝缘层部位的绝缘层和衬底刻蚀掉，得到传感器集成结构。本发明提供的技术方案能够解决现有技术中封装集成的传感器体积较大且成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN118619195A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411109804.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在衬底的一侧开设第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；在硅晶圆层远离衬底的一侧形成第四凹槽和第五凹槽；在硅晶圆层远离衬底的一侧制作电连接层；图形化刻蚀硅晶圆层以形成通气孔、第一惯性敏感结构和第二惯性敏感结构；将电连接晶圆与电连接层键合；在衬底上形成与第三凹槽相连通的调压孔；以密封调压孔。本申请通过开设与第三凹槽相连通的调压孔，能够使得开设过程中引入的颗粒物和杂质掉落于第三凹槽内，不会掉落于惯性敏感结构上，对惯性敏感结构的造成损坏。
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公开(公告)号：CN112333614A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011172477.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种麦克风芯片及其封装结构，以解决现有技术中基于空气传播原理的麦克风应用场景受限的问题。麦克风芯片包括振动采集单元、转换单元，以及位于振动采集单元和转换单元之间的第一腔体；其中，振动采集单元将采集到的由声音产生的颅骨振动转化为机械振动；第一腔体内的气体在机械振动的作用下被压缩；转换单元将气体的压缩信号转换为电信号以输出。
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公开(公告)号：CN112269034A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011311384.0
申请日：2020-11-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本申请提供了一种加速度传感器及电子设备，该加速度传感器包括：衬底；质量块，其中，质量块包括第一区域和第二区域，质量块与衬底可动连接，以使得在第一区域和第二区域围绕垂直于质量块所在平面的Z轴扭转时，加速度传感器检测X方向上的加速度，X方向位于平面内。本申请实施例提供的加速度传感器能够显著减小质量块的尺寸以及芯片面积，进而实现加速度传感器的小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118624942A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411090946.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种三轴加速度计及电子设备，其中三轴加速度计包括加速度检测单元，加速度检测单元包括第一检测模块、第二检测模块和第三检测模块，第一检测模块包括第一质量块，第一质量块包括贯通自身厚度的镂空槽，第二检测模块和第三检测模块均位于镂空槽中。第一检测模块用于检测第一方向的加速度，第二检测模块用于检测第二方向的加速度，第三检测模块用于检测第三方向的加速度。第一方向、第二方向和第三方向相互相交且垂直。本申请显著减小了加速度计的整体尺寸和体积，且三个检测模块互不干扰，提高了三轴加速度计的检测精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN118500483A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410953978.3
申请日：2024-07-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器集成结构、芯片和制作方法，制作方法包括：提供衬底和电连接结构晶圆；在衬底刻蚀两个空腔；在衬底刻蚀空腔一侧制作绝缘层；在绝缘层一侧键合硅晶圆层；对硅晶圆层光刻出第一空腔和第二空腔；在硅晶圆层制作电连接层；对惯性敏感区域进行刻蚀形成惯性敏感结构，未被刻蚀的压力敏感区域形成压力敏感结构；对硅晶圆层的非惯性敏感结构区域或非压力敏感结构区域进行部分刻蚀，露出绝缘层；将电连接结构晶圆与电连接层进行粘接；对衬底和绝缘层进行刻蚀，露出压力敏感结构；将露出绝缘层部位的绝缘层和衬底刻蚀掉，得到传感器集成结构。本发明提供的技术方案能够解决现有技术中封装集成的传感器体积较大且成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN110808277B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910919293.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/544 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供了一种ASIC晶圆结构及其制备方法，通过设置对位孔，解决了与掩膜板对位的问题。晶圆结构包括：硅衬底；多个电路模块，多个电路模块间隔排布于硅衬底的正面；其中，硅衬底上未被多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，至少一个对位孔从正面沿硅衬底的厚度方向延伸。
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公开(公告)号：CN110808277A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910919293.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/544 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供了一种ASIC晶圆结构及其制备方法，通过设置对位孔，解决了与掩膜板对位的问题。晶圆结构包括：硅衬底；多个电路模块，多个电路模块间隔排布于硅衬底的正面；其中，硅衬底上未被多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，至少一个对位孔从正面沿硅衬底的厚度方向延伸。
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公开(公告)号：CN118619195B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411109804.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在衬底的一侧开设第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；在硅晶圆层远离衬底的一侧形成第四凹槽和第五凹槽；在硅晶圆层远离衬底的一侧制作电连接层；图形化刻蚀硅晶圆层以形成通气孔、第一惯性敏感结构和第二惯性敏感结构；将电连接晶圆与电连接层键合；在衬底上形成与第三凹槽相连通的调压孔；以密封调压孔。本申请通过开设与第三凹槽相连通的调压孔，能够使得开设过程中引入的颗粒物和杂质掉落于第三凹槽内，不会掉落于惯性敏感结构上，对惯性敏感结构的造成损坏。
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