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公开(公告)号：CN113258899B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110536934.7
申请日：2021-05-18
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括提供衬底并在所述衬底上形成凹槽结构，该凹槽结构包括第一凹槽以及第二凹槽；在所述凹槽结构内形成用于对其填充的第一牺牲结构；在所述衬底上形成下电极，其中，所述下电极位于所述第一凹槽的上方，所述下电极位于所述第一凹槽之外的部分其至少部分底面边缘区域落入所述第二凹槽的开口范围内；在所述衬底上形成覆盖所述下电极的压电层、以及在所述压电层位于所述第一凹槽上方的位置形成上电极；去除所述第一牺牲结构。相应地，本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器。实施本发明可以有效提高薄膜体声波谐振器的品质因数、有效机电耦合系数以及抗静电放电能力。
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公开(公告)号：CN111446940B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010314204.8
申请日：2020-04-20
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
摘要： 一种堆栈式体声波谐振器及其制造方法，包括压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管，位于盖帽层中，驱动晶体管的漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层。本发明的堆栈式BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了多个空腔包围压电膜的立体谐振器，并利用再布线层将多个芯片接合在一起，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN115811296A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111068413.X
申请日：2021-09-13
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
摘要： 本公开提供了滤波器及其制造方法。根据本公开的滤波器包括：中心谐振器；以及围绕中心谐振器设置并且电连接到中心谐振器的至少一个环形谐振器，其中中心谐振器和至少一个环形谐振器均包括沿竖直方向依次设置的衬底、反射部件、下电极、压电层和上电极，并且其中上电极设置有用于减小与竖直方向垂直的水平方向上的机械波传播的微结构。根据本公开的滤波器及其制造方法，通过以嵌套的方式设置滤波器的多个谐振器，能够在不增加工艺复杂度的情况下提高滤波器的集成度并且减小滤波器的体积。此外，通过在滤波器的每个谐振器的上电极中设置微结构来减小横向机械波传播，能够少谐振能量的损失，从而提高声学谐振器的品质因数。
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公开(公告)号：CN114978084A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110193994.3
申请日：2021-02-20
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
IPC分类号： H03H7/01
摘要： 本发明涉及一种滤波器及其制备方法，所述滤波器包括中心谐振器以及嵌套所述中心谐振器的至少一个环形谐振器，所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间形成并联或串联的电连接关系。本发明将多个谐振器采用嵌套的方式进行设置，提高了集成度，减小了滤波器的体积。同时，保证中心谐振器以及各个环形谐振器相互之间存在间隔，可以减少横向波的传递，有利于提高Q值，即提高滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN113098417B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110341609.5
申请日：2021-03-30
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种滤波器的制备方法、滤波器。滤波器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括中心区和环绕所述中心区的边缘区；形成位于所述衬底中心区的至少两个薄膜谐振器单元；形成覆盖所述薄膜谐振器单元的空腔牺牲层；在所述空腔牺牲层远离所述衬底的表面生长形成封装层，所述封装层覆盖所述空腔牺牲层和所述衬底的边缘区；释放所述空腔牺牲层以形成空腔。本发明实施例能够节约滤波器生产时所需的材料，减少生产周期，节约成本。
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公开(公告)号：CN113659954A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110954797.9
申请日：2021-08-19
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备，包括：提供第一衬底，第一衬底的一侧具有谐振结构，谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的压电层；在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，第一导电件与第一电极电连接，第二导电件与第二电极电连接；提供封装基板，封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件；将第一衬底与封装基板贴合，并使第一导电件与第一连接端电连接，使第二导电件与第二连接端电连接，使第一封装件与第二封装件固定连接形成环状封装挡墙，从而不需要先采用第二衬底对第一衬底进行封装后，再与封装基板电连接，进而可以简化工艺流程，降低生产周期和成本。
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公开(公告)号：CN111510096B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010313604.7
申请日：2020-04-20
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
摘要： 一种BAW谐振器，包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；接触区，位于盖帽层中以电连接顶部压电膜的顶部电极层。依照本发明的BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器，并在盖帽层中通过离子深注入形成电连接压电膜顶部电极的接触区，减小了封装体积，降低了界面电阻。
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公开(公告)号：CN114614789A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210268917.4
申请日：2022-03-18
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
摘要： 本公开内容提供一种体声波谐振器，其包括一空腔，所述空腔形成在衬底中或形成在衬底上的一支撑层中；一下电极、一压电层和一上电极；所述下电极、所述压电层和所述上电极的重叠区域构成一三明治结构；以所述衬底上表面作为投影表面，在所述三明治结构中，所述下电极在所述投影表面上的投影形状与所述空腔在所述投影表面上的投影形状不完全重合，且所述空腔和所述下电极在所述衬底上表面的复合投影形状内至少有二个彼此独立的区域，所述独立区域分别由所述空腔的部分轮廓线构成所述独立区域的外轮廓线和所述下电极的部分轮廓线构成所述独立区域的内轮廓线。所述谐振器能提高器件的性能，以及降低工艺难度，提高产品良率，进而提高通信设备的性能。
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公开(公告)号：CN113098417A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110341609.5
申请日：2021-03-30
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种滤波器的制备方法、滤波器。滤波器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括中心区和环绕所述中心区的边缘区；形成位于所述衬底中心区的至少两个薄膜谐振器单元；形成覆盖所述薄膜谐振器单元的空腔牺牲层；在所述空腔牺牲层远离所述衬底的表面生长形成封装层，所述封装层覆盖所述空腔牺牲层和所述衬底的边缘区；释放所述空腔牺牲层以形成空腔。本发明实施例能够节约滤波器生产时所需的材料，减少生产周期，节约成本。
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公开(公告)号：CN113037246A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110181222.8
申请日：2021-02-08
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
IPC分类号： H03H9/64
摘要： 本发明实施例公开了一种双工器及其制作方法、多工器，通过将发射滤波器和接收滤波器集成在同一衬底上，可以提高双工器的集成度，减小双工器的尺寸。发射滤波器和接收滤波器可以在同一衬底上同时制作，可以共用膜层结构，进一步提高双工器的集成度，进一步减小双工器的尺寸，有利于降低双工器的制作成本。发射滤波器和接收滤波器共用一个密封圈结构，可以减少密封圈的占用面积；发射滤波器和接收滤波器都被密封圈的外围密封框体所环绕，发射滤波器和接收滤波器的结构也可以更加紧凑，有利于进一步减小双工器的尺寸。
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