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公开(公告)号：CN117175349B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311447840.8
申请日：2023-11-02
摘要： 本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN117175349A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311447840.8
申请日：2023-11-02
摘要： 本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN118610892A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411085164.9
申请日：2024-08-08
摘要： 本申请公开了一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法，其中一种释放氧化应力的VCSEL芯片包括：衬底；位于衬底一侧依次生长的缓冲层、N‑DBR层、N型掺杂层、有源区层、P型掺杂层、P‑DBR层和欧姆接触层；其中，P型掺杂层包括依次设置的第一掺杂层、第一超晶格结构层、氧化层、第二超晶格结构层和第二掺杂层，第一超晶格结构层和第二超晶格结构层分别包括交替生长的两种或多种材料层。本申请公开的一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法，在保证正常的电流限制能力的同时，将应力弛豫到上下两层超晶格结构层中，简化工艺步骤，提高生产效率，提升器件工作寿命及可靠性，能广泛应用于激光器制造领域。
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公开(公告)号：CN118099935B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410494068.3
申请日：2024-04-24
摘要： 本申请公开了一种偏振光VCSEL及其制备方法，其中一种偏振光VCSEL包括：衬底；位于衬底一侧依次设置的N‑CAP层、N‑DBR层、有源层、P‑DBR层和P‑CAP层，P‑CAP层远离衬底的一侧设置有牺牲层，牺牲层包括周期性交替生长的第一温度生长层与第二温度生长层。本申请公开的一种偏振光VCSEL及其制备方法，在谐振腔外设置牺牲层，并设置交替生长的第一温度生长层与第二温度生长层引入缺陷，缺陷的存在能够增加其中一个偏振态的光吸收，减弱了该偏振态的溢出，提升了器件的偏振度，有效实现高偏振度VCSEL的制备，为固体激光雷达提供高偏振度理想光源，提升探测距离及精度。
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公开(公告)号：CN118040474A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410404422.9
申请日：2024-04-07
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请公开了一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中一种多结垂直腔面发射半导体发光结构包括：衬底；位于衬底一侧且依次堆叠设置的第一布拉格反射镜、谐振腔、第二布拉格反射镜、欧姆接触层和P面电极；谐振腔包括至少两个有源层，相邻的有源层之间通过隧道结层连接；每一有源层远离衬底的一侧设置有氧化层，每一氧化层设置有开口区域；P面电极包围的出光区设置有环形凹槽，环形凹槽内覆盖有调制金属层。本申请公开的一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，通过设计环形凹槽并在环形凹槽内形成调制金属层，引入了外延结构之外的损耗层，降低发光结构最终的远场发散角。
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公开(公告)号：CN117424070A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311734263.0
申请日：2023-12-18
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明提供一种多结垂直腔面发光结构及其制备方法，多结垂直腔面发光结构包括：阶梯型发光柱；阶梯型发光柱包括：第一有源层至第N有源层；第一隧道结至第隧道结；第一电流限制层至第N电流限制层；阶梯型发光柱包括第一区至第Q区，第一区至第Q区在半导体衬底层表面的正投影图形的尺寸递减；任意的第q区中具有第一电流限制层至第N电流限制层中的至少一个电流限制层；第一电流限制层至第N电流限制层中的每个电流限制层均包括出光区和环绕出光区的氧化区；第一区中电流限制层的出光区的宽度至第Q区中电流限制层的出光区的宽度递减。大孔径的前提下实现高输出功率、小远场发散角，同时避免增加额外的复杂工艺。
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公开(公告)号：CN117424070B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311734263.0
申请日：2023-12-18
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明提供一种多结垂直腔面发光结构及其制备方法，多结垂直腔面发光结构包括：阶梯型发光柱；阶梯型发光柱包括：第一有源层至第N有源层；第一隧道结至第 隧道结；第一电流限制层至第N电流限制层；阶梯型发光柱包括第一区至第Q区，第一区至第Q区在半导体衬底层表面的正投影图形的尺寸递减；任意的第q区中具有第一电流限制层至第N电流限制层中的至少一个电流限制层；第一电流限制层至第N电流限制层中的每个电流限制层均包括出光区和环绕出光区的氧化区；第一区中电流限制层的出光区的宽度至第Q区中电流限制层的出光区的宽度递减。大孔径的前提下实现高输出功率、小远场发散角，同时避免增加额外的复杂工艺。
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公开(公告)号：CN118040474B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410404422.9
申请日：2024-04-07
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请公开了一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中一种多结垂直腔面发射半导体发光结构包括：衬底；位于衬底一侧且依次堆叠设置的第一布拉格反射镜、谐振腔、第二布拉格反射镜、欧姆接触层和P面电极；谐振腔包括至少两个有源层，相邻的有源层之间通过隧道结层连接；每一有源层远离衬底的一侧设置有氧化层，每一氧化层设置有开口区域；P面电极包围的出光区设置有环形凹槽，环形凹槽内覆盖有调制金属层。本申请公开的一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，通过设计环形凹槽并在环形凹槽内形成调制金属层，引入了外延结构之外的损耗层，降低发光结构最终的远场发散角。
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公开(公告)号：CN118099935A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410494068.3
申请日：2024-04-24
摘要： 本申请公开了一种偏振光VCSEL及其制备方法，其中一种偏振光VCSEL包括：衬底；位于衬底一侧依次设置的N‑CAP层、N‑DBR层、有源层、P‑DBR层和P‑CAP层，P‑CAP层远离衬底的一侧设置有牺牲层，牺牲层包括周期性交替生长的第一温度生长层与第二温度生长层。本申请公开的一种偏振光VCSEL及其制备方法，在谐振腔外设置牺牲层，并设置交替生长的第一温度生长层与第二温度生长层引入缺陷，缺陷的存在能够增加其中一个偏振态的光吸收，减弱了该偏振态的溢出，提升了器件的偏振度，有效实现高偏振度VCSEL的制备，为固体激光雷达提供高偏振度理想光源，提升探测距离及精度。
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