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公开(公告)号：CN117175349B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311447840.8
申请日：2023-11-02
摘要： 本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN117175349A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311447840.8
申请日：2023-11-02
摘要： 本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN117169173A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311316823.0
申请日：2023-10-12
摘要： 本发明提供一种外延片光致发光测试装置及其工作方法，其中外延片光致发光测试装置包括：发光结构；旋转支撑座；承载平台，位于旋转支撑座上，承载平台的承载面与旋转支撑座所在的平面垂直，承载平台中具有贯穿承载平台的固定轴，固定轴与旋转支撑座固定连接；载物托盘，位于承载平台的承载面上，载物托盘适于承载外延片，外延片背离承载平台的一侧表面接收发光结构发射出的光；光谱分析仪，光谱分析仪对外延片侧面发出的光进行信息采集与信息输出。所述外延片光致发光测试装置结构简单且测试精确。
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公开(公告)号：CN117169173B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311316823.0
申请日：2023-10-12
摘要： 本发明提供一种外延片光致发光测试装置及其工作方法，其中外延片光致发光测试装置包括：发光结构；旋转支撑座；承载平台，位于旋转支撑座上，承载平台的承载面与旋转支撑座所在的平面垂直，承载平台中具有贯穿承载平台的固定轴，固定轴与旋转支撑座固定连接；载物托盘，位于承载平台的承载面上，载物托盘适于承载外延片，外延片背离承载平台的一侧表面接收发光结构发射出的光；光谱分析仪，光谱分析仪对外延片侧面发出的光进行信息采集与信息输出。所述外延片光致发光测试装置结构简单且测试精确。
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公开(公告)号：CN115986562B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310266434.5
申请日：2023-03-20
申请人： 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 一种高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法，半导体发光器件包括：第一电流限制层至第M电流限制层，第m电流限制层位于第nt有源层和第nt隧道结之间；当M为偶数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第M/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M/2）+1电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增；当M为奇数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增。同时实现高功率和低发散角。
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公开(公告)号：CN115986562A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310266434.5
申请日：2023-03-20
申请人： 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 一种高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法，半导体发光器件包括：第一电流限制层至第M电流限制层，第m电流限制层位于第nt有源层和第nt隧道结之间；当M为偶数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第M/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M/2）+1电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增；当M为奇数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增。同时实现高功率和低发散角。
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公开(公告)号：CN114094443B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210069124.X
申请日：2022-01-21
申请人： 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
摘要： 本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
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公开(公告)号：CN114094443A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210069124.X
申请日：2022-01-21
申请人： 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
摘要： 本发明提供一种高应变半导体结构及其制备方法，高应变半导体结构的复合有源层中，第一组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第一势垒层中的铟含量，第二组分渐变层中的铟含量小于量子阱层中的铟含量且大于第二势垒层中的铟含量；所述第一组分渐变层中若干第一子渐变层中的铟组分含量随着第一子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递增区，所述第二组分渐变层中若干第二子渐变层中的铟组分含量随着第二子渐变层的层数的增加满足高斯函数的递减区；第一应力补偿层和第二应力补偿层中铟的含量为零；量子阱层、第一组分渐变层和第二组分渐变层用于激射光。降低高应变半导体结构的工艺难度和复杂度且提高生长质量。
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