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公开(公告)号：CN108091730B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201711465598.1
申请日：2017-12-28
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
摘要： 本发明涉及一种光伏器件的衰减方法，所述方法包括向光伏器件注入电流，进行电致衰减；所述注入电流至少具有一个大电流和一个小电流；所述大电流≥5A，所述小电流＜5A。本发明采用大电流和小电流的方式对光伏器件进行衰减，能够在较短时间内获得衰减彻底的效果，为量产监控起到保障。本发明光伏器件的衰减周期短，能够及时、准确监控基于多晶PERC电池片的光伏器件的衰减状况，对衰减监控起到决定性作用。结合本发明提供的衰减方法进行的衰减测试，能够更真实的模仿基于多晶PERC电池片的光伏器件在使用过程中的衰减情况，提供产品质量的控制。
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公开(公告)号：CN108091730A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711465598.1
申请日：2017-12-28
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
摘要： 本发明涉及一种光伏器件的衰减方法，所述方法包括向光伏器件注入电流，进行电致衰减；所述注入电流至少具有一个大电流和一个小电流；所述大电流≥5A，所述小电流＜5A。本发明采用大电流和小电流的方式对光伏器件进行衰减，能够在较短时间内获得衰减彻底的效果，为量产监控起到保障。本发明光伏器件的衰减周期短，能够及时、准确监控基于多晶PERC电池片的光伏器件的衰减状况，对衰减监控起到决定性作用。结合本发明提供的衰减方法进行的衰减测试，能够更真实的模仿基于多晶PERC电池片的光伏器件在使用过程中的衰减情况，提供产品质量的控制。
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公开(公告)号：CN207638621U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201721886242.0
申请日：2017-12-28
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC分类号： H02S50/10
摘要： 本实用新型公开了一种监控多晶PERC太阳能电池衰减的装置，包括外框支架，总电源及衰减平台，衰减平台包括上电极板和下电极板，上电极板和下电极板之间形成有放片区域，上电极板和下电极板中的一个固定连接于外框支架，另一个连接有驱动装置，上电极板和下电极板的内部均设置有辅助加热棒，辅助加热棒连接总电源，外框支架的外部还设置有恒流源，恒流源连接总电源，恒流源连接上电极板和下电极板，上电极板的远离下电极板的一侧及下电极板的远离上电极板的一侧均设置有冷却装置。该装置能够实现温度均匀且可控，从而可在较短时间内获得一致性好、准确可靠的结果，同时避免电池电极氧化的问题。
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公开(公告)号：CN106531842A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611023715.4
申请日：2016-11-14
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L21/2252 , H01L21/2256 , H01L31/1864
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法；其包括如下步骤：硅片表面制绒；硅片的一面先集成扩散形成高表面浓度、厚杂质玻璃层、浅结深的PN结，再激光推进形成高低掺杂的PN结，然后沉积减反射钝化层；形成双面金属接触，得到太阳能电池；其中，集成扩散包括：第一步低温扩散，在表面沉积一定的杂质源，再高温推进；第二步低温扩散，再低温退火；第三步低温扩散。本发明的太阳能电池的制备方法，采用集成扩散工艺，提高了方阻的均匀性，同时可获得均匀性较好的重掺区，在扩散面形成明显扩散高低PN结，降低了串联电阻，增加了填充因子，改善了电池的短波光谱响应，提高了短路电流和开路电压，从而提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN103594532A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310589582.7
申请日：2013-11-21
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/022441 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)采用N型单晶硅为衬底，清洗、制绒；(2)在硅片的背面的电极区域印刷硼浆，烘干、退火后形成硼掺杂PN结，同时在硅片背面形成氧化层；(3)单面磷扩散；(4)对硅片的背面进行局部刻蚀；(5)去除杂质玻璃层；(6)沉积钝化减反射膜；(7)印刷铝浆，形成铝背结；(8)印刷正面电极、背面电极，烘干；即可得到N型晶体硅太阳能电池。本发明开在硅片背面的非电极区域进行铝浆掺杂形成铝背结，背面电极区域采用硼浆掺杂制备电极，不仅解决了组件焊接的难题，同时避免了因背面PN结面积减少而带来的电池效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN106531842B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201611023715.4
申请日：2016-11-14
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法；其包括如下步骤：硅片表面制绒；硅片的一面先集成扩散形成高表面浓度、厚杂质玻璃层、浅结深的PN结，再激光推进形成高低掺杂的PN结，然后沉积减反射钝化层；形成双面金属接触，得到太阳能电池；其中，集成扩散包括：第一步低温扩散，在表面沉积一定的杂质源，再高温推进；第二步低温扩散，再低温退火；第三步低温扩散。本发明的太阳能电池的制备方法，采用集成扩散工艺，提高了方阻的均匀性，同时可获得均匀性较好的重掺区，在扩散面形成明显扩散高低PN结，降低了串联电阻，增加了填充因子，改善了电池的短波光谱响应，提高了短路电流和开路电压，从而提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN106057920A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610436607.3
申请日：2016-06-17
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/02245 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种PERC太阳能电池，包括具有PN结的硅片层，以及依次设于硅片层背面的钝化层和金属层；所述钝化层上设有开口区；太阳能电池的表面设有背电极；以硅片所在的平面计，所述背电极所在的位置与所述开口区所在的位置不重合。本发明将背电极所在的位置与所述开口区所在的位置设计成不重合，减小了金属与开口处裸硅之间的复合，提高电池开压，实验证明：相比现有结构，本发明的结构可以使得电池转换效率有0.1%的提升，取得了意想不到的效果。
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公开(公告)号：CN103594532B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310589582.7
申请日：2013-11-21
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)采用N型单晶硅为衬底，清洗、制绒；(2)在硅片的背面的电极区域印刷硼浆，烘干、退火后形成硼掺杂PN结，同时在硅片背面形成氧化层；(3)单面磷扩散；(4)对硅片的背面进行局部刻蚀；(5)去除杂质玻璃层；(6)沉积钝化减反射膜；(7)印刷铝浆，形成铝背结；(8)印刷正面电极、背面电极，烘干；即可得到N型晶体硅太阳能电池。本发明开在硅片背面的非电极区域进行铝浆掺杂形成铝背结，背面电极区域采用硼浆掺杂制备电极，不仅解决了组件焊接的难题，同时避免了因背面PN结面积减少而带来的电池效率降低的问题。
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公开(公告)号：CN105810779B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610215168.3
申请日：2016-04-08
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化叠层膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结；其中，所述背面沉积钝化叠层膜包括如下步骤：(1)采用原子层沉积方法在硅片电池背面沉积Al2O3薄膜；(2)将步骤(1)的电池放入管式炉中进行预退火，然后在其上沉积SiO2薄膜，然后在上述SiO2薄膜上沉积SiNx薄膜。本发明将退火步骤和SiO2、SiNx薄膜沉积集成在同一根管子中进行，从而省去了Al2O3钝化膜单独退火步骤和退火管，节省了工艺时间，降低了生产成本，适合于产业化生产。
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公开(公告)号：CN105810779A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610215168.3
申请日：2016-04-08
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/02363
摘要： 本发明公开了一种PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化叠层膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结；其中，所述背面沉积钝化叠层膜包括如下步骤：(1)采用原子层沉积方法在硅片电池背面沉积Al2O3薄膜；(2)将步骤(1)的电池放入管式炉中进行预退火，然后在其上沉积SiO2薄膜，然后在上述SiO2薄膜上沉积SiNx薄膜。本发明将退火步骤和SiO2、SiNx薄膜沉积集成在同一根管子中进行，从而省去了Al2O3钝化膜单独退火步骤和退火管，节省了工艺时间，降低了生产成本，适合于产业化生产。
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