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公开(公告)号：CN112309849B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
申请人： 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
发明人： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN112309849A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011065493.9
申请日：2020-09-30
申请人： 英利能源(中国)有限公司 , 河北省凤凰谷零碳发展研究院
发明人： 汤欢 , 郎芳 , 马红娜 , 郭宝军 , 赵学玲 , 张伟 , 李锋 , 史金超 , 闫英丽 , 李青娟 , 闫兰 , 王子谦 , 张雷 , 潘明翠 , 田思 , 唐磊 , 王新建 , 吴翠姑 , 刘莹 , 李英叶
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN111653650B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010542473.X
申请日：2020-06-15
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法，包括：在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在所述Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗，并根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化。本发明能够解决现有技术TOPCon电池制备工艺中，对生产片的清洗参数不能准确把控，容易腐蚀poly硅层的问题，可以有效提高TOPCon电池的电学性能。
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公开(公告)号：CN103603055B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310602911.7
申请日：2013-11-25
申请人： 英利能源(中国)有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法。该抛光方法为将制绒后的单晶硅片的用于制作背场的背面置于抛光液中、正面置于抛光液外进行化学抛光。通过对背面绒面结构抛光增加了硅片电池背场的平整度，增加了太阳光谱中长波段光在单晶硅背面的反射；减小了硅片背面的绒面面积和硅片背面的表面缺陷态密度以及背面光生载流子的复合速率，使经过硅片的光更多地反射回硅片内部，增加了激发电子-空穴对的几率，提高了太阳能电池的开路电压、短路电流和光电转换效率，降低了制作成本。通过调整优化抛光工艺提高了长波段太阳光的反射率，使长波长的光进一步反射回硅片内部增加了被吸收的可能性，提高了太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103603055A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310602911.7
申请日：2013-11-25
申请人： 英利能源(中国)有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法。该抛光方法为将制绒后的单晶硅片的用于制作背场的背面置于抛光液中、正面置于抛光液外进行化学抛光。通过对背面绒面结构抛光增加了硅片电池背场的平整度，增加了太阳光谱中长波段光在单晶硅背面的反射；减小了硅片背面的绒面面积和硅片背面的表面缺陷态密度以及背面光生载流子的复合速率，使经过硅片的光更多地反射回硅片内部，增加了激发电子-空穴对的几率，提高了太阳能电池的开路电压、短路电流和光电转换效率，降低了制作成本。通过调整优化抛光工艺提高了长波段太阳光的反射率，使长波长的光进一步反射回硅片内部增加了被吸收的可能性，提高了太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102978587A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210537145.6
申请日：2012-12-12
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种新型平板式PECVD气路接孔结构，特气气孔的输出端连通有新型特气孔接头，新型特气孔接头具有顶端封闭的管体，在管体的侧壁上开设有多个侧孔，每个侧孔的输出端均连通有侧管，每个侧管的输出方向与特气气孔的输出方向相同。本发明提供的新型平板式PECVD气路接孔结构，通过在特气气孔的输出端连通具有多个侧孔的新型特气孔接头，避免出现某一位置特气孔堵塞的现象从而保证设备运行的长时间的稳定性，从而延长设备维护周期，增加设备的产量，另外减少因为特气孔的堵塞对沉积的氮化硅膜层厚度的不同导致片间色差等不合格片的产生，提高产品的合格率。本发明还公开了一种应用了上述气路接孔结构的新型平板式PECVD设备。
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公开(公告)号：CN111653650A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010542473.X
申请日：2020-06-15
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法，包括：在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在所述Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗，并根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化。本发明能够解决现有技术TOPCon电池制备工艺中，对生产片的清洗参数不能准确把控，容易腐蚀poly硅层的问题，可以有效提高TOPCon电池的电学性能。
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公开(公告)号：CN103614778A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310609018.7
申请日：2013-11-25
申请人： 英利能源(中国)有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种用于单晶硅片的无醇碱性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法。该用于单晶硅片的无醇碱性制绒液包括碱溶液和制绒添加剂，制绒添加剂为无醇添加剂。本发明摈弃了常规碱性制绒液中所采用的对人体和环境有害的异丙醇，仅采用碱溶液和无醇添加剂组成的无醇碱性制绒液对金刚石线切割得到的单晶硅片进行表面制绒就可以将硅片表面的腐蚀深度较容易地控制在5～7.5μm范围内，同时保证腐蚀的速率，增强了腐蚀的各向异性，制绒后得到的硅片表面的金字塔织构体积小且大小均匀一致，使得硅片表面的反射率降低了1%左右，增加了硅片表面对光的吸收，提高了太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN112349584B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011157169.X
申请日：2020-10-26
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
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公开(公告)号：CN108831824A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810672947.5
申请日：2018-06-26
申请人： 英利能源(中国)有限公司
摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池基底的清洗方法及太阳能电池的制备方法，太阳能电池基底的清洗方法包括：在基底背面经离子注入处理后，对所述基底的正面进行氧化处理，其中，所述基底的正面为所述基底背面的相对面；对氧化处理后的基底进行清洗处理。本发明能够将基底正面沉积的磷清洗干净。
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