公开(公告)号：CN101479792A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024022.X

申请日：2007-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： 朴昌珉 ,  A·M·法加多

IPC分类号： G11B5/68 ,  G11B5/70

CPC分类号： G11B5/656 ,  C23C18/1673 ,  C23C18/50 ,  G11B5/85 ,  G11B5/852 ,  G11B5/858 ,  H01F10/16 ,  H01F41/24

摘要： 能够作为膜或涂层涂覆在衬底上且能够为磁应用提供适当的磁和电性质的材料包括钴、硼、以及钨和磷二者中的至少一个。该材料的电阻率介于约20和1000μOhm－cm之间、饱和磁通密度介于约0.1和1.8特斯拉之间、矫顽力小于约5奥斯特、且相对磁导率介于约100和2000之间。

公开(公告)号：CN101479792B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200780024022.X

申请日：2007-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： 朴昌珉 ,  A·M·法加多

IPC分类号： G11B5/68 ,  G11B5/70

CPC分类号： G11B5/656 ,  C23C18/1673 ,  C23C18/50 ,  G11B5/85 ,  G11B5/852 ,  G11B5/858 ,  H01F10/16 ,  H01F41/24

摘要： 能够作为膜或涂层涂覆在衬底上且能够为磁应用提供适当的磁和电性质的材料包括钴、硼、以及钨和磷二者中的至少一个。该材料的电阻率介于约20和1000μOhm-cm之间、饱和磁通密度介于约0.1和1.8特斯拉之间、矫顽力小于约5奥斯特、且相对磁导率介于约100和2000之间。