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公开(公告)号：CN108695163A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810167874.4
申请日：2018-02-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/268 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件。实施例包括器件和方法，包括一种用于处理基底的方法。该方法包括：提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区。该方法还包括执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造电镀以形成包括在介电表面区上的金属的结构，该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造电镀的工艺形成的，并且该结构是在该特征之后形成的。描述并要求保护了其他实施例。
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