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公开(公告)号：CN112530906A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010586290.8
申请日：2020-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 用于集成电路封装的有机插入器可以形成一种电子插入器，该电子插入器包括：上部区段、下部区段以及中间区段。上部区段和下部区段可以各自具有两个与四个之间的层，其中，每个层包括有机材料层和至少一个传导路线，该至少一个传导路线包括至少一个传导迹线和至少一个传导通孔。中间区段可以形成于上部区段与下部区段之间，其中，中间区段包括高达八个层，其中，每个层包括有机材料和至少一个传导路线，该至少一个传导路线包括至少一个传导迹线和至少一个传导通孔，并且其中，中间区段的每个层的厚度薄于上部区段的层中的任一个的厚度，并且薄于下部区段的层中的任一个的厚度。
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公开(公告)号：CN110391221A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910207375.8
申请日：2019-03-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及具有导热结构和导热结构中的隔热结构的散热装置。一种散热装置可以被形成为导热结构，导热结构具有至少部分地延伸通过导热结构的至少一个隔热结构。散热装置可以热连接到多个集成电路装置，使得所述至少一个隔热结构位于至少两个集成电路装置之间。散热装置允许诸如在导热结构内在z方向上离开所述多个集成电路装置中的每个集成电路装置的热传递，同时基本上防止在隔热结构内在x方向和/或y方向上的热传递，使得集成电路装置之间的热串扰减少。
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公开(公告)号：CN110024216A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780075460.2
申请日：2017-01-05
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明的实施例包括毫米波波导连接器和形成这样的设备的方法。在实施例中，毫米波波导连接器可以包括多个毫米波发射器部分，以及多个基于脊的毫米波滤波器部分，其每个都通信地耦合到毫米波发射器部分中的一个。在实施例中，基于脊的毫米波滤波器部分均包括限定一个或多个谐振腔的多个突起。附加的实施例可以包括：多路复用器部分，其通信地耦合到多个基于脊的毫米波滤波器部分并且通信地耦合到毫米波波导束。在实施例中，多个突起限定了具有0.5 mm与2.0 mm之间的开口的谐振腔，该多个突起彼此间隔开0.5 mm与2.0 mm之间的间隔，并且其中该多个突起具有200μm与1000μm之间的厚度。
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公开(公告)号：CN108695163A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810167874.4
申请日：2018-02-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/268 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件。实施例包括器件和方法，包括一种用于处理基底的方法。该方法包括：提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区。该方法还包括执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造电镀以形成包括在介电表面区上的金属的结构，该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造电镀的工艺形成的，并且该结构是在该特征之后形成的。描述并要求保护了其他实施例。
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公开(公告)号：CN104321868B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380028085.8
申请日：2013-06-10
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/065
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B7/0058 , B81B7/0077 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00246 , G01L9/0047 , G01L9/007 , G01L9/0073 , H01L24/19 , H01L29/84 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162
Abstract: 描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。
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公开(公告)号：CN112582391A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010589423.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/528 , H01L21/98
Abstract: 复合IC芯片包括嵌入主IC芯片的金属化级内的小芯片。小芯片可包括器件层和将无源和/或有源器件互连到小芯片电路系统中的一个或多个金属化层。主IC可包括器件层和将无源和/或有源器件互连到主芯片电路系统中的一个或多个金属化层。小芯片金属化层之一的部件可直接接合到主IC金属化层之一的部件，将两个电路系统互连成复合电路系统。可在小芯片上方施加电介质材料。电介质和小芯片可通过平坦化工艺变薄，并且在小芯片和主芯片上方制作附加的金属化层，例如以形成第一级互连接口。复合IC芯片结构可基本上作为单片IC芯片被组装到封装中。
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公开(公告)号：CN112582390A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010579110.3
申请日：2020-06-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/18 , H01L21/98 , G06F15/173
Abstract: 公开用于在经封装的装置上提供集成电路（IC）芯片和小芯片的技术和机制，其中小芯片的存储器资源可由IC芯片的处理器核访问。在一实施例中，经封装的装置的硬件接口包括位于小芯片的一侧的第一导电接触部，其中硬件接口的第二导电接触部各自经由独立于小芯片的相应路径电互连到IC芯片。在另一个实施例中，第一导电接触部中的一个或多个导电接触部配置成向IC芯片或小芯片之一的装置层递送功率或传递信号。
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公开(公告)号：CN112563235A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010587592.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明的主题是“混合的杂混接合结构及形成混合的杂混接合结构的方法”。实施例包括混合的杂混接合结构，所述混合的杂混接合结构包括复合介电层，其中复合介电层包括具有多个无机填充材料的有机介电材料。一个或多个导电衬底互连结构在复合介电层内。管芯在复合介电层上，所述管芯在管芯介电材料内具有一个或多个导电管芯互连结构。一个或多个导电管芯互连结构直接接合到一个或多个导电衬底互连结构，并且复合介电层的无机填充材料接合到管芯介电材料。
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公开(公告)号：CN110024216B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201780075460.2
申请日：2017-01-05
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明的实施例包括毫米波波导连接器和形成这样的设备的方法。在实施例中，毫米波波导连接器可以包括多个毫米波发射器部分，以及多个基于脊的毫米波滤波器部分，其每个都通信地耦合到毫米波发射器部分中的一个。在实施例中，基于脊的毫米波滤波器部分均包括限定一个或多个谐振腔的多个突起。附加的实施例可以包括：多路复用器部分，其通信地耦合到多个基于脊的毫米波滤波器部分并且通信地耦合到毫米波波导束。在实施例中，多个突起限定了具有0.5 mm与2.0 mm之间的开口的谐振腔，该多个突起彼此间隔开0.5 mm与2.0 mm之间的间隔，并且其中该多个突起具有200μm与1000μm之间的厚度。
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公开(公告)号：CN112530931A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010586324.3
申请日：2020-06-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/538 , H01L21/98
Abstract: 集成电路封装的高密度互连可以形成集成电路封装，所述集成电路封装包括：至少一个管芯侧集成电路装置，该至少一个管芯侧集成电路装置具有电附连到电子插入器的有源表面，其中将至少一个管芯侧集成电路装置至少部分地包裹在模制材料层中，并且其中将至少一个管芯侧集成电路装置的背表面处于大体上与模制材料层的外表面相同的平面中。至少一个堆叠集成电路可以通过在至少一个管芯侧集成电路装置与至少一个堆叠集成电路装置之间形成的互连结构而被电附连到至少一个管芯侧集成电路的背表面。
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