公开(公告)号：CN108696317B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201810168640.1

申请日：2018-02-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T.卡姆加英 ,  G.多贾米斯 ,  S.奥斯特

IPC: H04B10/508 ,  H04B10/516 ,  H04B10/61 ,  H04B10/69

Abstract: 本公开被指向用于在分离了从不到一米到几十米的距离的相同或不同机架中部署的安装于机架的装置之间通信的系统和方法。所述系统包含CMOS第一毫米波引擎，其包含毫米波收发器电路系统、毫米波MODEM电路系统、功率分配和控制电路系统、和毫米波波导管连接器。CMOS第一毫米波引擎可通信地耦合到CMOS第二毫米波引擎，其也包含毫米波收发器电路系统、毫米波MODEM电路系统、功率分配和控制电路系统、和毫米波波导管连接器。在一些实现中，可使用III‑V半导体制造方法来制作毫米波收发器电路系统的至少一部分。毫米波通信技术的使用有益地改善数据完整性并提高可取得的数据速率，并且降低功率成本。

公开(公告)号：CN108695163A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810167874.4

申请日：2018-02-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： F.华 ,  J.斯万 ,  H.布劳尼施 ,  T.卡姆加英 ,  A.埃尔舍比你 ,  S.奥斯特

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/268 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开了具有通过使用自组装单分子膜进行后期键合而形成的部件的电子器件。实施例包括器件和方法，包括一种用于处理基底的方法。该方法包括：提供包括第一部分和第二部分的基底，该第一部分包括特征，该特征包括导电区，该第二部分包括介电表面区。该方法还包括执行自组装单分子膜（SAM）辅助构造电镀以形成包括在介电表面区上的金属的结构，该特征是使用不同于用来形成该结构的SAM辅助构造电镀的工艺形成的，并且该结构是在该特征之后形成的。描述并要求保护了其他实施例。

公开(公告)号：CN108696317A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810168640.1

申请日：2018-02-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T.卡姆加英 ,  G.多贾米斯 ,  S.奥斯特

IPC: H04B10/508 ,  H04B10/516 ,  H04B10/61 ,  H04B10/69

CPC classification number: H04B10/6165 ,  H04B10/548 ,  H04B10/90 ,  H04L7/0079 ,  H04B10/508 ,  H04B10/516 ,  H04B10/612 ,  H04B10/6911

Abstract: 本公开被指向用于在分离了从不到一米到几十米的距离的相同或不同机架中部署的安装于机架的装置之间通信的系统和方法。所述系统包含CMOS第一毫米波引擎，其包含毫米波收发器电路系统、毫米波MODEM电路系统、功率分配和控制电路系统、和毫米波波导管连接器。CMOS第一毫米波引擎可通信地耦合到CMOS第二毫米波引擎，其也包含毫米波收发器电路系统、毫米波MODEM电路系统、功率分配和控制电路系统、和毫米波波导管连接器。在一些实现中，可使用III‑V半导体制造方法来制作毫米波收发器电路系统的至少一部分。毫米波通信技术的使用有益地改善数据完整性并提高可取得的数据速率，并且降低功率成本。