公开(公告)号：CN102598143B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201080049214.8

申请日：2010-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： D·考 ,  J·卡尔布 ,  B·克勒恩

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/20 ,  G11C13/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/008 ,  G11C2013/0092

摘要： 本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。

公开(公告)号：CN102598143A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049214.8

申请日：2010-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： D·考 ,  J·卡尔布 ,  B·克勒恩

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/20 ,  G11C13/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/008 ,  G11C2013/0092

摘要： 本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。