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公开(公告)号：CN105960678B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580008219.9
申请日：2015-03-09
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0061 , G11C2013/0047 , G11C2013/0052
摘要： 本公开涉及减轻交叉点存储器中的读取干扰。设备可包括配置成选择用于存储器访问操作的目标存储器单元的存储器控制器。存储器控制器包括配置成确定在感测间隔期间是否发生骤回事件的感测模块；和配置成如果检测到骤回事件，则将逻辑1回写到存储器单元的回写模块。
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公开(公告)号：CN108615540A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201711172257.5
申请日：2017-11-22
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 朴茂熙
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2013/005 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C13/0038
摘要： 提供了一种存储器装置和一种操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：电阻式存储器单元，连接到第一节点，被配置为包括可变电阻元件和用于控制流过可变电阻元件的电流的存取元件；检测电路，检测存取元件的阈值电压并向感测节点提供检测电流；钳位电路，连接在第一节点与感测节点之间，接收第一读取电压，并使第一节点的电压斜升。在钳位电路使第一节点的电压斜升的同时，当检测电流变为与流过第一节点的位线电流相等时，放电电路对第一节点进行放电。当感测节点的电压电平变为低于参考电压时，感测放大器转变输出电压值。
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公开(公告)号：CN102598143B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080049214.8
申请日：2010-09-24
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/008 , G11C2013/0092
摘要： 本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。
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公开(公告)号：CN108648776A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810456019.5
申请日：2014-02-12
申请人： 美光科技公司
发明人： 达尼埃莱·维梅尔卡蒂 , 里卡尔多·穆泽托
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/062 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2029/0409 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2207/063 , G11C2213/79
摘要： 本发明描述用于补偿存储器中的字线上的电压增加的设备、感测电路及方法。实例设备包含位线、耦合到所述位线的存储器单元、耦合到所述存储器单元的选择器装置、耦合到所述选择器装置的字线及耦合到所述字线的字线驱动器。所述设备进一步包含模型字线电路，其经配置以将所述字线的阻抗及所述字线驱动器的阻抗建模；及感测电路，其耦合到所述位线及所述模型字线电路。所述感测电路经配置以基于单元电流感测所述存储器单元的状态且提供指示所述存储器单元的状态的感测信号。所述感测电路经进一步配置以响应于如由所述模型字线电路建模的字线电压的增加调整位线电压。
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公开(公告)号：CN104036822B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410064481.2
申请日：2014-02-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/24 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/73
摘要： 本发明涉及一种基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法。一种存储基元和用于操作存储基元的方法包括：在电气上串联耦合的双向存取器件和存储元件。所述双向存取器件包括隧穿电容。所述存储元件可通过施加极性彼此相反的第一和第二写入电压而编程为第一和第二状态。所述存储元件在所述第一状态的电容低于在所述第二状态的电容。读取单元读出由于施加读取电压时的压降所导致的瞬时读取电流。基于所述读取电流是大于还是小于读出阈值，判定所述存储元件是所述第一还是第二状态。所述读出阈值基于所述第一和第二状态之间的电容比率。
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公开(公告)号：CN102110469B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201010568301.6
申请日：2010-11-29
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092
摘要： 这里所公开的主题涉及提高存储器设备的数据存储密度。相变存储器(PCM)和阻抗随机存取存储器(PRAM)通常通过将存储器单元放置在表示“1”或“0”两个物理状态的任一个来存储数据。一个这种状态可以与另一个状态区分。这种存储数据的处理可以使得能够每个存储器单元存储一个比特。本发明的实施例在存储器单元中存储两个或多个比特，其中所述存储的比特由两个或多个独立变量至少部分地基于所述存储器单元的物理性质来特征化。将这种数据存储器的密度增加为每个存储器单元大于一个比特可以产生多种优势，例如减小的存储器制造成本和/或较小的存储器装置。
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公开(公告)号：CN104704568A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052748.X
申请日：2013-10-03
申请人： 美光科技公司
发明人： 亚历山德罗·卡尔代罗尼 , 马西莫·费罗 , 保罗·凡蒂尼
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/00 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0035 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C29/006 , G11C29/50008 , G11C2013/0052 , G11C2013/0057
摘要： 本发明包含设备及方法，所述设备及方法包含电阻可变存储器中的漂移加速。许多实施例包含向所述电阻可变存储器单元施加编程信号以将所述单元编程到目标状态，随后向所述电阻可变存储器单元施加预读取信号以使所述经编程单元的电阻的漂移加速，且随后向所述电阻可变存储器单元施加读取信号。
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公开(公告)号：CN102598143A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049214.8
申请日：2010-09-24
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/008 , G11C2013/0092
摘要： 本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。
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公开(公告)号：CN108475519A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680071154.7
申请日：2016-10-25
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/005 , G11C2013/0052 , G11C2013/0073 , G11C2213/76 , G11C2213/77
摘要： 本文中揭示一种存储器单元。所述存储器单元可充当经组合选择器装置与存储器元件两者。可通过施加具有不同极性的写入脉冲而对所述存储器单元进行编程。所述写入脉冲的不同极性可将不同逻辑状态编程到所述存储器单元中。可通过全部具有相同极性的读取脉冲来读取所述存储器单元。可通过在施加所述读取脉冲时观察不同阈值电压而检测所述存储器单元的所述逻辑状态。所述不同阈值电压可响应于所述写入脉冲的所述不同极性。
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公开(公告)号：CN104956441B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201480006418.1
申请日：2014-02-12
申请人： 美光科技公司
发明人： 达尼埃莱·维梅尔卡蒂 , 里卡尔多·穆泽托
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/062 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2029/0409 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2207/063 , G11C2213/79
摘要： 本发明描述用于补偿存储器中的字线上的电压增加的设备、感测电路及方法。实例设备包含位线、耦合到所述位线的存储器单元、耦合到所述存储器单元的选择器装置、耦合到所述选择器装置的字线及耦合到所述字线的字线驱动器。所述设备进一步包含模型字线电路，其经配置以将所述字线的阻抗及所述字线驱动器的阻抗建模；及感测电路，其耦合到所述位线及所述模型字线电路。所述感测电路经配置以基于单元电流感测所述存储器单元的状态且提供指示所述存储器单元的状态的感测信号。所述感测电路经进一步配置以响应于如由所述模型字线电路建模的字线电压的增加调整位线电压。
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