公开(公告)号：CN104170037A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280071862.2

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G4/005

CPC分类号： H01G11/02 ,  G06F1/1635 ,  H01G9/04 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/84 ,  H04M1/0262 ,  H04M2001/0204 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49115

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

公开(公告)号：CN107103993A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201611244647.4

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G2/02 ,  H01G9/048 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/86 ,  H01L49/02

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

公开(公告)号：CN107103993B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201611244647.4

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G2/02 ,  H01G9/048 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/86 ,  H01L49/02

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。

公开(公告)号：CN104170037B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201280071862.2

申请日：2012-04-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D.S.加德纳 ,  C.平特 ,  S.B.克伦德宁

IPC分类号： H01G4/005

CPC分类号： H01G11/02 ,  G06F1/1635 ,  H01G9/04 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01G11/84 ,  H04M1/0262 ,  H04M2001/0204 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49115

摘要： 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。