公开(公告)号：CN104541348B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201380044088.0

申请日：2013-06-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D.S.加德纳 ,  金薇 ,  陈朝晖 ,  C.W.霍滋瓦斯 ,  C.L.平特 ,  B.K.莫恩 ,  J.L.古斯塔夫森

IPC: H01G4/005

CPC classification number: H01G11/26 ,  H01G9/0029 ,  H01G11/04 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  H01L28/82 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/417

Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。

公开(公告)号：CN104541348A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380044088.0

申请日：2013-06-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D.S.加德纳 ,  金薇 ,  陈朝晖 ,  C.W.霍滋瓦斯 ,  C.L.平特 ,  B.K.莫恩 ,  J.L.古斯塔夫森

IPC: H01G4/005

CPC classification number: H01G11/26 ,  H01G9/0029 ,  H01G11/04 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  H01L28/82 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/417

Abstract: 能量储存装置包括：第一电极(110，510)，其包括包含第一电解质(150，514)的第一多个通道(111，512)；以及第二电极(120，520)，其中包括包含第二电解质(524)的第二多个通道(121，522)。第一电极具有第一表面(115，511)，以及第二电极具有第二表面(125，521)。第一和第二电极中的至少一个是多孔硅电极，以及第一和第二表面中的至少一个包括钝化层(535)。