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公开(公告)号:CN109075078A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201680084258.1
申请日:2016-03-30
申请人: 英特尔公司
发明人: G.A.格拉斯 , A.S.墨菲 , K.贾姆布纳坦 , C.S.莫哈帕特拉 , H.甘 , N.G.米斯特卡维 , J.S.江 , B.古哈
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/78
摘要: 在绝缘层中形成沟槽以暴露衬底上的原生鳍。在沟槽中的原生鳍上沉积替代鳍。横向修剪替代鳍。