公开(公告)号：CN106415744B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480079271.9

申请日：2014-06-25

申请人： 英特尔公司

发明人： R·T·埃尔赛义德 ,  N·戈埃尔 ,  S·E·博乌-加扎利 ,  A·罗伊 ,  J·C·叶

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01G4/32 ,  H01F41/04

CPC分类号： H01L23/66 ,  G03F7/2059 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/042 ,  H01G4/012 ,  H01G4/40 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2223/6672

摘要： 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺(例如，电子束直写技术(EBDW)和极紫外光刻法(EUVL)来形成集成无源器件(例如，电感器和电容器)的技术。该技术可以用于形成各种不同的集成无源器件，例如电感器(例如，螺旋电感器)和电容器(例如，金属指状物电容器)，这比在这样的器件使用193nm光刻法而形成的情况下具有更高的密度、精度和质量因数(Q)值。所形成的高Q且密集的无源器件可以在射频(RF)和模拟电路中使用以提高这样的电路的性能。可以基于在例如线边缘粗糙度(LER)、可实现的分辨率/临界尺寸、角的锐度和/或所形成的结构的密度中的改进来实现增加的精度。

公开(公告)号：CN106415744A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480079271.9

申请日：2014-06-25

申请人： 英特尔公司

发明人： R·T·埃尔赛义德 ,  N·戈埃尔 ,  S·E·博乌-加扎利 ,  A·罗伊 ,  J·C·叶

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01G4/32 ,  H01F41/04

CPC分类号： H01L23/66 ,  G03F7/2059 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/042 ,  H01G4/012 ,  H01G4/40 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2223/6672

摘要： 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺(例如，电子束直写技术(EBDW)和极紫外光刻法(EUVL)来形成集成无源器件(例如，电感器和电容器)的技术。该技术可以用于形成各种不同的集成无源器件，例如电感器(例如，螺旋电感器)和电容器(例如，金属指状物电容器)，这比在这样的器件使用193nm光刻法而形成的情况下具有更高的密度、精度和质量因数(Q)值。所形成的高Q且密集的无源器件可以在射频(RF)和模拟电路中使用以提高这样的电路的性能。可以基于在例如线边缘粗糙度(LER)、可实现的分辨率/临界尺寸、角的锐度和/或所形成的结构的密度中的改进来实现增加的精度。