公开(公告)号：CN106415744B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480079271.9

申请日：2014-06-25

申请人： 英特尔公司

发明人： R·T·埃尔赛义德 ,  N·戈埃尔 ,  S·E·博乌-加扎利 ,  A·罗伊 ,  J·C·叶

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01G4/32 ,  H01F41/04

CPC分类号： H01L23/66 ,  G03F7/2059 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/042 ,  H01G4/012 ,  H01G4/40 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2223/6672

摘要： 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺(例如，电子束直写技术(EBDW)和极紫外光刻法(EUVL)来形成集成无源器件(例如，电感器和电容器)的技术。该技术可以用于形成各种不同的集成无源器件，例如电感器(例如，螺旋电感器)和电容器(例如，金属指状物电容器)，这比在这样的器件使用193nm光刻法而形成的情况下具有更高的密度、精度和质量因数(Q)值。所形成的高Q且密集的无源器件可以在射频(RF)和模拟电路中使用以提高这样的电路的性能。可以基于在例如线边缘粗糙度(LER)、可实现的分辨率/临界尺寸、角的锐度和/或所形成的结构的密度中的改进来实现增加的精度。

公开(公告)号：CN106415744A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480079271.9

申请日：2014-06-25

申请人： 英特尔公司

发明人： R·T·埃尔赛义德 ,  N·戈埃尔 ,  S·E·博乌-加扎利 ,  A·罗伊 ,  J·C·叶

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01G4/32 ,  H01F41/04

CPC分类号： H01L23/66 ,  G03F7/2059 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/042 ,  H01G4/012 ,  H01G4/40 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L2223/6672

摘要： 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺(例如，电子束直写技术(EBDW)和极紫外光刻法(EUVL)来形成集成无源器件(例如，电感器和电容器)的技术。该技术可以用于形成各种不同的集成无源器件，例如电感器(例如，螺旋电感器)和电容器(例如，金属指状物电容器)，这比在这样的器件使用193nm光刻法而形成的情况下具有更高的密度、精度和质量因数(Q)值。所形成的高Q且密集的无源器件可以在射频(RF)和模拟电路中使用以提高这样的电路的性能。可以基于在例如线边缘粗糙度(LER)、可实现的分辨率/临界尺寸、角的锐度和/或所形成的结构的密度中的改进来实现增加的精度。

公开(公告)号：CN105304125A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510213938.6

申请日：2015-04-29

申请人： 英特尔公司

发明人： B·林 ,  C·德雷 ,  A·罗伊 ,  L·魏 ,  F·哈姆扎奥卢

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0057 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078

摘要： 本发明描述了用于提高电阻式存储器能量效率和可靠性的装置和方法。装置可以包括耦合到导电线路的电阻式存储器单元。装置还可以包括耦合到导电线路的驱动器，其用于在写入操作期间驱动用于电阻式存储器单元的电流。可以在写入操作期间在两个或更多时间段内选择性地增大驱动器的电阻，以检测导电线路上的电压变化。在检测到电压变化时，可以关断用于写入操作的电流以提高电阻式存储器能量效率和可靠性。

公开(公告)号：CN114649477A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111375500.X

申请日：2021-11-19

申请人： 英特尔公司

发明人： C-C·林 ,  S-C·常 ,  K·奥乌兹 ,  I-C·邓 ,  A·森古普塔 ,  I·A·扬 ,  U·E·阿维奇 ,  M·V·梅斯 ,  A·V·佩努马季哈 ,  A·罗伊

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 描述了金属绝缘体金属电容器。在示例中，金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器包括第一电极板和在第一电极板上的第一电容器电介质。第一电容器电介质是或包括钙钛矿高k电介质材料。第二电极板在第一电容器电介质上，并具有在第一电极板之上并与第一电极板平行的部分，并且第二电容器电介质在第二电极板上。第三电极板在第二电容器电介质上，并具有在第二电极板之上并与第二电极板平行的部分。

公开(公告)号：CN105304125B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510213938.6

申请日：2015-04-29

申请人： 英特尔公司

发明人： B·林 ,  C·德雷 ,  A·罗伊 ,  L·魏 ,  F·哈姆扎奥卢

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0057 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078

摘要： 本发明描述了用于提高电阻式存储器能量效率和可靠性的装置和方法。装置可以包括耦合到导电线路的电阻式存储器单元。装置还可以包括耦合到导电线路的驱动器，其用于在写入操作期间驱动用于电阻式存储器单元的电流。可以在写入操作期间在两个或更多时间段内选择性地增大驱动器的电阻，以检测导电线路上的电压变化。在检测到电压变化时，可以关断用于写入操作的电流以提高电阻式存储器能量效率和可靠性。