公开(公告)号：CN110289312A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910123865.X

申请日：2019-02-19

申请人： 英特尔公司

发明人： N.K.托马斯 ,  J.S.克拉克 ,  J.M.托雷斯 ,  L.拉姆珀特 ,  R.皮拉里塞蒂 ,  H.C.乔治 ,  K.辛格 ,  J.M.罗伯茨 ,  R.考迪洛 ,  Z.R.约斯科维茨 ,  D.J.米夏拉克

IPC分类号： H01L29/66 ,  G06N10/00

摘要： 本公开的实施例描述基于施主或受主的自旋qubit装置和组件中的同位素纯化材料的使用。示例性自旋qubit装置组件可包括：半导体基质层，包括同位素纯化材料；掺杂物原子，位于半导体基质层中；和栅极，位于掺杂物原子附近。与非同位素纯化材料中的那些同位素的自然丰度相比，同位素纯化材料可包括更低原子百分比的具有非零核自旋的同位素。减少半导体基质层中的具有非零核自旋的同位素的存在可提高qubit相干性，并且因此提高自旋qubit装置和组件的性能。

公开(公告)号：CN111108604A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201780095311.2

申请日：2017-12-17

申请人： 英特尔公司

发明人： N.K.托马斯 ,  J.S.克拉克 ,  J.M.托雷斯 ,  R.皮拉里塞蒂 ,  K.辛赫 ,  P.阿明 ,  H.C.乔治 ,  J.M.罗伯茨 ,  R.考蒂洛 ,  D.J.米查拉克 ,  Z.R.约斯科维茨 ,  L.兰泊特

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/12

摘要： 本文公开了量子点器件以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点器件可以包括：包括量子阱层的量子阱堆叠，其中量子阱层包括同位素纯化的材料；在所述量子阱堆叠上方的栅极电介质；以及所述栅极电介质上方的栅极金属，其中所述栅极电介质在所述量子阱层和所述栅极金属之间。