公开(公告)号：CN112310050A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010219112.1

申请日：2020-03-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.加内桑 ,  K.麦卡菲 ,  L.M.特里博莱特 ,  D.马利克 ,  R.V.马哈詹 ,  R.L.桑克曼

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98

Abstract: 实施例包括半导体封装以及用于形成所述半导体封装的方法。一种半导体封装包括在玻璃片块之上的桥。所述桥利用粘合层而被耦合到所述玻璃片块。所述半导体封装还包括在所述桥和玻璃片块之上的高密度封装（HDP）基板。所述HDP基板利用多个模塑通孔（TMV）而被导电地耦合到玻璃片块。所述半导体封装此外包括在所述HDP基板之上的多个管芯，以及在所述TMV、桥、粘合层和玻璃片块之上的第一包封层。所述HDP基板包括多个导电互连，所述多个导电互连将所述管芯导电地耦合到所述桥和玻璃片块。所述桥可以是嵌入式多管芯互连桥（EMIB），其中所述EMIB被通信地耦合到所述管芯，并且所述玻璃片块包括多个玻璃通孔（TGV）。