公开(公告)号：CN109196639A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780034003.9

申请日：2017-06-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R.L.桑克曼 ,  S.加内桑

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81401 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81438 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81473 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本文一般讨论了包含大致共面的导电柱的设备、方法和系统。根据示例，一种技术能够包括：在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成导电柱；将模制材料设置在所生成的导电柱周围和上面；同时移除模制材料和所生成的导电柱的一部分以使得所生成的导电柱和模制材料大致平坦；以及电气上将管芯耦合到导电柱。

公开(公告)号：CN109983570A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201680091229.8

申请日：2016-12-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： V.V.梅塔 ,  E.J.李 ,  S.加内桑 ,  D.马利克 ,  R.L.桑克曼

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/525 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了具有硅晶片上的有源管芯和外部管芯底座的半导体封装和封装组件，以及制作这样的半导体封装和封装组件的方法。在示例中，半导体封装组件包括具有通过第一焊料凸块而附接到硅晶片的有源管芯的半导体封装。第二焊料凸块在硅晶片上从有源管芯横向向外以提供用于外部管芯的底座。环氧树脂层可以围绕有源管芯并且覆盖硅晶片。孔可以在第二焊料凸块上方贯穿环氧树脂层以通过该孔暴露第二焊料凸块。因此，外部存储器管芯可以通过该孔而直接连接到硅晶片上的第二焊料凸块。

公开(公告)号：CN108369926A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073920.3

申请日：2016-11-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 姚计敏 ,  S.加内桑 ,  S.M.利夫 ,  邓一康 ,  D.马利克

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/03 ,  H05K1/18 ,  H05K1/181 ,  H05K3/34 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本文中公开了集成电路（IC）封装结构以及相关的设备和方法。在一些实施例中，一种IC封装基板可以包括：具有第一面和第二面的介电层；设置在介电层的第一面处且具有第一面和第二面的金属层，其中该金属层的第二面被设置在该金属层的第一面和介电层的第二面之间；在金属层的第一面处的用来将IC封装基板耦合至部件的封装接触件；以及在金属层的第一面处的用来将管芯耦合至IC封装基板的管芯接触件。

公开(公告)号：CN108369926B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201680073920.3

申请日：2016-11-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 姚计敏 ,  S.加内桑 ,  S.M.利夫 ,  邓一康 ,  D.马利克

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 本文中公开了集成电路（IC）封装结构以及相关的设备和方法。在一些实施例中，一种IC封装基板可以包括：具有第一面和第二面的介电层；设置在介电层的第一面处且具有第一面和第二面的金属层，其中该金属层的第二面被设置在该金属层的第一面和介电层的第二面之间；在金属层的第一面处的用来将IC封装基板耦合至部件的封装接触件；以及在金属层的第一面处的用来将管芯耦合至IC封装基板的管芯接触件。

公开(公告)号：CN112310050A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010219112.1

申请日：2020-03-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.加内桑 ,  K.麦卡菲 ,  L.M.特里博莱特 ,  D.马利克 ,  R.V.马哈詹 ,  R.L.桑克曼

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98

Abstract: 实施例包括半导体封装以及用于形成所述半导体封装的方法。一种半导体封装包括在玻璃片块之上的桥。所述桥利用粘合层而被耦合到所述玻璃片块。所述半导体封装还包括在所述桥和玻璃片块之上的高密度封装（HDP）基板。所述HDP基板利用多个模塑通孔（TMV）而被导电地耦合到玻璃片块。所述半导体封装此外包括在所述HDP基板之上的多个管芯，以及在所述TMV、桥、粘合层和玻璃片块之上的第一包封层。所述HDP基板包括多个导电互连，所述多个导电互连将所述管芯导电地耦合到所述桥和玻璃片块。所述桥可以是嵌入式多管芯互连桥（EMIB），其中所述EMIB被通信地耦合到所述管芯，并且所述玻璃片块包括多个玻璃通孔（TGV）。