-
公开(公告)号:CN1950781B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200580010780.7
申请日:2005-03-25
申请人: 英特尔公司
CPC分类号: G06F1/105 , H01S3/0092 , H01S3/0604 , H01S3/0615 , H01S3/0627 , H01S3/094084 , H01S3/1115 , H01S3/1118 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/0609 , H01S5/0657 , H01S5/141 , H01S5/18302 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18388 , H01S5/423
摘要: 一种具有集成吸收器的表面发射激光器(SEL)。下镜面和输出耦合器限定了SEL的激光腔。放置在激光腔中的单片增益结构包括增益区和吸收器,其中吸收器的饱和通量小于增益区的饱和通量。
-
公开(公告)号:CN1950781A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200580010780.7
申请日:2005-03-25
申请人: 英特尔公司
CPC分类号: G06F1/105 , H01S3/0092 , H01S3/0604 , H01S3/0615 , H01S3/0627 , H01S3/094084 , H01S3/1115 , H01S3/1118 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/0609 , H01S5/0657 , H01S5/141 , H01S5/18302 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18388 , H01S5/423
摘要: 一种具有集成吸收器的表面发射激光器(SEL)。下镜面和输出耦合器限定了SEL的激光腔。放置在激光腔中的单片增益结构包括增益区和吸收器,其中吸收器的饱和通量小于增益区的饱和通量。
-