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公开(公告)号:CN107039883A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710345824.6
申请日:2017-05-17
申请人: 浙江大学
CPC分类号: H01S5/0656 , G02F1/0121 , H01S5/0657
摘要: 本发明公开了一种基于中频选频的光电振荡器,包括本振信号源、微波功分器、激光器、保偏光纤、单模光纤、电光调制器、光电探测器、微波带通滤波器、混频器、中频带通滤波器、中频放大器;利用上下变频,通过一个窄带的中频带通滤波器来抑制OEO的边模,使得OEO环路做的更长来实现高Q值;通过相应长度的保偏光纤对中频带通滤波器群时延的匹配,消除本振信号的相位噪声影响。本发明的OEO结构中上变频采用了微波光子链路实现,具有带宽大,插入损耗小的优势,通过提高激光功率可以显著减小变频损耗。
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公开(公告)号:CN102684041B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201210064217.X
申请日:2012-03-12
申请人: 精工爱普生株式会社
发明人: 中山人司
IPC分类号: H01S1/02
CPC分类号: G01N21/3581 , B82Y20/00 , H01S5/0057 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0609 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/34313 , H01S5/4031
摘要: 本发明涉及太赫兹波产生装置、光源装置、摄像机及成像装置。该太赫兹波产生装置具备:光源装置,其射出光脉冲;天线,其被照射从上述光源装置射出的光脉冲而产生太赫兹波,上述光源装置具有:光脉冲产生部,其产生光脉冲;第一脉冲压缩部,其对上述光脉冲产生部所产生的光脉冲进行基于可饱和吸收的脉冲压缩;第二脉冲压缩部,其对由上述第一脉冲压缩部进行了脉冲压缩的光脉冲,进行基于群速度色散补偿的脉冲压缩;放大部,其被设置于上述第一脉冲压缩部和上述第二脉冲压缩部之间,用于对从上述第一脉冲压缩部射出的光脉冲进行放大。
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公开(公告)号:CN106253054A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201610816417.4
申请日:2016-09-12
申请人: 深圳大学
CPC分类号: H01S5/0657 , H01S5/30 , H01S5/305
摘要: 本发明适用于光学领域,提供了一种2.9微米波段脉冲激光的产生装置,包括半导体泵浦激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔,所述谐振腔包括端面泵浦激光介质,所述端面泵浦激光介质为掺杂铥离子的钒酸盐晶体;所述半导体泵浦激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂铥离子的钒酸盐晶体,铥离子通过受激辐射,产生1.9微米波段脉冲激光;所述钒酸盐晶体对所述1.9微米脉冲波段激光进行拉曼变频作用及锁模作用,产生2.3微米波段脉冲激光;所述钒酸盐晶体对所述2.3微米波段脉冲激光进行拉曼变频作用及锁模作用,输出2.9微米波段脉冲激光。本发明所提供的2.9微米波段脉冲激光的产生装置,获得了高功率、高能量的2.9μm波段超短脉冲激光。
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公开(公告)号:CN106058639A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610443677.1
申请日:2016-06-20
申请人: 中国科学院半导体研究所
CPC分类号: H01S5/0657 , H01S5/343
摘要: 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括:1.选区外延掩模设计;2.选取外延掩模图形制作;3.选区外延;4.激光器腔体结构制作;5.电隔离制作;6.电极制作;7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例,通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率,通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动,最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。
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公开(公告)号:CN106025793A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610557020.8
申请日:2016-07-15
申请人: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC分类号: H01S5/0657 , H01S5/10 , H01S5/32341
摘要: 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器,衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层;缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层,第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效,同时提高激光的响应时间。
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公开(公告)号:CN104143762A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201410183449.6
申请日:2014-04-30
申请人: 索尼公司
IPC分类号: H01S5/065
CPC分类号: H01S5/0657 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/2308 , H01S5/0057 , H01S5/0078 , H01S5/0602 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/40 , H01S5/50
摘要: 本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括:锁模半导体激光元件组件,包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统,从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光;以及半导体光学放大器,具有包括III-V族氮化物基半导体层的分层结构体,该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
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公开(公告)号:CN103329367A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201280005166.1
申请日:2012-01-11
申请人: 索尼公司
CPC分类号: H01S5/0658 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0602 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1014 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/222 , H01S5/34333 , H01S2301/176
摘要: 本发明提供了一种二分式GaN基半导体激光器件,具有在朝向第一发光区域的可饱和吸收区域内不太可能发生损坏的配置和结构。所述半导体激光器件包括第一发光区域(41A)、第二发光区域(41B)、夹在上述发光区域之间的可饱和吸收区域(42)、第一电极和第二电极。激光从其第二发光区域侧的端面发出。所述半导体激光器件具有脊状条纹结构。第二电极(62)由第一部分(62A)、第二部分(62B)和第三部分(62C)构成。满足1
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公开(公告)号:CN102918725A
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201180026256.4
申请日:2011-05-24
申请人: 丹尼尔·科普夫
发明人: 丹尼尔·科普夫
CPC分类号: H01S3/0627 , H01S3/0604 , H01S3/0612 , H01S3/094038 , H01S3/094084 , H01S3/1022 , H01S3/113 , H01S3/1611 , H01S3/1671 , H01S5/041 , H01S5/0657 , H01S5/183 , H01S5/18316 , H01S5/18319 , H01S5/18358 , H01S5/2027
摘要: 一种用于产生具有飞秒脉冲或皮秒脉冲的激光辐射(LE)的光泵浦超短脉冲微芯片激光器具有:衬底(2b);放大激光器介质(1);对光泵浦辐射(PS)至少部分透射的第一共振器反射镜(3b);尤其是一个可饱和的吸收器结构(5)。该激光器介质(1)被施加到共振器反射镜(3b)和该衬底(2b)上,随后从初始材料厚度被减小到小于200μm的厚度。为了尽管厚度较小但还是获得令人满意的功耗,光泵浦辐射(PS)被如此入射到激光器介质(1)中,即,对激光辐射(LE)发生共振,并且对泵浦辐射(PS)发生强度增大。
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公开(公告)号:CN101335572B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200810100741.1
申请日:2008-05-20
申请人: 冲电气工业株式会社
发明人: 荒平慎
CPC分类号: H04L7/0075 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/0265 , H01S5/0656 , H01S5/0657 , H01S5/5036
摘要: 光时钟信号再现装置、光时钟信号再现方法及双折射介质,本发明可再现不包含输入光信号分量的光时钟信号,且即使输入光信号的波长变化,所再现的光时钟信号的频谱特性也不变化。光时钟信号再现装置具有:模式同步半导体激光器(MLLD)、第1偏振波依赖型光隔离器以及第2偏振波依赖型光隔离器。第1偏振波依赖型光隔离器选择与MLLD的振荡光的偏振波方向正交的输入光信号的偏振波分量并使其透射。第2偏振波依赖型光隔离器将与MLLD的振荡光的偏振波方向相同的偏振波方向的光分量从光输出部输出,而且遮断以输入到MLLD的传播模式向MLLD前进的光。MLLD是具有这样的功能的无源MLLD,即:当发现模式同步动作时,生成重复频率近似于输入光信号的比特率频率的光脉冲串并将其输出。
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公开(公告)号:CN101351938A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200680040250.1
申请日:2006-10-20
申请人: 卢森特技术有限公司
IPC分类号: H01S5/065
CPC分类号: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/0657 , H01S5/2224 , H01S5/2227 , H01S5/2275 , H01S5/34306
摘要: 自锁模半导体激光器。一种带间自锁模(SML)半导体激光器使用包括有源波导部分(101)和共同增强自锁模的一个或多个无源波导部分(301A、301B、301B’)的有源波导结构。该SML激光器工作是基于通过将有源部分与一个或多个无源波导部分垂直光学组合的增强克尔透镜锁模。
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