公开(公告)号：CN108141005A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680055245.1

申请日：2016-07-29

Applicant: 奥普蒂脉冲公司

Inventor： J·R·约瑟夫

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/423

Abstract: 本文公开了更坚固和更强大的高速激光器阵列的各种实施例。例如，公开了一种设备，该设备包括：(1)单个激光发射外延结构，单个激光发射外延结构包括多个激光区域，单个激光发射外延结构的每个激光区域在单个激光发射外延结构本身内相对于单个激光发射外延结构的其它激光区域被电隔离；以及(2)电波导，电波导配置为向激光区域提供电流。

公开(公告)号：CN104247174B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201380021857.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： S.格罗恩博尔恩 ,  M.米勒

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/42 ,  H01S3/08 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/041 ,  G02B17/06 ,  H01S3/08068 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/026 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18397 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明涉及一种光学泵浦垂直外腔表面发射激光设备，该设备包括至少一个VECSEL（200）和若干泵浦激光二极管（300）。所述泵浦激光二极管（300）被布置成通过在镜元件（400）处反射泵浦辐射（310）而光学地泵浦VECSEL（200）的有源区（108）。镜元件（400）布置在VECSEL（200）的光轴（210）上并且被设计成将泵浦辐射（310）聚集在有源区（108）中并且同时形成VECSEL（200）的外部镜。所提出的设备避免了泵浦激光器的相对于VECSEL的有源区的耗时的调节，并且允许激光设备的非常紧凑的设计。

公开(公告)号：CN102246367B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980149700.4

申请日：2009-12-01

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J.S.科尔布 ,  M.米勒 ,  S.温特施泰因 ,  U.恩斯特

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  B41J2/455 ,  G06K15/12

CPC classification number: B41J2/451 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明涉及一种VCSEL装置，其包括布置于第一DBR(9)与第二DBR(7)之间的光学增益介质(8)。第一DBR和第二DBR形成激光腔且被设计成允许所述激光腔中的自容式激光发射，所述第二DBR(7)对于在激光腔中谐振的激光辐射是部分透明的。光学元件布置于激光腔的光轴上激光腔外的第二5DBR(7)的侧部上。光学元件具有朝向第二DBR(7)的凹表面(5)且凹表面(5)被设计成将透过第二DBR(7)发射的激光辐射的一部分反射回到激光腔内。凹表面(5)的曲率半径R与凹表面(5)和增益介质(8)之间的距离d的比值R/d在1与2之间的范围10内。利用所提出的VCSEL装置，实现了具有改进的模式分配和模式稳定性的高功率输出。

公开(公告)号：CN101971446B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200980109092.4

申请日：2009-06-25

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： P·布里克 ,  M·米勒

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S3/109 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/3095

Abstract: 说明有一种表面发射半导体激光器，具有：半导体本体(1)，其具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2)，所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接；以及被布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11)，其中在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4)。

公开(公告)号：CN100461561C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200480040079.5

申请日：2004-12-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 田中章雅

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/18305 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/11 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/423

Abstract: 一种半导体发光元件，具有多层构造体和玻璃基板。多层构造体含有积层的多个化合物半导体层，并生成光。多层构造体具有使所生成的光出射的光出射面，相对该光呈光学透明的玻璃基板，通过由氧化硅构成的膜粘合到光出射面。

公开(公告)号：CN101145674A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710154099.0

申请日：2007-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金映铉 ,  金仁 ,  李焘英

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18375 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/18388 ,  H01S2301/166

Abstract: 公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。所述激光器包括：形成在接触层的中央部分处的反射透镜以及与反射透镜分隔开并且围绕反射透镜的上电极。制造该激光器的方法包括以下步骤：在半导体基底的下表面上形成下电极之后，在半导体基底的上表面上依次生长下反射镜、振荡区、上反射镜和接触层；在接触层上形成环形掩模，在该环形掩模的中央部分处形成台形开口；通过掩模的台式结构的开口生长反射透镜，该反射透镜具有厚度不同的中央部分和外围部分；在去除掩模之后，围绕反射透镜形成环形上电极。

公开(公告)号：CN1287496C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN03157528.5

申请日：2003-09-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金子刚 ,  鬼头聪 ,  平松铁夫

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18311 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明提供了一种包括可良好控制其安装位置、形状以及大小的光学构件的表面发光型发光元件及其制造方法，以及包含该表面发光型发光元件的光模块和光传输装置。本发明的表面发光型发光元件(100)包括：可沿基体的垂直方向发射光，所述光发射出去的发射面(108)；设置在所述发射面(108)上的基座构件(110)；以及设置在基座构件(110)的表面(110a)上的光学构件(111)。

公开(公告)号：CN1761112A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510084872.1

申请日：2005-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/34 ,  H01S5/30 ,  H01S3/0941

CPC classification number: H01S5/18327 ,  H01S3/109 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/18

Abstract: 提供了一种激光泵浦单元以及具有该单元的高功率垂直外腔面发射激光(VECSEL)器件。通过利用隧道结，激光泵浦单元在横向容易地扩散电流。该激光泵浦单元包括：衬底、在衬底上形成的下分布式布拉格反射器(DBR)层、在下DBR层上形成的能够产生具有预定波长的光且具有量子阱结构的有源层、在有源层上形成以增加垂直方向中的电阻的隧道结层，以及在隧道结层上形成的上DBR层。

公开(公告)号：CN1596046A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410078526.8

申请日：2004-09-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  野村亮二 ,  下村明久

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/12 ,  H05B33/20 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/14 ,  H01S5/36 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明揭示了以激光振荡器为代表的发光器件，该激光振荡器由场致发光材料构成，具有改进的激光振荡效率和平稳降低的耗电特性。所揭示的发光器件包括发光元件，该发光元件包括具有凹部分的第一电极，用作为激光介质、在第一电极上形成的，同凹部分重叠的场致发光层，形成在场致发光层上同凹部分重叠的第二电极，在场致发光层中产生的光在第一电极与第二电极之间谐振，从第二电极作为激光反射，激光的光轴同第二电极相交，第一电极在凹部分具处有曲面，曲面的曲率中心位于在第一电极上面的第二电极的一侧。

公开(公告)号：CN1592011A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410085503.X

申请日：2004-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  成井启修 ,  黑水勇一 ,  山内义则 ,  田中嘉幸

IPC: H01S5/183

CPC classification number: G02B6/4296 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/32308 ,  H01S2301/18 ,  H01S2301/203

Abstract: 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。