公开(公告)号：CN108307662A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201680068358.5

申请日：2016-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·J·伯恩哈特 ,  Y·金 ,  D·S·弗罗斯特 ,  T·E·艾伦三世 ,  K·L·贝克尔 ,  K·亚斯特列贝内特斯凯 ,  R·A·威默尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L27/22 ,  H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L23/532 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/222 ,  H01L27/2463 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本公开内容的实施例描述了用于包括具有设置在管芯的存储器区域中的多条字线的存储器阵列的存储设备的技术和配置。填充区域可以设置在多条字线中的相应相邻字线对之间。填充区域可以包括第一电介质层和设置在第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层可以包括有机(例如，基于碳的)旋涂电介质材料(CSOD)。例如，第二电介质层可以包括与第一电介质层不同的电介质材料，诸如无机电介质材料。描述和/或要求保护了其他实施例。

公开(公告)号：CN108307662B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201680068358.5

申请日：2016-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·J·伯恩哈特 ,  Y·金 ,  D·S·弗罗斯特 ,  T·E·艾伦三世 ,  K·L·贝克尔 ,  K·亚斯特列贝内特斯凯 ,  R·A·威默尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L27/22 ,  H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L23/532 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开内容的实施例描述了用于包括具有设置在管芯的存储器区域中的多条字线的存储器阵列的存储设备的技术和配置。填充区域可以设置在多条字线中的相应相邻字线对之间。填充区域可以包括第一电介质层和设置在第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层可以包括有机(例如，基于碳的)旋涂电介质材料(CSOD)。例如，第二电介质层可以包括与第一电介质层不同的电介质材料，诸如无机电介质材料。描述和/或要求保护了其他实施例。