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公开(公告)号:CN102881666A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210295014.1
申请日:2012-08-17
申请人: 香港应用科技研究院有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L27/146 , H01L21/56
CPC分类号: H01L27/14618 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/10156 , H01L2224/1132 , H01L2224/1182 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1319 , H01L2224/13565 , H01L2224/1369 , H01L2224/16106 , H01L2224/16108 , H01L2224/16148 , H01L2224/16157 , H01L2224/16168 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/214 , H01L2224/215 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2224/81895 , H01L2224/9202 , H01L2224/92222 , H01L2224/92224 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/10156 , H01L2924/12042 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/19 , H01L21/78 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件,整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片,有一个或多个焊盘与该芯片连接,还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘,并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。
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公开(公告)号:CN107507810A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710288383.0
申请日:2017-04-27
申请人: 瑞萨电子株式会社
发明人: 松原义久
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/3738 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L23/3128 , H01L23/3164 , H01L23/3185 , H01L23/3672 , H01L23/373 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16157 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83862 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/367 , H01L21/50
摘要: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。目的在于提高半导体器件的性能。具有半导体芯片(CH)和散热部(散热器)的半导体器件按以下方式构成。散热部(散热器)具有树脂带(R1)和从该树脂带突出的由石墨片形成的散热片(GF),散热片具有石墨烯,散热片以石墨烯在与半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式配置于所述半导体芯片上。该散热部为将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体。作为上述散热片的构成材料,通过使用石墨烯,导热性提高且散热性提高。此外,由于使散热片从树脂带飞出,因此散热片的露出面积提高,能够提高散热性。
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公开(公告)号:CN106972004A
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201611052848.4
申请日:2016-11-24
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 金明寿
IPC分类号: H01L23/544 , H01L21/78
CPC分类号: H01L23/544 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G3/3696 , G09G2300/0426 , G09G2310/08 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L22/30 , H01L22/34 , H01L24/16 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2224/16157
摘要: 描述了一种半导体芯片,该半导体芯片具有改善的结构,不需在光刻设备上投资,并描述了一种制造半导体芯片的方法以及包括该半导体芯片的半导体封装和显示设备。半导体芯片包括设置在沿着第一方向伸长的矩形的中心部分中的电路区域。该电路区域包括沿第一方向以预定间隔设置的多个驱动电路单元。多个电极焊盘围绕所述电路区域设置,且工艺图案设置在所述矩形的四条边的至少一条处。
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公开(公告)号:CN103258807A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310170824.9
申请日:2013-05-10
申请人: 威盛电子股份有限公司
发明人: 宫振越
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4882 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3185 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/10 , H01L2224/16157 , H01L2224/73204 , H05K1/112 , H05K1/119 , H05K1/181 , H05K3/0026 , H05K3/28 , H05K3/4007 , H05K2201/09472 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H05K2201/10734 , H05K2203/0723 , H05K2203/107 , H05K2203/1476 , Y10T29/49156
摘要: 本发明公开一种线路基板、半导体封装结构及线路基板制作工艺。线路基板具有以下构件。一线路叠构具有一第一表面及相对第一表面的一第二表面。一第一图案化内部导体层配置在第一表面且具有多个第一接垫。一第一图案化外部导体层配置在第一图案化内部导体层上且具有多个第一导体柱,其中各第一导体柱位在对应的第一接垫上。第一介电层覆盖第一表面、第一图案化内部导体层及第一图案化外部导体层且具有多个第一凹陷,其中各第一凹陷暴露出对应的第一导体柱的顶面及侧面。一种采用上述线路基板的半导体封装结构及一种线路基板制作工艺也提供于此。
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公开(公告)号:CN108307662A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201680068358.5
申请日:2016-11-18
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L23/528 , H01L27/22 , H01L27/105 , H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/311
CPC分类号: H01L27/2481 , H01L21/31133 , H01L21/76837 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53257 , H01L23/53295 , H01L24/16 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L27/2463 , H01L2224/16113 , H01L2224/16157 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311
摘要: 本公开内容的实施例描述了用于包括具有设置在管芯的存储器区域中的多条字线的存储器阵列的存储设备的技术和配置。填充区域可以设置在多条字线中的相应相邻字线对之间。填充区域可以包括第一电介质层和设置在第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层可以包括有机(例如,基于碳的)旋涂电介质材料(CSOD)。例如,第二电介质层可以包括与第一电介质层不同的电介质材料,诸如无机电介质材料。描述和/或要求保护了其他实施例。
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公开(公告)号:CN107708303A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710470178.6
申请日:2017-06-20
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H05K1/18 , H01L25/065 , H01L23/538
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2224/16157 , H05K1/185 , H01L23/5383 , H01L25/0652 , H05K2201/10727
摘要: 本发明提供了一种印刷电路板,该印刷电路板包括:衬底基板,其包括彼此间隔开的至少两个芯片附着区;多个上焊盘,它们布置在衬底基板的所述至少两个芯片附着区中;容腔,其与所述至少两个芯片附着区中的每一个的一部分重叠并且在衬底基板的上表面中凹进;以及至少一个间隔凹槽,其在衬底基板的上表面中凹进。所述至少一个间隔凹槽连接至容腔,并且在所述至少两个芯片附着区之间的区中延伸。
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公开(公告)号:CN103258807B
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201310170824.9
申请日:2013-05-10
申请人: 威盛电子股份有限公司
发明人: 宫振越
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4882 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3185 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/10 , H01L2224/16157 , H01L2224/73204 , H05K1/112 , H05K1/119 , H05K1/181 , H05K3/0026 , H05K3/28 , H05K3/4007 , H05K2201/09472 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H05K2201/10734 , H05K2203/0723 , H05K2203/107 , H05K2203/1476 , Y10T29/49156
摘要: 本发明公开一种线路基板、半导体封装结构及线路基板制作工艺。线路基板具有以下构件。一线路叠构具有一第一表面及相对第一表面的一第二表面。一第一图案化内部导体层配置在第一表面且具有多个第一接垫。一第一图案化外部导体层配置在第一图案化内部导体层上且具有多个第一导体柱,其中各第一导体柱位在对应的第一接垫上。第一介电层覆盖第一表面、第一图案化内部导体层及第一图案化外部导体层且具有多个第一凹陷,其中各第一凹陷暴露出对应的第一导体柱的顶面及侧面。一种采用上述线路基板的半导体封装结构及一种线路基板制作工艺也提供于此。
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公开(公告)号:CN107750388A
公开(公告)日:2018-03-02
申请号:CN201580081219.1
申请日:2015-06-25
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/00 , H01L23/13 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L23/66 , H01L25/065
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/48 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/50 , H01L23/5385 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2223/6666 , H01L2224/16157 , H01L2224/16197 , H01L2224/16225 , H01L2924/1205 , H01L2924/15311
摘要: 本文公开了具有带有凹槽的内插器的集成电路(IC)结构。例如,IC结构可包含:具有抗蚀表面的内插器;部署在抗蚀表面中的凹槽,其中凹槽的底部是表面精加工的;以及位于抗蚀表面处的多个导电接触。可公开和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号:CN107689359A
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201710397399.5
申请日:2017-05-31
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/13101 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/18161 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/4821 , H01L21/4846 , H01L23/4952 , H01L23/49805 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/16057 , H01L2224/16157 , H01L2224/16188 , H01L2224/81
摘要: 本发明提供了一种半导体封装件,其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
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公开(公告)号:CN107359150A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201610498702.6
申请日:2016-06-29
申请人: 艾马克科技公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/00
CPC分类号: B81B3/0072 , B81B7/0048 , B81B2207/07 , B81C1/00666 , H01L21/568 , H01L23/055 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/16152 , H01L24/32 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L25/00 , H01L2224/16157 , H01L2224/32058 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471
摘要: 一种半导体封装及其制造方法。作为一非限制性的例子,此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造其之方法,其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。
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