专利检索 cpc:"H01L2924/1443" 第 1 页

1.

发明公开
封装中的存储器模块无效

公开(公告)号：CN107068662A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610884451.5

申请日：2012-07-11

申请人： 英闻萨斯有限公司

发明人： 贝尔加桑·哈巴 , 韦勒·佐尼 , 理查德·德威特·克里斯普 , 伊利亚斯·穆罕默德

IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/18 , G11C5/04 , H01L23/00 , H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/36 , H01L23/498

CPC分类号： H01L23/481 , G11C5/04 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49838 , H01L23/538 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L27/108 , H01L2224/0401 , H01L2224/061 , H01L2224/091 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29193 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/301 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一种微电子封装510可以包括：具有相对的第一表面521和第二表面527的衬底520，至少两个微电子元件对507a、512b，暴露在第二表面的多个端子525。每个微电子元件对507可以包括上微电子元件530b和下微电子元件530a。微电子元件对507可以在平行于衬底520的第一表面521的水平方向H上彼此完全间隔开。每个下微电子元件530a可以具有前表面531以及在前表面上的多个触点535。每个上微电子元件530b的表面531可以至少部分地覆盖衬底520的第一表面521和与其成对的下微电子元件530a。

2.

发明授权
封装中的存储器模块失效

公开(公告)号：CN103797578B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280044481.5

申请日：2012-07-11

申请人： 英闻萨斯有限公司

发明人： 贝尔加桑·哈巴 , 韦勒·佐尼 , 理查德·德威特·克里斯普 , 伊利亚斯·穆罕默德

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/49 , H01L23/13

CPC分类号： H01L23/481 , G11C5/04 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49838 , H01L23/538 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L27/108 , H01L2224/0401 , H01L2224/061 , H01L2224/091 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29193 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/301 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一种微电子封装510可以包括：具有相对的第一表面521和第二表面527的衬底520，至少两个微电子元件对507a、512b，暴露在第二表面的多个端子525。每个微电子元件对507可以包括上微电子元件530b和下微电子元件530a。微电子元件对507可以在平行于衬底520的第一表面521的水平方向H上彼此完全间隔开。每个下微电子元件530a可以具有前表面531以及在前表面上的多个触点535。每个上微电子元件530b的表面531可以至少部分地覆盖衬底520的第一表面521和与其成对的下微电子元件530a。

3.

发明授权
多芯片集成电路有权

公开(公告)号：CN102812548B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080065118.2

申请日：2010-10-15

申请人： 吉林克斯公司

发明人： 阿利弗·瑞曼 , 帆特桑·穆拉立

IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L21/68 , H01L23/31 , H01L21/56

CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/08137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24101 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/2902 , H01L2224/29187 , H01L2224/30181 , H01L2224/30183 , H01L2224/32137 , H01L2224/73267 , H01L2224/80006 , H01L2224/80896 , H01L2224/83005 , H01L2224/83896 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/14 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/145 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/19 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/83

摘要： 一种复合集成电路(IC，100)在重建晶圆底座上结合具有第一晶上互连结构(114)的第一IC晶粒(芯片，102)与具有第二晶上互连结构(115)的第二IC晶粒(104)。第二IC晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合(110)而被边缘接合到第一IC晶粒。芯片对芯片互连结构(118)电气耦合第一IC晶粒与第二IC晶粒。制造所述种复合集成电路的方法亦被描述于此。

4.

发明公开
能通过各种路径输入信号的层叠半导体装置和半导体系统有权

公开(公告)号：CN104916305A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410578397.2

申请日：2014-10-24

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 边相镇 , 高在范 , 丘泳埈

IPC分类号： G11C7/22

CPC分类号： G11C5/04 , G11C7/1045 , G11C29/1201 , G11C29/18 , G11C29/26 , G11C2029/1206 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1441 , H01L2924/1443 , H01L2924/15192 , H01L2924/157

摘要： 一种半导体装置包括控制信号接收部。控制信号接收部可以通过从层叠芯片测试部、控制信号接口部和测试设置部之中的一个接收命令信号和地址信号来设置与存储器芯片的操作有关的信息。

5.

发明公开
用于具有中介层的封装件的方法和装置有权

公开(公告)号：CN103871991A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310088383.8

申请日：2013-03-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴凯强 , 陈宪伟 , 陈玉芬 , 林俊宏 , 刘明凯 , 吕俊麟

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1712 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K1/0284 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/40 , H05K2201/09409 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本文公开了一种用于在封装管芯中使用的具有阻拦件的中介层的方法和装置。一种中介层可以包括位于衬底上方的金属层。多个阻拦件可以围绕金属层的每个角部形成在金属层上方。可以在中介衬底的两个面上都形成阻拦件。阻拦件围绕一区域，在该区域中可以设置用于与其他封装件连接的连接件，诸如焊料球。非导电阻拦件可以形成在阻拦件上方。底部填充物可以形成在连接至连接件的封装件下方、金属层上方且包含在角部阻拦件所围绕的区域内，从而使得连接件被底部填充物保护得很好。也可以在印刷电路板上进一步形成这样的阻拦件。

6.

发明公开
3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法有权

公开(公告)号：CN107221527A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201611156539.1

申请日：2016-12-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 , 廖文翔 , 周淳朴 , 陈焕能 , 卓联洲 , 沈武

IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/58

CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2223/6622 , H01L2223/6638 , H01L2224/16225 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1443 , H01L2924/146 , H01L2924/3025 , H01L23/585

摘要： 一种半导体封装件，包括第一半导体器件、垂直设置在第一半导体器件上方的第二半导体器件，以及接地屏蔽传输路径。接地屏蔽传输路径将第一半导体器件连接至第二半导体器件。接地屏蔽传输路径包括第一信号路径，其在第一端和第二端之间纵向延伸。第一信号路径包含导电材料。第一绝缘层设置在所述信号路径上方，并纵向位于所述第一端和所述第二端之间。第一绝缘层包含电绝缘材料。接地屏蔽层设置在所述绝缘材料上方，并纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间。所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。接地屏蔽层将其中接收的辐射信号导入地面，以防止第一信号路径中的感应噪音。本发明实施例涉及3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法。

7.

发明授权
用于具有中介层的封装件的方法和装置有权

公开(公告)号：CN103871991B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310088383.8

申请日：2013-03-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴凯强 , 陈宪伟 , 陈玉芬 , 林俊宏 , 刘明凯 , 吕俊麟

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1712 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K1/0284 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/40 , H05K2201/09409 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本文公开了一种用于在封装管芯中使用的具有阻拦件的中介层的方法和装置。一种中介层可以包括位于衬底上方的金属层。多个阻拦件可以围绕金属层的每个角部形成在金属层上方。可以在中介衬底的两个面上都形成阻拦件。阻拦件围绕一区域，在该区域中可以设置用于与其他封装件连接的连接件，诸如焊料球。非导电阻拦件可以形成在阻拦件上方。底部填充物可以形成在连接至连接件的封装件下方、金属层上方且包含在角部阻拦件所围绕的区域内，从而使得连接件被底部填充物保护得很好。也可以在印刷电路板上进一步形成这样的阻拦件。

8.

发明公开
针栅插入物有权

公开(公告)号：CN104160499A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201180075618.9

申请日：2011-12-19

申请人： 英特尔公司

发明人： N·R·沃茨 , T·吴

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49816 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 一种插入物，用以形成围绕接合到封装衬底的下芯片的框，并隔开上芯片或封装，用于下芯片的间隙。插入物具有排列在第一侧上的插针，其焊接到封装衬底，用于减小插入物z-高度；及焊盘，排列在上封装(芯片)所接合的第二侧上。在组装过程中，可以相对于预备焊料焊盘和回流的焊料按压插入物插针，以将插入物结合到封装衬底。随后将上封装(芯片)结合到插入物的相反侧，以集成第一和第二芯片。