公开(公告)号：CN117393596A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310630372.1

申请日：2023-05-30

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 杜子明 ,  杜卫星 ,  游政昇

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，半导体器件包括：半导体衬底；第一氮化物半导体层，设置于半导体衬底上；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层上；栅极电极，设置于所述第三氮化物半导体层上；源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极均设置于所述第二氮化物半导体层上；其中，所述第二氮化物半导体层开设有凹槽，所述凹槽与所述栅极电极之间的距离小于所述凹槽与所述漏极电极之间的距离，通过在第二氮化物半导体层开设凹槽，可以降低第二氮化物半导体层在凹槽区域的氮化物浓度，从而降低尖端电势，提高耐压强度。

公开(公告)号：CN115812253A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202280004733.5

申请日：2022-07-20

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 刘阳 ,  杜卫星 ,  游政昇 ,  张铭宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。

公开(公告)号：CN117238961A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311229970.4

申请日：2023-09-21

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 杨耀杰 ,  杜卫星 ,  游政昇

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/36 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，目的是解决HEMT器件的漏电问题，从而提高器件性能。半导体器件包括：依次叠层设置的氮化物半导体层、P型氮化物半导体层和金属导电层；其中，所述氮化物半导体层的禁带宽度小于所述P型氮化物半导体层的禁带宽度，所述P型氮化物半导体层的功函数大于所述金属导电层的功函数；所述P型氮化物半导体层中掺杂第二主族元素，所述第二主族元素的浓度沿所述P型氮化物半导体层的厚度方向，从靠近所述氮化物半导体层到远离所述氮化物半导体层逐渐递减。

公开(公告)号：CN115812253B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280004733.5

申请日：2022-07-20

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 刘阳 ,  杜卫星 ,  游政昇 ,  张铭宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。

公开(公告)号：CN118266084A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280076819.9

申请日：2022-08-03

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 马俊辉 ,  游政昇 ,  张铭宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778

摘要： 氮化物基半导体器件包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极和漏电极、掺杂氮化物基半导体层、第一栅电极和第二栅电极以及第三栅电极。源电极和漏电极设置在第二氮化物基半导体层上方。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并且在源电极与漏电极之间。第一栅电极和第二栅电极设置在掺杂氮化物基半导体层上并且彼此间隔开。第三栅电极设置在第一栅电极和第二栅电极上方并与掺杂氮化物基半导体层的在第一栅电极与第二栅电极之间的部分接触。

公开(公告)号：CN117457736B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311789010.3

申请日：2023-12-25

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 林盛杰 ,  游政昇 ,  毛丹枫 ,  张忠宇 ,  温家蔚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种晶体管结构和芯片，该晶体管结构包括：衬底基板、有源层、栅极和电极部；栅极包括：栅极部；栅极部包括位于有源区的第一栅极部和位于无源区的第二栅极部；第一栅极部中第一栅极子部沿第一方向的宽度大于第二栅极子部沿第一方向的宽度；第二栅极部沿第一方向的宽度大于等于第一栅极子部沿第一方向的宽度；电极部包括位于有源区的第一电极部和位于无源区的第二电极部；第一电极部中第二电极子部沿第一方向的宽度大于第一电极子部沿第一方向的宽度；第一电极子部沿第一方向的宽度大于等于第二电极部沿第一方向的宽度。本发明能使避免在HTGB测试后由于栅极部损耗过大或边缘区域栅极部被击穿而导致的漏电，增强晶体管的性能和寿命。

公开(公告)号：CN117457736A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311789010.3

申请日：2023-12-25

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 林盛杰 ,  游政昇 ,  毛丹枫 ,  张忠宇 ,  温家蔚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种晶体管结构和芯片，该晶体管结构包括：衬底基板、有源层、栅极和电极部；栅极包括：栅极部；栅极部包括位于有源区的第一栅极部和位于无源区的第二栅极部；第一栅极部中第一栅极子部沿第一方向的宽度大于第二栅极子部沿第一方向的宽度；第二栅极部沿第一方向的宽度大于等于第一栅极子部沿第一方向的宽度；电极部包括位于有源区的第一电极部和位于无源区的第二电极部；第一电极部中第二电极子部沿第一方向的宽度大于第一电极子部沿第一方向的宽度；第一电极子部沿第一方向的宽度大于等于第二电极部沿第一方向的宽度。本发明能使避免在HTGB测试后由于栅极部损耗过大或边缘区域栅极部被击穿而导致的漏电，增强晶体管的性能和寿命。

公开(公告)号：CN116613207A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310582406.4

申请日：2023-05-22

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 杜卫星 ,  刘阳 ,  游政昇

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

摘要： 一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅电极、第一钝化层、第一场板、第二场板。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。栅电极设置在第二氮化物半导体层上方。第一钝化层覆盖栅电极。第一场板设置在栅电极及第一钝化层的上方。第二场板设置在第二氮化物半导体层及第一钝化层的上方，其中第二场板相对第二氮化物半导体层的高度小于第二场板相对第二氮化物半导体层的高度，且第一场板与第二场板为彼此分隔开的。