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公开(公告)号：CN118335588A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410048817.X
申请日：2024-01-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司 , 牛津离子有限公司
摘要： 一种用于控制俘获离子的微制造装置包括介电材料或半导体材料的基板。结构化电极层设置在基板之上。结构化电极层形成离子阱的多个电极，所述离子阱被配置成在结构化电极层之上的空间中俘获离子。结构化电极层包括低声子态密度层，称为低PDOS层，低PDOS层由TiN或TiW或Ti或W组成，并且具有等于或大于100nm的厚度。
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公开(公告)号：CN116205303A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211516932.2
申请日：2022-11-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： G06N10/40
摘要： 一种用于保持在低温恒温器中的基板上安装的离子阱装置的低温恒温器插座包括被提供用于在低温恒温器中的预先组装的壳体框。在壳体框中布置弹簧销插入件。弹簧销插入件包括基板和弹性地容纳在基板中的接触销。接触销布置成阵列。壳体盖具有用于基板的容座，其中，壳体盖在与壳体框组装时在基板的前侧上施加压缩力，基板的后侧通过该压缩力被压到接触销上。
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公开(公告)号：CN114358297A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111157175.X
申请日：2021-09-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 本公开涉及用于控制俘获的离子的装置及其制造方法。一种控制俘获的离子的装置包括第一半导体衬底。第二半导体衬底设置在第一半导体衬底上方。至少一个离子阱在第一半导体衬底和第二半导体衬底之间的空间中被配置成俘获离子。在第一半导体衬底和第二半导体衬底之间设置间隔物，该间隔物包括将第一半导体衬底的第一金属层结构电连接到第二半导体衬底的第二金属层结构的电互连。
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公开(公告)号：CN118553597A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410202155.7
申请日：2024-02-23
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01J49/10
摘要： 一种用于在低温恒温器中托握安装在衬底上的离子阱装置的低温恒温器插座包括：框架，具有排热表面，所述排热表面被配置为热耦合到所述装置载体的侧向外区。所述低温恒温器插座还包括：盖子，被配置为当被与所述框架组装时将压缩力施加于所述装置载体的前侧，通过所述压缩力，所述装置载体的后侧被热耦合到所述排热表面。
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公开(公告)号：CN117894497A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311331923.0
申请日：2023-10-13
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司 , 约安科研有限责任公司 , 因斯布鲁克大学
摘要： 公开了用于利用集成波导控制所捕集的离子的器件。一种用于控制所捕集的离子的微制备器件，包括具有主表面的第一衬底。结构化的第一金属层被部署在第一衬底的主表面上。结构化的第一金属层包括至少一个离子捕集区的电极，至少一个离子捕集区被配置为捕集在结构化的第一金属层上方的空间中的离子。电介质元件被固定地附接到第一衬底，其中电介质元件包括至少一个短脉冲激光直写波导，该至少一个短脉冲激光直写波导被配置为将激光朝向被捕集在至少一个离子捕集区中的离子引导。
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公开(公告)号：CN118675976A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410297974.4
申请日：2024-03-15
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 提供了用于控制俘获离子的装置。一种用于控制俘获离子的装置包括衬底。金属层设置在衬底上。离子阱的电极设置在金属层上，其中电极被配置成在电极上方的空间中俘获一个或多个离子。电绝缘体设置在金属层和电极之间。电绝缘体包括面向电极的上表面和面向金属层的下表面。电绝缘体的蚀刻速率沿着从上表面指向下表面的方向增加。
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公开(公告)号：CN118352218A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410053763.6
申请日：2024-01-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 本公开涉及用于控制俘获离子的装置。用于控制俘获离子的微制造装置包括具有主表面的第一衬底。结构化的第一金属层设置在第一衬底的主表面之上。结构化的第一金属层包括至少一个离子俘获区的电极，所述至少一个离子俘获区被配置为将离子俘获在结构化的第一金属层上方的空间中。电介质元件固定地附接到第一衬底。电介质元件包括至少一个激光路径以及覆盖有层的表面。该层是导电层。该层对于激光是光学透明的。该层布置在至少一个激光路径和至少一个离子俘获区之间。
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公开(公告)号：CN117716447A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280049615.6
申请日：2022-07-12
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司 , 瑞士联邦苏黎世技术大学 , 因斯布鲁克大学
摘要： 一种用于控制被俘获离子(180)的器件(100)包括：第一半导体衬底(120)，包括半导体和/或介电材料。第一微制作电极结构(125)被设置在所述第一衬底(120)的主要侧处。所述器件(100)进一步包括：第二衬底(140)，包括半导体和/或介电材料。第二微制作电极结构(145)被设置在与所述第一衬底(120)的主要侧相对的所述第二衬底(140)的主要侧处。多个间隔物构件(160)被设置在所述第一衬底(120)与所述第二衬底(140)之间。至少一个离子阱被配置成将离子(180)俘获在所述第一衬底(120)与所述第二衬底(140)之间的空间中。所述第一微制作电极结构(125)和所述第二微制作电极结构(145)包括所述离子阱的电极。多层金属互连件(135)被形成在所述第一衬底(120)上且电连接到所述第一微制作电极结构(125)。
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公开(公告)号：CN114358298A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111157190.4
申请日：2021-09-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 一种用于控制俘获的离子的装置包括第一衬底。第二衬底设置在第一衬底上方。一个或多个第一能级离子阱被配置成俘获第一衬底和第二衬底之间的空间中的离子。一个或多个第二能级离子阱被配置成俘获第二衬底上方的空间中的离子。提供在第二衬底中的开口，通过该开口离子可以在第一能级离子阱和第二能级离子阱之间转移。
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公开(公告)号：CN115910419A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211205654.9
申请日：2022-09-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 具有低热耗散的用于控制俘获离子的器件。一种用于控制俘获离子的器件包括衬底。第一金属层设置在衬底之上。绝缘层设置在第一金属层之上。结构化的第二金属层设置在绝缘层之上。结构化的第二金属层包括离子阱的电极，离子阱被配置成俘获结构化的第二金属层上方空间中的离子。结构化的第二金属层的电极和第一金属层彼此重叠。该器件还包括在第一金属层和结构化的第二金属层的电极之间的绝缘层中的空隙空间，空隙空间至少在器件的操作期间包括真空。
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